会社ブログについて 獲得のトランジスター、自動車IGBTモジュール、速い充満破片、マイクロ制御回路MCU

獲得のトランジスター、自動車IGBTモジュール、速い充満破片、マイクロ制御回路MCU

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獲得の集積回路の破片のN-Channel 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1の単一のトランジスター

製品の説明
IMW65R048M1HXKSA1は最新式の使い易さの最高にクラスの性能を組み込むことによってつくことおよび産業SMPSの適用にとって理想的である。

特徴
より高い流れの最大限に活用された転換の行動
代わり低いQmrの強く速いボディ ダイオード
優秀なゲートの酸化物のrelibility