明佳达電子ホットセール:Infineon NチャネルパワーMOSFETの購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。, OptiMOS™3 パワートランジスタ、100 V。
の購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。 製品説明
Infineon BSZ440N10NS3G NチャネルパワーMOSFETは、100 V定格のOptiMOS™3シリーズパワートランジスタです。 BSZ440N10NS3GはPG-TSDSON-8パッケージで提供され、コンパクトサイズ(3.3 × 3.3 × 1.1 mm)を特徴とし、高密度回路設計に最適です。 BSZ440N10NS3GはRoHSおよびAEC-Q101規格に準拠しており、産業用および車載用電子機器アプリケーションに適しています。
の購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。 製品の特徴
低オン抵抗:RDS(on)はわずか3.8 milliohms(標準)で、BSZ440N10NS3Gは電力損失を大幅に削減し、システム効率を向上させます。
高速スイッチング能力:BSZ440N10NS3Gは高周波動作シナリオをサポートし、最新の効率的な電力変換の要求に応えます。
高サージ電流能力:BSZ440N10NS3Gは、短期間のより大きな電流サージに損傷なく耐えることができます。
内蔵逆ダイオード:BSZ440N10NS3Gは、追加のコンポーネントの必要性を減らし、回路設計を簡素化します。
RoHS準拠:環境に優しく、グローバル市場アプリケーションに適しています。
パッケージタイプ:BSZ440N10NS3GはPG-TSDSON-8パッケージを使用しており、設置スペースを削減しながら、熱的および電気的性能を向上させています。
このの購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。は、次の優れた機能を備えています。
超低オン抵抗:RDS(on) = 3.8 mΩ @ Vgs = 10 V
高速スイッチング能力:Qg = 9.1 nC @ 10 V
高電流能力:Id = 18 A @ 25°C
広い動作温度範囲:-55°C~+150°C
内蔵逆ダイオード
主なパラメータ
の購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。の主なパラメータは次のとおりです。
ドレイン-ソース間電圧(VDS):100 V
連続ドレイン電流(Id):18A
パルスドレイン電流(Idp):660A
ゲート-ソース間電圧(Vgs):±20V
スレッショルド電圧(Vgs(th)):2.7V
入力容量(Ciss):640pF
代表的なアプリケーション
BSZ440N10NS3Gは、以下に広く使用されています。
スイッチング電源(SMPS)
DC-DCコンバータ
モータドライブ
バッテリ管理システム
産業用電源
明佳達電子は、の購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。が正規品であり、在庫があることを保証します。優れた性能パラメータと信頼性を備えたの購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。は、パワーエレクトロニクス設計に最適です。
BSZ440N10NS3Gの購入に関するお問い合わせは、最新の価格と在庫情報について明佳達電子までご連絡ください。連絡先情報:
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