会社ブログについて アクセス レネサスのFETドライバー評価委員会:FETドライバー,GaN FETドライバー,同期バックFETドライバー

Renesas FETドライバ評価ボードの取得：FETドライバ、GaN FETドライバ、同期バックFETドライバ

深セン明佳達電子有限公司は、強力なグローバル電子部品在庫リサイクラーです。顧客に専門的な電子部品リサイクルサービスを提供し、在庫の消化、倉庫保管の削減、倉庫保管コストと管理コストの削減を支援することに尽力してきました。

リサイクル分野には、次のコアな利点があります。

1. フルモデルカバレッジ能力

集積回路IC、5Gチップ、新エネルギーIC、IoTチップ、Bluetoothチップ、車載チップ、人工知能IC、イーサネットIC、メモリチップ、センサー、IGBTモジュールなど、さまざまなブランドとモデルの電子部品のリサイクルをサポートし、車載エレクトロニクス、産業用制御、通信、AIなどの分野をカバーしています。

2. 専門的な評価と高価格での回収

正確な価格設定を確実にするために、経験豊富な技術チームが信頼性テストと性能検証を実施しています。

3. 効率的で柔軟なサービスプロセス

24時間迅速な見積もりを提供し、「当日検査、当日支払い」モードをサポートしています。

全バッチ/バルク材料の混合リサイクルを受け入れ、ドアツードアのピックアップ、クロスボーダーロジスティクス、倉庫回収サービスをサポートしています。

I. FETドライバ評価ボード：高信頼性の産業基盤

ユニバーサルFETドライバ評価ボードは、安定した堅牢なゲートドライブ能力を提供することに重点を置いており、モータドライブや電力変換など、さまざまなアプリケーションに適しています。そのコアバリューは、高電圧、大電流スイッチング回路の設計の複雑さを簡素化することにあります。

1. コアモデルと機能分析

ISL78424EVAL3Z/ISL78444EVAL1Zシリーズ評価ボードを代表例として、これらは100Vハーフブリッジドライバの評価用に特別に設計されています。

堅牢なドライブ能力：3Aのソース電流と4Aのシンク電流を提供し、MOSFETの高速ターンオンとターンオフを可能にし、スイッチング損失を効果的に削減します。

統合設計：2つのオンボードNチャネルMOSFETを組み込み、完全なハーフブリッジパワーステージを形成し、テスト用の直接負荷接続（DCモータなど）を可能にします。

インテリジェントな制御と保護：

三相PWM入力（ISL78424/ISL78444）：単一の信号でハイサイドとローサイドの両方のドライバを同時に制御し、コントローラのインターフェースを簡素化します。

プログラム可能なデッドタイム：単一の抵抗器（35ns〜400ns）を介して調整可能で、ハイサイドとローサイド間の直接導通を防ぎ、システムの安全性を確保します。

広い動作範囲：8V〜18Vの電源電圧、ハイサイドドライバは最大70Vの電圧変動に耐え、動作温度は-40℃〜+140℃で、要求の厳しい産業および自動車の要件を満たしています。

2. 典型的なアプリケーションシナリオ

ブラシ付き/ブラシレスDC（BLDC）モータドライブ：ファン、ポンプ、ロボットジョイント用のドライブソリューションを提供します。

同期スイッチングレギュレータ：DC-DC電源のパワーステージ設計で使用されます。

産業用電源および自動化機器：高い信頼性から、工場自動制御システムに適しています。

II. 窒化ガリウム（GaN）FETドライバ評価ボード：効率と密度の境界を押し上げる

AI、急速充電、再生可能エネルギーシステムにおける高電力密度と効率に対する需要が急増しているため、ワイドバンドギャップ半導体GaNをベースとしたソリューションが最前線に立っています。RenesasのGaN評価ボードは、高電力変換におけるボトルネックに対処します。

1. コアモデルと機能分析

RTKA226110DE0010BU評価ボードは、RAA226110ゲートドライバと650V GaN E-HEMT（Enhanced High Electron Mobility Transistor）を統合した代表的な例です。

将来性のあるGaN統合：GaN Systemsのオンボード650V GaNデバイスは、スイッチング損失を最大50％削減し、従来のシリコンベースのMOSFETと比較して電力密度を3倍にします。

0Vシャットダウンは設計を簡素化：複雑な負電圧生成回路を排除する0Vシャットダウン電圧ソリューションを提供し、特に低〜中電力アプリケーションに適しており、設計を合理化します。

すぐに使えるハーフブリッジトポロジー：評価ボードは、絶縁電源とヒートシンクを含むすべての必要な回路を組み込み、高さわずか35mmで1Uシャーシ設計と互換性のある統合ハーフブリッジパワードライバボードを形成します。

卓越したデバイス性能：Renesasの第4世代SuperGaN®FET（TP65H030G4Pシリーズなど）と組み合わせ、30mΩの低オン抵抗と最適化された4Vスレッショルド電圧を備え、ノイズ耐性を確保しながら効率を向上させます。

2. 典型的なアプリケーションシナリオ

AIデータセンター電源：800Vアーキテクチャ内のトーテムポールPFCで使用され、ピーク効率99.2％を超え、電力密度120W/in³に達し、サーバーのエネルギー効率を向上させます。

EV急速充電ステーション：22kW以上の高出力充電をサポートします。高スイッチング周波数（>500kHz）と低損失特性を組み合わせることで、変圧器のサイズと熱管理コストを大幅に削減します。

PVストレージおよび通信電源：高効率ソーラーマイクロインバータおよび双方向DC-DCコンバータに適しており、全体的なエネルギーサイクル効率を向上させます。

III. 同期バックFETドライバ評価ボード：正確で効率的な電力管理

マルチチャネル、調整可能、高効率のバック変換を必要とするアプリケーション向けに、同期バックコントローラ評価ボードは、包括的な電力管理検証プラットフォームを提供します。

1. コアモデルと機能分析

ISL78264EVAL1ZおよびISL81601EVAL1Z評価ボードを例にとると、異なる性能の重点を示しています。

主な特徴を以下の表にまとめます。

ISL78264EVAL1Z評価ボード

コアコントローラISL78264デュアル同期バックコントローラ

入力電圧範囲3.75V〜42.0V

出力能力チャネル1：3.3V/5V固定または0.8-5V調整可能; チャネル2：0.8-32V調整可能

スイッチング周波数200kHz〜2MHzプログラム可能

コアの利点デュアル独立出力、優れた柔軟性、超低静止電流（チャネルあたり6μA）

典型的なアプリケーション車載ECU、インフォテインメントシステム、産業用制御

ISL81601EVAL1Z評価ボード

コアコントローラISL81601 60V高電圧同期バックコントローラ

入力電圧範囲9V〜60V

出力能力双方向動作をサポート; 出力電流能力は外部FETとインダクタに依存

スイッチング周波数100kHz〜600kHzでプログラム可能

コアの利点高入力電圧、双方向動作、統合された堅牢な保護機能

典型的なアプリケーション大電流アプリケーション、バッテリ駆動システム、通信機器電源

2. 設計上の利点

これらの評価ボードは、全体として優れた柔軟性と信頼性を提供します。

高効率モード：全負荷範囲で効率を最適化するために、強制PWMおよび軽負荷省電力モード（DEM、パルススキッピングなど）をサポートします。

包括的な保護機能：過電圧（OVP）、不足電圧（UVP）、過電流（OCP）、過熱（OTP）保護を統合し、安定したシステム動作を保証します。