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—— ニシカワ 日本 から
—— ルイス 合衆国 から
—— リチャード ドイツ から
—— マレーシア の ティム
—— ヴィンセント ロシア から
—— ニシカワ 日本 から
—— アメリカ から の サム
—— ドイツ の リナ
Acquisitions Transistors PMDXB600UNE Dual 2N-Channel Transistors XFDFN6
PMDXB600UNEの仕様
買収モデル | PMDXB600UNE |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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600mA
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Rds On (Max) @ Id、Vgs
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620ミリオーム@600mA、4.5V
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Vgs(th) (最大) @ Id
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950mV @ 250µA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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0.7nC @ 4.5V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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21.3pF @ 10V
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パワー - 最大
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380mW
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動作温度
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-55℃~150℃(TJ)
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取付タイプ
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表面実装
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パッケージ・ケース
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6-XFDFN露出パッド
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買収の種類
5G、新エネルギー、Internet of Things、Internet of Vehicles、自動車標準デバイス、基地局、通信、人工知能、無線周波数、家庭など、さまざまな分野で使用される幅広い一連のモジュールを購入します (これらに限定されません)。電化製品、サイリスタ、医療サービス、産業、Bluetooth 5.0、イーサネット、センサー、光モジュール、DC/DC、Wi-Fi、LPWA、GNSS、および IGBT。
特定のリサイクルプロセス