会社ブログについて ETTメモリチップ — SK hynix H5AN4G6NBJR-UHC DDR4 SDRAMメモリチップ

ミンジアダ・エレクトロニクスは 長期にわたり 安定した原型SKハイニックス供給を 提供していますH5AN4G6NBJR-UHCDDR4メモリチップ,高帯域幅アプリケーションのコアパワーを提供する.

主要製品:SKハイニックスH5AN4G6NBJR-UHCDDR4 SDRAM

H5AN4G6NBJR-UHCは SKハイニクスの高性能高帯域幅コンピューティングアプリケーション向けに設計された高級DDR4メモリソリューションです速度との間のバランスをとっていますデータセンター,ネットワーク,および産業制御システムなどの要求の高いアプリケーションの要求に応えるように特別に設計されています.

H5AN4G6NBJR-UHC製品概要

1基本仕様

モデル:H5AN4G6NBJR-UHC

ブランド:SK hynix

メモリタイプ: DDR4 SDRAM (シンクロンダイナミックランダムアクセスメモリ)

記憶容量: 4Gb (256M x 16-bit) 512MB のバイト容量に相当する

パッケージタイプ: FBGA-96, 表面に設置できるコンパクトパッケージ

動作電圧: 1.2V低電源設計,DDR4標準電圧仕様に対応する

データレート: PC2400仕様に対応し,最大データ転送速度は 2400 Mbps (等価クロック周波数 1200MHz) まで

時計周波数: 1600MHz,1866MHz,2133MHz,2400MHz,2666MHz,2933MHz,3200MHzを含む複数の標準周波数に対応する

動作温度:産業用温度範囲で,-40°Cから+95°C以上に対応する (詳細は使用環境によって異なります)

環境準拠:RoHS指令に準拠し,鉛のない環境に優しいパッケージング

2技術的特徴と利点

ダブルデータレート技術: DDR4アーキテクチャを使用して,時計の上下両端でデータを送信し,DDR3と比較して幅を大幅に向上させます.

高帯域幅性能: 2400 Mbps の速度で,データセンターサーバー,高級ネットワーク機器,グラフィック処理ユニットの厳格なメモリ帯域幅要求を効果的に満たす

低電源設計: 1.2Vコア電圧は,DDR3の1.5Vと比較して約20%の電力消費を削減し,モバイルデバイスのバッテリー寿命を延長し,サーバークラスターのエネルギー消費を低下させる.

高信頼性:SK hynixは,先進的な製造プロセスと厳格な品質管理を使用して,24/7連続動作環境でチップの安定性と耐久性を保証します.

強い温度適応性:自動車級の信頼性設計は,車内のインフォテインメントシステムやADASドメインコントローラなどの高温環境に適しています.

コンパクトなパッケージ: FBGA-96パッケージはPCBスペースを節約し,高密度マザーボードや超薄型デバイス設計に最適です.

チップ不足が常態である現代では 適切なパートナーを選ぶことが かつてないほど重要です 製品自体を超えた包括的な価値を 提供しています

1. 100%本物 追跡可能な品質: 我々は提供されたすべての SK hynixチップを保証 本物です,性能と信頼性が完全に標準に準拠することを保証し,完全な品質追跡性を保証する.

2長期的に安定した供給と即時利用可能性:H5AN4G6NBJR-UHCのような人気モデルを保有するだけでなく,すべてのストレージチップカテゴリーで広範な在庫を維持していますNOR Flashは,R&Dサンプル要求や緊急の大量注文の迅速な処理を可能にします.

3柔軟な取引を伴うワンストップサービス: 小批量サンプル (1枚から開始) から数百万単位の大量注文まで,様々な調達ニーズに対応しています.

いつでも連絡してください.

連絡先 チェンさん

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