会社ブログについて Infineon GS-065-014-6-L-MR CoolGaN™ トランジスタ：超高効率・高電力密度を実現する700V窒化ガリウムパワーデバイス

データセンター,高速充電アダプター,LED照明,スイッチング電源などのアプリケーションは エネルギー効率と電力の密度にますます厳しい要求をします伝統的なシリコンベースの電源装置は 徐々に性能限界に近づいていますインフィニオンのGS-065-014-6-L-MR CoolGaNTMトランジスタ 先進ガリウムナイトライド (GaN) 技術をベースに超高効率と信頼性を組み合わせた高電力スイッチングアプリケーションのソリューションを提供します.

電子部品のプロディストリビューターとして,明治田電子は,今,本物,在庫GS-065-014-6-L-MRトランジスタを迅速に配達することで 顧客が市場への出荷時間を加速します

GS-065-014-6-L-MR製品概要

についてGS-065-014-6-L-MRインフィニオンのCoolGaNTM 700V G4シリーズに属し,強化モード (Eモード) のGaN-on-Si電源トランジスタである.表面設置に適したコンパクトな5x6mm PDFNパッケージを備えています.高密度のPCB設計に最適化.

基本規格:

排気源電圧 (Vdss): 700V (一時電圧 850V)

連続流出電流 (Id): 15.2A (Tc=25°C)

オンレジスタンス (Rds ((オン)):典型的な95mΩ,最大138mΩ (@4A,6V)

ゲートチャージ (Qg): わずか2.7nC (@6V),非常に低い切り替え損失を可能にします.

入力容量 (Ciss): 85 pF (@400 V)

動作温度範囲: -55°Cから+150°C

主要な 技術 的 利点

1格段に低いゲートチャージと優れた業績 (FOM)

ゲート電荷はわずか2.7nCで,低電阻と組み合わせると,GS-065-014-6-L-MRは超低値のメリット (FOM) を提供します.これは高周波で効率的な動作を可能にします.トランスフォーマーやインダクタなどの受動部品のサイズを大幅に削減する超高電源密度を持つ電源設計を可能にします

2逆回復損失はゼロ

シリコンベースのMOSFETとは異なり,GaNトランジスタにはボディダイオードがないため,逆回復電荷はゼロである.この特徴は,ハードスイッチングトポロジー (トーテムポールPFCなど) で特に重要です.切換損失と電磁気干渉を大幅に削減し,システム全体の効率を向上させる.

3高周波スイッチング能力

この装置は1MHzを超えるスイッチング周波数をサポートします.制御可能な上昇と減少時間と組み合わせると,これは設計者が高周波アプリケーションで厳格なエネルギー効率基準 (80 PLUS タイタンなど) を容易に満たすことができます.

4底冷蔵パッケージ

PDFN 5x6 パッケージは,極低の熱耐性 (ケースと接点) を有する底冷却設計を特徴としています.高出力アプリケーションで効率的な熱消耗を保証し,システムの長期的信頼性を向上させる.

典型的な用途

上記の特徴により,GS-065-014-6-L-MR要求の高い高密度電源変換アプリケーションに適しています.

データセンターとサーバーの電源:電源モジュールの効率を向上させ,冷却コストを削減します.

USB-PD 急速充電アダプター:高出力でコンパクトな充電器設計を可能にします.

スイッチドモード電源 (SMPS):様々なAC-DCおよびDC-DCコンバーターのパフォーマンスを最適化します.

LED照明ドライバ: 非常に信頼性と長寿の常流駆動ソリューションを提供します.

ワイヤレス電源転送: 高周波共鳴トポロジーをサポートし,伝送効率を向上させる.

モータードライバー: 特定の産業用アプリケーションで効率的なパワー制御を可能にします.

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結論

インフィニオンGS-065-014-6-L-MR高効率,高電源密度,高電源密度,高電源密度,高電源密度,高電源密度高周波のスイッチ信頼されるパートナーとして 誠意を持って次の世代の電源設計で競争優位性を獲得するのに役立つ製品とプロフェッショナルサービス.

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