会社ブログについて ADI LTC4449IDCB 高速同期NチャンネルMOSFETドライバー

ADILTC4449IDCB チェックイン高速同期NチャネルMOSFETドライバ

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.電子部品の分野で豊富な経験と良き評判を持つ会社としてLTC4449IDCB チェックイン高速同期NチャネルMOSFETドライバで,高性能で信頼性の高いソリューションを供給します.

製品説明LTC4449IDCB チェックイン

LTC4449IDCBは,同期DC/DCコンバーターで2つのNチャンネルMOSFETを駆動するように設計された高周波ゲートドライバである.強力なレール・トゥ・レール・ドライバー機能により,ゲート容量が高いMOSFETのスイッチング損失が減少する.

LTC4449IDCBは,制御ICのシグナルスイッチにマッチする入力ロジックの別々の電源を備えています.入力信号が駆動されていない場合,LTC4449IDCBは外部のMOSFETの両方をオフにするシャットダウンモードを起動します入力ロジック信号は,内部にレベルシフトされ,地上から最大42Vで動作するブートストラップ供給源です.

LTC4449IDCBには,ドライバと論理電源の両方に低電圧ロックアウト回路があり,低電圧状態があるときに外部MOSFETをオフにする.MOSFETのクロスコンダクション電流による電源損失を防ぐために,適応性シートスルー保護機能も組み込まれています..

LTC4449IDCBは2mm × 3mm DFNパッケージで提供されています.

仕様LTC4449IDCB チェックイン

製品: MOSFETゲートドライバー

タイプ: 高い側,低い側

マウントスタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース: DFN-8

運転者数: 2 運転手

出力数: 2 生産量

出力電流: 4.5A

供給電圧 - Min: 4V

供給電圧 - マックス: 6.5V

昇る時間: 8 ns

秋の時間 7 ns

最低動作温度: - 40 °C

最大動作温度: + 125 °C

入力電圧 - マックス: 38V

稼働電流: 730 uA

特徴LTC4449IDCB チェックイン

4Vから6.5VのVCC稼働電圧

38V 最大入力電源電圧

適性 射撃 防止

鉄道間出力ドライバー

3.2A ピーク・プルアップ電流

4.5A ピーク・プルダウン電流

8ns TG Rise 運転時間 3000pF 負荷

7ns TG 落ちる時間 運転 3000pF 負荷

PWMコントローラとマッチする別々の供給

ドライブ デュアル N チャネル MOSFET

低電圧ロックアウト

低プロフィール (0.75mm) 2mm × 3mm DFN パッケージ

適用するLTC4449IDCB チェックイン

LTC4449IDCBの卓越した性能により,幅広いアプリケーションで使用できます. 高効率のバックまたはブースDC/DC変換機では,LTC4449IDCBは,強力なゲートドライブ機能と低スイッチ損失により,電力変換効率を大幅に向上させることができます.自動車電子機器の分野では,複雑な電気環境と電力供給の安定性に対する高い要求に直面し,LTC4449IDCBの高抵抗電圧自動車の電子システムの正常な動作を保証することができます. 産業自動化機器では,LTC4449IDCBの迅速な応答と高い信頼性が,電源の機器の高速切換と安定した出力ニーズを満たすことができます設備の効率と安定性を向上させる.

シナクロンバックコンバーターLTC4449IDCB チェックイン

3000pFを運転するLTC4449IDCB チェックイン