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インフィニオン F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V クールシックTM MOSFET Fore PACK Hブリッジモジュール

深?? 明治田電子株式会社インフィニオン F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiCTM MOSFET Fore PACK H-Bridge モジュールを新オリジナルパッケージで導入

F4-33MR12W1M1H-B76を紹介する

これは第一世代の1200V,33mΩのEasyPACKTM 1B CoolSiCTM MOSFET Fore PACK Hブリッジモジュールで,NTC温度センサーとPressFITクリップ技術が搭載されています.

特徴説明

高さ最大12mmの包装品

先進的な広帯域半導体材料 (WBG)

非常に低いモジュールの迷路誘導力

改良された第1世代のCoolSiCTM MOSFET

ゲート駆動の電圧範囲が大きい

ゲートソース電圧: +23Vと -10V

作業交差点温度 (Tvjop): 過負荷下で最大175°C

プレスFIT クリップピン

統合されたNTC温度センサー

利点

優れたモジュール効率

システムコスト上の利点

システム効率の向上

低温消耗要求

高周波を有効にする

電力密度の増加

応用分野

断続電源 (UPS)

エネルギー貯蔵システム

電気自動車の高速充電

太陽系ソリューション

会社ホーム:www.hkmjd.com について

パブの時間 : 2024-06-15 09:46:37 >> ニュースのリスト

連絡先の詳細

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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