会社ブログについて 獲得の記憶ICのMOSFETのトランジスター、IGBTモジュール、5G ICの新しいエネルギーIC

獲得の記憶ICのMOSFETのトランジスター、IGBTモジュール、5G ICの新しいエネルギーIC

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獲得の集積回路の破片MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G 2Gbitのフラッシュ-否定論履積の記憶IC

製品の説明
MT29F2G08ABAGAH4-AIT:Gは高性能、高持久力およびローパワー小さい形態要因適用にとって理想的である。

適用
IoT
自動車
埋め込まれた適用