会社ブログについて 統合された運転者IC VQFN52が付いているICの破片LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET

統合された運転者IC VQFN52が付いているICの破片LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522R030RQSRの製品の説明
LMG3522R030RQSRは150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。調節可能なゲート ドライブ強さは20 V/nsからの積極的にEMIを制御し、切換えの性能を最大限に活用するのに使用することができる150 V/nsにスルー・レートの制御を可能にする。

LMG3522R030RQSRの指定

LMG3522R030RQSRの特徴

• 抵抗720Vのサージの間のハード切換え
• 20V/nsへの150V/nsは性能およびEMIの軽減の転換の最適化のためのスルー・レートを
• 統合された高精度のゲート バイアス電圧

LMG3522R030RQSRのPin構成

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。