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会社ブログについて ADI HMC431LP4ETR GaAs InGaP HPT MMIC バッファーアンプを持つ電圧制御オシレーター

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ADI HMC431LP4ETR GaAs InGaP HPT MMIC バッファーアンプを持つ電圧制御オシレーター
最新の会社ニュース ADI HMC431LP4ETR GaAs InGaP HPT MMIC バッファーアンプを持つ電圧制御オシレーター

ADI HMC431LP4ETR GaAs InGaP HPT MMIC バッファーアンプを持つ電圧制御オシレーター

 

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,電子部品の世界有数の販売業者として,ADIの高性能RF製品の供給に特化したこの装置には,GaAs/InGaPヘテロジャンクション双極トランジスタ (HBT) 技術をベースとした単一マイクロ波集成回路 (MMIC) HMC431LP4ETR による電圧制御オシレーター (VCO) が含まれる..HMC431LP4ETRレゾナタ,ネガティブレジスタンス装置,ヴァラクターダイオード,バッファ増幅器を統合し,特に5,5-6,1 GHz帯の高周波アプリケーションのために設計されています.ワイヤレス通信で広く使用されています衛星通信や軍事電子機器の分野です

 

HMC431LP4ETR製品概要

HMC431LP4ETRは,高度なGaAs InGaP HBT (異極結合双極トランジスタ) MMIC技術を使用して製造された高性能電圧制御振動器である.HMC431LP4ETRには共鳴器が組み込まれています,負抵抗装置,ヴァラクターダイオード,およびバッファ増幅器をシングルチップ構造に組み,優れた相騒音性能と温度安定性を提供します.

 

RFおよびマイクロ波アプリケーションでは,VCO (電圧制御オシレーター) は周波数合成,モジュレーション/デモジュレーション,および信号生成のための重要なコンポーネントです.優れた性能パラメータとコンパクトなパッケージでC帯 (5.5~6.1 GHz) のアプリケーションに理想的な選択肢です.

 

機械の技術仕様HMC431LP4ETR

高性能VCOオシレーターとして,HMC431LP4ETRは複数の先進技術と革新的な設計を統合し,5.5~6の範囲内で例外的なRFパフォーマンスを提供することができます.1 GHz周波数帯HMC431LP4ETRは,ガリウムアルセニド/インディウムガリウムホスフィード (GaAs InGaP) ヘテロジャンクション双極トランジスタ (HBT) 技術を用い製造されています.この材料の組み合わせは高い電子移動性を提供します熱安定性があり,高周波,高電力用途に適しています.

 

基本性能パラメータHMC431LP4ETR

周波数帯:C帯通信アプリケーションのための主周波数帯をカバーする5.5 GHzから6.1 GHz

出力: 典型的な値は+2 dBmで,次の回路を動かすのに十分な信号強さを供給する.

フェーズノイズ: -102 dBc/Hz 100 kHzのオフセットで,信号の純度とシステム信号/ノイズ比を保証

供給電圧: 単一電源操作,動作範囲2.75Vから3.25V,典型的な値は3V

動作電流:典型値27mA (最大34mA),優れた消費電力性能

調節電圧範囲: 0VDCから10VDC,幅広い周波数制御能力を提供する

調節感度: 12MHz/V,周波数調整を精密に可能とする

 

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パッケージと構造的特徴

HMC431LP4ETRはQFN-24パッケージ (特に24VFQFN露出パッド) を使用し,寸法はわずか4x4ミリメートルで,無鉛表面マウントパッケージです.このパッケージは以下の利点があります:

 

コンパクトなデザイン: 16mm2 (4.1mm x 4.1mm x 1.0mm) のコンパクトなサイズはPCBスペースを節約し,高密度統合に適しています

優れた熱性能: 露出するパッド の 設計 は,熱 の 伝導 を 強化 し,装置 の 信頼性 を 向上 さ せる

費用対効果の高いソリューション: QFN パッケージは,伝統的な金属包装のVCOと比較して,システムコストを大幅に削減します

自動生産に適した: 表面マウント技術 (SMT) の互換性により大規模製造が容易になる

 

単石構造 (MMIC) はHMC431LP4ETRHMC431LP4ETRは,リゾナタを含むすべての重要な機能モジュールを統合しています.負抵抗装置この設計は,複数の利点があります:

 

信頼性の向上: 外部接続と部品数を減らす

安定性向上: 温度変動 (-40°C から +85°C),機械的衝撃,振動条件下で一貫した性能

簡素化設計: 外部共鳴器を必要とせず,周辺回路の複雑さを減らす

性能の最適化:オンチップの統合は,相騒音などの重要なパラメータを改善し,寄生虫の影響を最小限に抑える

 

典型的な応用分野HMC431LP4ETR

HMC431LP4ETRは,例外的な高周波性能と安定した出力特性により,複数のハイテク分野で広く適用されています.特別にC帯のために設計された電圧制御オシレーターとして (5.5.6.1 GHz) は,現代の無線通信,衛星システム,およびプロのRF機器において重要な役割を果たしています.

 

無線ローカルエリアネットワーク (WLAN) アプリケーション

HMC431LP4ETRは,802.11aおよびHyperLANなどの5GHz帯WLANシステムに理想的な選択です.これらのアプリケーションでは,VCOはRFフロントエンドのコアコンポーネントとして機能します.通信の品質とシステム全体の安定性に直接影響します:

 

アクセスポイント装置: 信頼性の高いデータ送信を確保するために,ベースステーションに安定したローカルオシレーター信号を提供する

クライアントデバイス:ラップトップやタブレットなどのモバイル端末で高周波信号生成を可能にする

メッシュネットワークノード: 高周波Wi-Fiメッシュネットワークの展開をサポートし,カバーを拡大

高性能ルーター: 802.11ac/ax などの高速プロトコルにおける信号純度の厳しい要件を満たす

 

VCOの -102 dBc/Hz 段階騒音特性は,隣接チャネルの干渉を軽減し,ネットワーク容量を増加させるため,高密度展開シナリオでは特に有利です.

 

衛星通信とVSATシステム

HMC431LP4ETRは,VSAT (Very Small Aperture Terminal) の無線機器で非常に良いパフォーマンスを発揮しています.衛星通信システムには,周波数源の安定性と相騒音に対する非常に高い要求がある.このVCOは以下の厳しい条件を完全に満たしています

 

遠隔地ステーション: 衛星上下リンクの安定した局所振動信号を提供する

海上通信システム: 船舶などのモバイルプラットフォームで信頼できる衛星接続を維持する

緊急 通信 設備: 災害 の 時 に 絶え間なく 重要な 通信 を 確保 する

軍事衛星端末:軍事通信機器の信頼性および環境適応性の要件を満たす

 

装置のモノリシック構造により,衛星アプリケーションで一般的な温度変動,機械ショック,振動に耐えることができ,長期にわたる安定した動作を保証します.

 

ポイント対ポイントマイクロ波通信

HMC431LP4ETRは,UNII (国家情報インフラストラクチャ) 周波数帯および点対点マイクロ波無線システムに適しています.これらのシステムは,通常,以下に使用されます.

 

都市型無線ネットワーク:高速データリンクを迅速に展開するために光ファイバーを置き換える

セルラー バックハール: 5G ネットワークの展開を支援するために基地の基地のコアネットワークに接続

企業専用ネットワーク:金融機関や大企業に安全で信頼性の高い専用接続を提供

遠隔モニタリングシステム: 油田や発電所などの産業シナリオにおけるモニタリングデータの送信

 

VCOの広い調節範囲 (5.5〜6.1 GHz) と12 MHz/Vの調節感度により,異なる地域の周波数帯計画と要求に柔軟に対応できます.

 

他のプロフェッショナル RF アプリケーション

基本的応用分野に加えて,HMC431LP4ETRまた,様々なプロフェッショナル RF システムでも使用できます.

 

レーダーシステム: 短距離レーダーと運動検出のための周波数源として

試験・測定装置:スペクトル分析機,ネットワーク分析機等に高純度基準信号を供給する.

電子戦争システム: 軍事電子対抗装置における干渉信号を生成する

医療用RF機器: 高級医療画像処理装置や治療装置で使用される

パブの時間 : 2025-07-09 13:01:24 >> ニュースのリスト
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