穴を通した集積回路の破片IXBH20N360HV単一IGBTのトランジスター

Name: 穴を通した集積回路の破片IXBH20N360HV単一IGBTのトランジスター
Uploaded: 2025-08-21CDT17:22:30-05:00
Duration: 32 s
Description: 穴を通した集積回路の破片IXBH20N360HV単一IGBTのトランジスター, 詳細を検索する 穴を通した集積回路の破片IXBH20N360HV単一IGBTのトランジスター から ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 供給者または製造者 integrated-ic.com

集積回路の破片

2025-05-30

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#集積回路の破片24-PQFN #TUSB1002ARGERのデュアル・チャネル線形 #統合された破片QFN24

集積回路チップ IXBH20N360HV 単一 IGBT トランジスタ穴を通る IXBH20N360HVの製品説明 IXBH20N360HV IGBTは,高電源密度,低ゲート駆動要件などの利点を提供し, -55°Cから150°Cの動作温度を有する. IXBH20N360HVの仕様部分番号 IXBH20N360HV パワー - マックス 430W エネルギー交換 15.5mJ (オン),4... もっと眺め

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