会社ブログについて 評価板で取得:RFトランジスタ,MOSFET,IGBT,リクティファイヤー,SiC

評価ボードでの取得：RFトランジスタ、MOSFET、IGBT、整流器、SiC

深セン明佳達電子有限公司は、電子部品のリサイクルと在庫管理を専門とするグローバル企業であり、専門的で効率的、かつ高価値のリサイクルサービスを提供しています。当社は、お客様の在庫削減、保管スペースの最小化、保管および管理コストの削減を支援することに尽力しています。以下に、当社のリサイクルサービスの詳細な概要を示します。

1. 主なリサイクルカテゴリ

集積回路（IC）、5Gチップ、新エネルギーIC、IoTチップ、Bluetoothチップ、車載チップ、AI IC、イーサネットIC、メモリチップ、センサー、IGBTモジュール、およびその他多くの製品。

2. リサイクルの利点

高価格リサイクル：市場動向に基づいた価格設定で、お客様のコスト回収を最大化するための競争力のある市場レートを提供します。

迅速な支払い：‘当日検査、当日支払い’をサポートし、72時間以内に取引を完了します。

グローバルロジスティクスサポート：DHL/UPS/SF Expressなどのグローバル貨物集荷ロジスティクスサービスを提供します。

3. リサイクルプロセス

リストの提出：お客様は、モデル、ブランド、数量、その他の情報を提供します。

評価と見積もり：24時間以内に検査計画と見積もりを提供します。

ロジスティクスの引き渡し：ドアツードアの集荷またはグローバルロジスティクスの発送をサポートします。

検査と支払い：検査の翌営業日に支払いを完了します。

[RFトランジスタ評価ボード：信号取得と処理のためのコアプラットフォーム]

ON Semiconductorは、RFトランジスタ評価ボードで複数の専門的なソリューションを提供しており、最も注目すべきはARRAYXシリーズです。このシリーズは、シリコン光電子増倍管（SiPM）アレイの信号取得と処理に特化して最適化されています。ARRAYX-BOB6-64S評価ボードは、ARRAYJ-60035-64P（6mm 8x8 TSVアレイ）からのすべての標準ピクセル信号と個々の高速出力信号への直接アクセスを容易にします。この設計により、研究者は光検出変換実験とアレイ性能テストを容易に実施でき、高精度な光検出を必要とする科学および産業用途に特に適しています。

評価ボードの接続アーキテクチャは高度な専門性を示しています。端子台は、2つのSamtec 80ウェイコネクタ（タイプQSE-040-01-F-D-A）を備えており、アレイ上のSamtec QTE-040-03-F-D-Aボード間コネクタに完全に適合します。これらのコネクタのキー設計により、ボード・オブ・ボード（BOB）上でのアレイの向きが簡単かつ確実にでき、設置と試運転の複雑さを大幅に軽減します。高速信号出力のために、評価ボードはすべての高速出力信号（Fn）を、ヘッダーピンに接続するマッチングコネクタ経由でルーティングします。これらは、2.54mmピッチ（J3、J4、J5、およびJ6）の4つの50ウェイ（25x2列）コネクタで構成されています。4つのヘッダーのそれぞれには、共通カソード（CM）に接続された10本のピンと、非接続（NC）の8本のピンがあり、プロトタイピングと評価に柔軟性を提供します。

信号処理能力は、ARRAYX評価ボードのもう1つの重要なハイライトです。2つのSMAコネクタとバラン変圧器には4ピンヘッダーが装備されており、ジャンパーワイヤを使用して、任意の高速信号をSMAインターフェースに直接接続したり、変圧器経由で接続したりできます。この設計は、高周波信号の測定と伝送マッチングのための複数のオプションを提供します。合計出力（ピクセル1〜64のアノードが接続）は、3番目のSMAコネクタ（SM）の近くのジャンパーピンにルーティングされ、全体的な信号強度のモニタリングを容易にします。機械的には、評価ボードは25mmグリッドに4つの7mm穴を備えており、光学ブレッドボードへのボードの取り付けに特化して設計されており、実験セットアップの安定性を確保しています。

ON Semiconductorは、ARRAYC-30035-144P（3mm 12x12 SiPMアレイ）用に特別に設計されたARRAYX-BOB3-144P評価ボードも提供しています。この評価ボードは、4つのSamtec 80ウェイコネクタを組み込んでおり、アレイからのすべての信号をペアのコネクタを介してヘッダーピンにルーティングし、8つの50ウェイ（25×2列）2.54mmピッチコネクタを形成します。3つのSMAコネクタと4ピンヘッダー付きのバラン変圧器により、任意の信号をSMAに直接接続したり、ジャンパーワイヤを使用して変圧器経由で接続したりできます。BOB6-64Sと同様に、ボードは光学実験プラットフォームへの直接統合のために、25mmグリッドに4つの7mm取り付け穴を組み込んでいます。

【MOSFET評価ボード：効率的な電力管理のためのプロフェッショナルツール】

同期整流MOSFET評価ボード

負荷スイッチに加えて、ON Semiconductorは、同期整流（SR）アプリケーション向けの専門的な評価ツールを提供しています。NCP4306FLY150GEVB評価ボードは、スイッチモード電源の同期整流MOSFETを制御するために特別に設計された高性能ドライバです。このボードは、DCMまたはCCMフライバック、準共振フライバック、フォワード、ハーフブリッジ共振LLC構成など、複数のトポロジをサポートしており、優れたアプリケーションの柔軟性を示しています。

技術的特性に関して、NCP4306FLY150GEVB評価ボードは、外部で固定または調整可能な最小ターンオフ時間とターンオンブランキング時間を備えています。この設計の組み合わせは、PCBレイアウトやその他の寄生要素によって引き起こされるリンギング効果を排除し、システムの安定性を向上させるのに役立ちます。評価ボードはまた、SRシステムの信頼性とノイズフリーな動作を保証する自己同期機能を組み込んでいます。さらに、その正確なシャットダウンコンパレータ、広い入力電圧範囲、および高い動作周波数により、多様な複雑な電源環境への適応が可能になります。

NCP4306FLY150GEVB評価ボードの効率的な設計は、重要なアプリケーション上の利点を提供し、正と負の両方のブランチでの動作を容易にし、堅牢なMOSFET駆動能力を提供します。調整可能な最小ターンオン時間とターンオフ時間、および構成可能な軽負荷検出により、エンジニアは特定のアプリケーション要件に応じてパフォーマンスを最適化できます。これらの特性により、評価ボードは、高効率スイッチング電源の開発、特にエネルギー効率に関する厳しい要求が蔓延している家電製品および産業用電力部門に最適です。

IGBT評価ボード：産業用ドライブの信頼できる保証

SPMスマートパワーモジュール評価ボード

産業用ドライブアプリケーション内では、IGBT評価ボードが重要な役割を果たしています。ON SemiconductorのSPM2およびSPM3スマートパワーモジュール評価ボードは、産業用モータードライブアプリケーション向けに特別に設計されており、設計者がよりコンパクトで信頼性が高く、エネルギー効率の高いドライブソリューションを構築するのに役立ちます。これらのモジュールは現在、600Vと1200Vの両方のバージョンで、最大10kWの電力定格に対応しています。単相AC入力モータードライブは通常600Vモジュールを使用し、三相AC入力モータードライブは1200Vモジュールを必要とします。この電圧階層化により、多様なアプリケーションシナリオ全体で最適なパフォーマンスマッチングが保証されます。

高集積化は、SPMシリーズ評価ボードの決定的な特徴です。各モジュールは、ゲートドライバ、温度センシングユニット、ブーストダイオード、および6つのIGBTを統合した完全なインバータ電力段を組み込んでいます。この高度に統合された設計により、外部コンポーネントの数が削減され、システムレイアウトが簡素化され、全体的な信頼性が向上します。短絡保護、ソフトシャットダウン保護、低電圧ロックアウトなどの包括的な保護機能により、すべての障害状態での信頼性の高いモータードライブ動作が保証されます。これらの保護メカニズムは、産業環境で継続的に動作する重要な機器にとって特に重要です。

技術的進歩の観点から、ON SemiconductorのSPM3評価ボードは、新しい第三世代フィールドストップIGBTを採用しており、電力処理能力を大幅に向上させています。現在、SPM3は50A/600Vまたは20A/1200VのIGBTを組み込んでおり、単相および三相入力ACドライブで最大5kWの電力定格を提供します。より高出力の35A/1200V SPM2は最大7.5kWをカバーし、開発中の50A SPM2サンプルは最大10kWの電力レベルを提供します。この電力拡張により、SPMシリーズ評価ボードは、コンパクトなデバイスから中規模の産業機械まで、多様な要件に対応できます。

【整流器評価ボード：高効率変換のための主要コンポーネント】

ON Semiconductorは、整流器評価ボードで複数の専門的なソリューションを提供しており、同期整流技術に焦点を当てています。NCP4306FLY150GEVB評価ボードは、この分野の例であり、スイッチモード電源の同期整流（SR）MOSFETを制御するために特別に設計されています。この評価ボードは、不連続導通モード（DCM）または連続導通モード（CCM）フライバック、準共振フライバック、フォワード、ハーフブリッジ共振LLCなど、複数のトポロジをサポートしています。この幅広い適応性により、高効率電源システムの開発に役立つ多用途プラットフォームになります。

性能特性に関して、NCP4306FLY150GEVB評価ボードは、フライバックアプリケーション専用の150V MOSFETを統合した高効率設計を備えています。ボードの正確なシャットダウンコンパレータは、SRシステムの信頼性とノイズフリーな動作を保証し、広い入力電圧範囲と高い動作周波数能力により、多様な複雑な動作環境への適応が可能になります。堅牢なMOSFETドライバは、調整可能な最小オン時間とオフ時間と相まって、エンジニアにパフォーマンスチューニングのためのかなりの柔軟性を提供します。

設計上の利点は重要です。評価ボードの調整可能な軽負荷検出機能により、正と負の両方のブランチで柔軟な動作が可能になります。そのコンパクトで小型の設計は、スペースが限られたアプリケーションへの統合を容易にし、自己同期により、安定した信頼性の高いシステム動作が保証されます。これらの特性を総合すると、NCP4306FLY150GEVB評価ボードは、高効率で信頼性の高い電源システム、特にエネルギー効率の要件がますます厳しくなっている家電製品および産業用電力部門の開発に最適です。

【炭化ケイ素（SiC）評価ボード：次世代パワー半導体向けの最先端技術】

高電圧SiC MOSFETモジュール評価ボード

炭化ケイ素技術は次世代パワー半導体の中心にあるため、ON Semiconductorはこの分野で高度な評価ソリューションを提供しています。EVBUM2878G-EVB評価ボードは、1200V M3S 4-PACK SiC MOSFETモジュール用に特別に設計されており、主に太陽光発電インバータ、UPSシステム、電気自動車充電ステーションなどのエネルギーインフラストラクチャアプリケーションを対象としています。従来のIGBTまたはスーパー接合MOSFETソリューションと比較して、炭化ケイ素技術はシステムの効率と電力密度を大幅に向上させ、高電力アプリケーションに革新的な改善をもたらします。

コア技術仕様は、EVBUM2878G-EVBが800Vdc定格動作電圧と最大DCリンク耐電圧1000Vをサポートしていることを示しています。4チャンネル独立ゲートドライバ設計を特徴とし、2.5kV RMS一次側対二次側絶縁耐電圧を提供します。熱管理のために、黒色PCBコーティングは熱放射効率を向上させ、外部ヒートシンクの取り付けをサポートします。70μm銅厚の4層FR4ボードと低インダクタンスルーティング設計により、高周波スイッチング性能がさらに最適化されています。

モジュール互換性のために、評価ボードはNXH011F120M3F2PTHG（11mΩ）とNXH007F120M3F2PTHG（7mΩ）の両方のモジュールをサポートしています。ドライバソリューションは、NCD57084絶縁ドライバを採用し、+18V/-3Vの二重極性ゲート電圧をサポートしています。DCリンク設計は、推奨容量180μFのフィルムコンデンサアーキテクチャを組み込んでおり、ユーザーはさまざまなアプリケーション要件に合わせてBOMを調整できます。これらの柔軟な構成により、評価ボードは、パフォーマンスを要求するさまざまなテストシナリオに適応できます。

包括的なインターフェースとモニタリング機能には、PWM入力をサポートする4つのSMAコネクタが含まれています（VIL：0〜1.5V、VIH：3.5〜5V）。統合されたNTCサーミスタ（25℃で5kΩの抵抗）は温度センシングを提供し、障害保護機能にはREADYステータスモニタリングとDESAT保護（無効）が含まれています。ドライブ電源は、4つの独立した絶縁DC/DCコンバータ（CUI VQA3S-S5-D18-S）を採用し、+18V/-3Vのデュアル出力を2Wで提供します。二次側の電力は、100nF + 10μFコンデンサの組み合わせを介してフィルタリングされ、安定したクリーンなドライブ信号の完全性を確保しています。