シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.電子部品部門で30年近く経験を持つサプライヤーである.同社は,サムスンやSKハイニックスを含む複数のブランドのメモリーチップを供給している.以下は,その主要なメモリチップ製品への紹介です.
主要な製品ライン
1. サムソングメモリチップの全範囲
Mingjiada Electronicsは,DRAM,NAND Flash,UFS,HBM,eMCを含むすべてのカテゴリーを含むサムスンメモリチップを供給している.高性能ソリューションの最新世代まで:
1高性能HBMシリーズ
HBM3 Icebolt: KHBAC4A03D-MC1H (24GB容量,12層スタッキング,6.4 Gbps転送速度,総帯域幅819GB/s),AIトレーニング,高性能コンピューティング (HPC) 向けに特別に設計されたデータセンターの加速
HBM2Eフラッシュボルト: KHAA84901B-JC17,グラフィックコンピューティングおよびメタバースのアプリケーションのために高帯域幅と低レイテンシーを提供します.
2DDR SDRAMシリーズ
DDR4: K4A8G165WC-BCWE (8Gb容量,3200Mbps速度),サーバーやワークステーションに適しています. K4A4G045WE-BCRCはスマートフォンや産業制御システムに広く使用されています.
DDR3L: K4B4G0846E-BCMA (4Gb容量,1866Mbps速度,1.5V低電源) 自動車レベルの信頼性で検証され,自動車電子機器,医療機器および産業自動化に適しています
K4B4G1646E-BYMA: FBGA-96パッケージで4Gb DDR3L SDRAM,キャッシュとマルチタスクをサポート
3LPDDR低電源シリーズ
LPDDR5 uMCP: KM2L9001CM-B518とKM8L9001JA-B624 (128GB容量),LPDDR5 DRAMとUFS 3.1フラッシュメモリを統合.中高端スマートフォンおよびウェアラブル向けに設計された.高帯域幅と低電力消費のバランスを確保する
LPDDR4X:K3KL8L80EM-MGCVを含むモデル,IoT端末の厳格な電力消費要件を満たす
4UFS フラッシュメモリ
UFS31: KLUDG4UHYB-B0EP (128GB),旗艦モバイルデバイスと自動車ソリューションに適しています
UFS21: KLUBG4G1ZF-C0CQ (512GB),高性能モバイルデバイスと車載インフォテインメントシステムのための6Gbps帯域幅をサポートする
5. eMMC 埋め込みストレージ
エム・MC・51: KLMAG1JETD-B041 (128GB), スマートフォンやタブレットに広く導入され,迅速なシステム起動とスムーズなアプリケーション体験を可能にします
6NANDフラッシュ
V-NAND技術:K4F6E3S4HB-KHCL 組み込みストレージと自動車電子機器に適しています
2SKハイニックスメモリーチップ
ミンジアダ・エレクトロニクスは,SKハイニックス高性能メモリチップの長期安定供給を維持しており,主要製品には以下が含まれています.
1LPDDR4Xシリーズ
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR: 128GBの高容量で,動作電圧1.1Vで4266Mbpsのデータ転送速度をサポートする.-40°Cから+85°Cの広い温度範囲で信頼性の高い動作スマートフォン,タブレット,ラップトップ,サーバーに広く導入され,高速なデータ処理,低電力消費,優れた信頼性を提供します.
2企業および産業貯蔵
ミンジアダ・エレクトロニクスはまた,データセンター,企業向けSSD,自動車用電子機器向けにSKハイニクスの特殊メモリソリューションも供給している.高耐久性と安定性に対する厳しい要求を満たす.
3典型的な応用分野
• AI サーバーとデータセンター:HBM3,DDR4,エンタープライズ SSD
自動車用電子機器:AEC-Q認証に準拠する自動車級DDR3L,eMC,UFS
スマートフォンとモバイルデバイス:LPDDR5,UFS 3.15 メルチカム1
産業制御とIoT:SLC NAND,産業レベルのDDR,SPI NAND
• 医療機器と消費電子機器: 高信頼性DRAM,低消費力LPDDRシリーズ
4連絡してください
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