会社ブログについて 獲得の記憶ICのセンサーICのマイクロ制御回路ICのトランシーバーICの携帯電話IC

獲得の記憶ICのセンサーICのマイクロ制御回路ICのトランシーバーICの携帯電話IC

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獲得の単一チャネルNSI6601MC-DSPRはゲートの運転者IC SOP8の集積回路の破片を隔離した

製品の説明
NSI6601MC-DSPRは多くの適用のIGBT、力MOSFETおよびSiC MOSFETを運転するために適した単一チャネルの分離のゲートの運転者である。別の出力はそれぞれ上がり、下る持続期間を制御するために提供される。
NSI6601MC-DSPRは5A/5Aのピーク源/流しの流れを提供でき高いdi/dtでmis伝導を防ぐためにミラーは締め金で止める。最低150kV/μs共通モード一時的な免除（CMTI）はシステムの強さを保障する。

特徴
単一チャネルの隔離された運転者
入れられた側面の供給電圧:3.1Vへの17V
運転者の側面の電源電圧:9Vおよび13V UVLOの選択両方の32Vまで、
版Mは5Aまで流れとのミラー クランプ機能（NSi6601M）を支える
5A/5Aのピーク源/流しの流れ
高いCMTI:150kV/μs
典型的な伝搬遅延:78ns
操作の周囲温度:-40℃~125℃

適用
隔離されたDC/DCおよびAC/DCの電源
高圧PFC
PVインバーター
モーター運転者および電気自動車充満
UPSおよび充電器