流出させなさいに源の電圧（Vdss）:1200V （1.2kV）
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:400A
（最高） @ ID、VgsのRds:3.7mOhm @ 400A、15V
部品番号:F3L400R10W3S7B11BPSA1
IGBTタイプ:堀
製品の状況:アクティブ
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:950ボルト
現在-コレクター（（最高） IC）:310 A
パワー最高:20 MW
FETの特徴:シリコンカービード (SiC)
流出電圧から源電圧 (Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:200A
部品番号:FF300R08W2P2B11ABOMA1
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):750ボルト
電流 - コレクター (Ic) (最大):200A
部品番号:FS03MR12A6MA1BBPSA1
FETの特徴:シリコンカービード (SiC)
流出電圧から源電圧 (Vdss):1200V (1.2kV)
部品番号:IXYN50N170CV1
最高のゲートのエミッターの電圧:- 20ボルト、20ボルト
Pd -電力損失:880 W
部品番号:IXYN140N120A4
現在-コレクター（（最高） IC）:380A
ゲート エミッターの漏出流れ:200 nA
部品番号:IXYN110N120C4
現在-コレクターの締切り:50μA
入れられたキャパシタンス:5.42 nF @ 25ボルト
部品番号:MSCSM120DDUM31CTBL2NG
ID -連続的な下水管の流れ:79 A
Pd -電力損失:310 w
部品番号:MSCSM120DUM31CTBL1NG
Vf -前方電圧:1.5 30 AのV
Vr - 逆電圧:1.2 kV
部品番号:MSCDR90A160BL1NG
ダイオード構成:1ペア直列接続
テクノロジー:スタンダード
