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会社ブログについて ADI HMC441LC3BTR GaAs pHEMT MMIC 中程度の電源増幅器

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ADI HMC441LC3BTR GaAs pHEMT MMIC 中程度の電源増幅器
最新の会社ニュース ADI HMC441LC3BTR GaAs pHEMT MMIC 中程度の電源増幅器

ADIHMC441LC3BTRGaAs pHEMT MMIC 中等電源増幅器

 

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,世界的に有名な電子部品の販売業者として,ADIのHMC441LC3BTRガリウムアルセニードPHEMTMMIC中高功率アンプを供給しています.この高性能RFデバイスは 6GHzから18GHzの周波数帯で例外的な電気特性を示していますポイント・トゥ・ポイント・ラジオ・システム,VSAT・システム,軍事電子戦機器,その他の高級分野に広く応用されている.

 

製品概要と技術仕様HMC441LC3BTR:

HMC441LC3BTRは高効率のガリウムアルセニードPHEMT (偽形の高電子移動トランジスタ) MMIC (単片マイクロ波集成回路) 中高功率増幅器ですRoHS規格に準拠する鉛のない表面装着パッケージこのHMC441LC3BTR製品は,優れた性能指標と幅広いアプリケーション適応性のために RFアンプ分野では有名です.

 

包装については,HMC441LC3BTR 12VFCQFN (12ピンの暴露パッド4平面無鉛) のパッケージを採用し,コンパクトなサイズで3x3mmで,電子機器設計における小型化と高度な統合に向けた近代的な傾向に準拠しています.このパッケージは,効率的な熱管理のために優れた熱性能を提供するだけでなく,高容量表面マウント製造プロセスにも対応しています生産作業の流れを大幅に簡素化します.

 

基本的技術パラメータHMC441LC3BTRその中には:

動作周波数帯:C帯,X帯,Ku帯をカバーする6 GHzから18 GHz

増幅: 14 dB (典型),安定した信号増幅能力を提供する

飽和した出力: +21.5 dBm (約141 mW),中等出力アプリケーションシナリオに適しています.

電力効率 (PAE): 27% エネルギー効率で比較可能な製品より優れている

1dB圧縮点出力 (P1dB): 20dBm,十分に広い線形動作領域を確保する

騒音値: 4.5dB,電力増幅器で最低レベルの一つ

稼働電圧: 単一の5V電源,システムの電源設計を簡素化

動作電流: 115mA,合理的な電耗制御

 

設計上の大きな利点HMC441LC3BTR完全に統合された50オムマッチングネットワークです つまりエンジニアは複雑なインピーダンスのマッチング回路を設計したり 外部部品を使用したりする必要はありませんRFシステム設計プロセスを大幅に簡素化,開発の複雑さを軽減し,BOMコストを下げます.入力および出力ポートの両方はDCブロック設計を備えています.

 

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性能特性と設計上の利点HMC441LC3BTR:

ギャリウムアルセニド pHEMT 技術をベースにした 中程度の功率のアンプとして HMC441LC3BTR は RF 性能,統合,信頼性において 多様な利点を提供します高周波アプリケーションに理想的な選択肢となる.

 

ブロードバンド性能は,HMC441LC3BTR増幅器 6 GHz から 18 GHz の連続動作周波数帯は C 帯 (4-8 GHz), X 帯 (8-12 GHz), Ku 帯 (12-18 GHz) を含む複数の重要な RF 周波数帯をカバーする.このブロードバンド機能により,単一のデバイスは複数のアプリケーションのニーズを満たすことができますシステム設計における周波数帯の切り替えの複雑さを大幅に削減し,同時に材料管理と在庫コストを削減する.

 

電力性能については,HMC441LC3BTR+21.5dBmの飽和出力と20dBmの1dBの圧縮点出力,14dBの増幅と組み合わせて,優れた線形増幅ブロックまたはドライバとなっています.27%の電力追加効率 (PAE) は素晴らしい,つまり,より多くのDC電力が有用なRF出力に変換され,システムの熱消耗要件を削減します.この装置は,ガリウムアルセニドのPHEMT技術に基づいており,効率の面で重要な利点があります.周波数特性と温度安定性

 

HMC441LC3BTRのもう一つの重要な特徴は,システム統合の便利性です.完全に統合された50オッム入力/出力マッチングは,外部マッチングネットワーク設計の必要性をなくします.DCブロックされた入力/出力ポートはバイアス回路設計を簡素化します. 表面マウントパッケージ (SMT) は,現代のPCB組立プロセスと完全に互換性があります.これらの機能は,デバイスを"プラグアンドプレイ"RFソリューションにします.製品開発サイクルを大幅に短縮する.

 

信頼性の観点から言えば,ガリウムアルセニドPHEMT技術自体は高温での動作能力と優れた放射線耐性を有します.ADIの厳格な品質管理システムと組み合わせた確保する.HMC441LC3BTR厳格な環境でも 信頼性の高い動作です供給されたすべてのデバイスが本物で工場直送されていることを保証し,完全な品質の追跡性サービスを提供します..

 

典型的な応用分野HMC441LC3BTR:

ポイント対ポイントの無線通信システムでは,HMC441LC3BTRは,通常,中間周波数 (IF) または無線周波数 (RF) 帯のドライバーアンプとして使用される.幅広く帯域の特徴は,複数の周波数帯で動作するマイクロ波リンクシステムに特に適しています.優れた線性により,256QAMや1024QAMなどの高階調節信号の質の高い送信が保証される.14dBの利益は,伝送経路損失を効果的に補償する.システム全体の信号/ノイズ比を向上させる.

 

衛星通信システム,特にVSAT (Very Small Aperture Terminal) 機器は,このアンプのもう一つの重要な応用シナリオです.クー帯 (12-18 GHz) の衛星通信,HMC441LC3BTRは,アップコンバーター後のパワードライブステージまたはダウンリンクの低ノイズアンプの後の増幅ステージとして使用できます.安定した性能とコンパクトなパッケージは,特にスペースが限られたVSAT端末機器に適しています.

 

軍用電子システムには,HMC441LC3BTR電子戦争 (EW) と電子対抗 (ECM) 機器では,このアンプは干渉信号生成チェーンまたは受信機の前端で使用できます.幅広い周波数帯域の特性が多重な脅威周波数に対応できるようにしますガリウムアルセニード (GaAs) 技術の固有の放射線抵抗性により,厳しい電磁環境での信頼性が向上します.

 

さらに,HMC441LC3BTRミキサー用のローカルオシレーター (LO) ドライバとして使用するのに適しています.スーパーヘテロダイン受容器のアーキテクチャでは,ミキサーのLOポートを動かすには,良好な変換効率を確保するために十分な電力を必要とする.システム騒音性能を低下させないように低相騒音を要求する.アンプの高線性と中程度の電力レベルは,LOドライブに理想的な選択となります.

 

試験・測定装置では,HMC441LC3BTR信号源出力段階の補完増幅器として機能するか,受信チャンネルで必要な増幅を提供することができます.6 GHz から 18 GHz までの広い帯域幅のカバーにより,試験システムに必要なアンプの数が減少します.装置の設計を簡素化する

パブの時間 : 2025-07-04 13:43:31 >> ニュースのリスト
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