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会社ブログについて Infineon CYEL18V2563-200BKXE 低消費電力 高帯域幅 擬似SRAMメモリ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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Infineon CYEL18V2563-200BKXE 低消費電力 高帯域幅 擬似SRAMメモリ
最新の会社ニュース Infineon CYEL18V2563-200BKXE 低消費電力 高帯域幅 擬似SRAMメモリ

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.は,インフィニオンを供給し,リサイクルしていますCYEL18V2563-200BKXE低電力で高帯域幅の 偽静的RAMです

 

私は...CYEL18V2563-200BKXE製品概要

CYEL18V2563-200BKXEは,インフィニオンがニュースペースの商業宇宙部門のために開発した256 Mbitの放射線硬化偽静的ランダムアクセスメモリ (pSRAM/HYPERRAM 2.0) で,高度な信頼性極端な運用条件; KS-3 製品ファミリーに属している.デバイスは,内部では高密度 DRAM ストレージアーキテクチャを使用し,外部ではシリアル SRAM インターフェースを提示している.DRAMの高容量メリットと SRAMのシンプルな制御特性を組み合わせる; Octal xSPI (八線SPI) DDR高速インターフェースと1.8V低電圧コアで装備され,高速帯域幅の3倍組み合わせを実現する.低電力消費と強力な放射線抵抗性 24ボール小型の FBGA パッケージ内特別に設計された低地球軌道 (LEO) 衛星のペイロード, 機内データ処理, 高信頼性の航空宇宙機器, 効果的にシステムのサイズ,重量,電力消費と総コスト (SWaP-C).

 

II についてCYEL18V2563-200BKXE主要な電気仕様

記憶容量: 256 Mbit

通信インターフェイス:オクトル xSPI (オクトル SPI,x8) DDRインターフェイス

時計速度: 200 MHz DDR,最大帯域幅は1.6 Gbps

稼働電圧:1.8V (1.7V) 2.0V

パッケージタイプ:PG-BGA-24 (24ボール FBGA, 6mm × 8mm),鉛のない Sn/Ag/Cu ボールプロセス,RoHS規格に準拠

動作温度: -40 °Cから +125 °Cの広い温度範囲

製造プロセス: 25nm DRAM プロセス

チップ選択構成: シングルチップ選択制御をサポートし,ハードウェアルーティングを簡素化

 

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III についてCYEL18V2563-200BKXE放射線耐性信頼性能力 (航空宇宙におけるコアメリット)

宇宙の宇宙線や電離放射線に耐えるように放射線硬化により設計され,LEO星座衛星の長期軌道操作の要件を満たす.

 

総電離量 (TID): 100 krad (Si),同じプラットフォーム上のFlashとFRAMメモリデバイスを上回る.

単行事ロックアップ (SEL): SEL抵抗> 58 LET (125°Cでの動作条件) で,宇宙環境における異常チップロックアップのリスクを軽減する.

標準化されたバッチ制御:単一バッチ日付コード (SLDC) をサポートし,最終的な電気試験で100%カバー合同証明書 (CoC) と放射性パッチの受付報告書を輸送とともに提供;

認証:AEC-Q100自動車信頼性認証に準拠し,高級軍用および極端な産業用アプリケーションに逆相容性があります.

 

IVCYEL18V2563-200BKXE低電力管理メカニズム

このチップは,複数のレベルのスマート電力管理モードを搭載し,衛星の内側にあるエネルギー制限システムに合わせたものです.

ハイブリッドスリープモード: 静的な電源消費を大幅に削減し,オプションのローカル・マレージ・セルフリフレッシュを保持する.

"深電源停止モード" 超低流出状態に入ります.

新しい分割式自己更新技術: 1/8, 1/4, 1/2 と全配列更新を含むさまざまな更新戦略をサポートします.メモリ空間全体を継続的にリフレッシュする必要性をなくし,スタンバイ電源消費を動的に削減する;

設定可能なドライブ強度: ソフトウェアで調整可能なI/O出力ドライブレベルで,信号の完整性と消費電力との間の柔軟なトレードオフが可能である.

 

V についてCYEL18V2563-200BKXEインターフェースとデータ送信の特徴

Octal xSPI 8チャネルDDRアーキテクチャで,従来の4ワイヤーSPIと比較して帯域幅が大幅に増加します.

双方向クロック同期送信;読み書きトランザクションは,線形およびラップされたバーストモードをサポートする.

16B,32B,64B,128Bを含む様々なバースト長さをサポートし,配置可能なハイブリッドバーストモードを備えています.

RWDS (読み/書きデータ選択) 信号で装備され,高速通信時のタイミング安定性を確保し,画像キャッシングに最適です.データストリームバッファリングとリアルタイム信号処理アプリケーション;

パラレル SRAMと比較して必要な制御ピンの数を大幅に削減し,オンボードプロセッサのI/Oリソースへの負担を軽減する低ピン数シリアルソリューションである.

 

標準的な応用シナリオCYEL18V2563-200BKXE

航空宇宙 ニュースペース (主要市場)

LEO (Low Earth Orbit) 衛星とCubeSatのペイロードのための高速データキャッシング

機内リモコンセンシング画像と通信ベースバンド信号の一時的な保存

衛星ミッションコンピュータと姿勢制御装置のための拡張メモリ

高級で信頼性の高い産業/航空宇宙

航空用テレメトリと制御機器および無人機のためのリアルタイムキャッシング

広温域テレメトリと制御システム; 高級ロボット用の内蔵コンピューティングメモリ

通信基地局の高度な信頼性の端データバッファリング

 

基本価値の概要CYEL18V2563-200BKXE製品

CYEL18V2563-200BKXEは 商業用宇宙市場における 高容量高速連載型放射線硬化 RAMのギャップを埋めますピンが少なく,PCBの足跡が小さい; 非揮発性メモリと比較して,より持続的な読み書き帯域幅を提供し,一時的なコンピューティングキャッシュに適しています.複数のレベルの電源管理と200MHzのDDR8ワイヤのxSPIインターフェースニュージェネレーションのキューブサットや衛星コンステレーションのペイロードの拡張可能なメモリソリューションになりました.

パブの時間 : 2026-07-23 15:25:21 >> ニュースのリスト
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コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

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