会社ブログについて インフィニオン IGBTモジュール FP50R12W2T7 EasyPIM™ 2B 1200V/50A 第7世代 TRENCHSTOP™ IGBT7 パワーモジュール

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.インフィニオン IGBT パワーモジュールの全範囲を供給する専門店です 現在,全新,正規のFP50R12W2T7モジュールを在庫しています.これは第7世代のTRENCHSTOPTM IGBT7技術を活用した3相入力直線PIM (パワー統合モジュール) です特殊にモーター駆動,補助インバーター,エアコンシステムなどの産業用アプリケーションのために設計されています. 超低飽和電圧低下,175°Cの過負荷能力,プレスFIT クリッピング技術.

FP50R12W2T7製品概要

についてFP50R12W2T7インフィニオンのEasyPIMTM 2B三相PIM (パワー統合モジュール) で,第7世代TRENCHSTOPTM IGBT7の溝ゲートフィールドストップ技術に基づいています.仕様:1200V/50A.IGBTを統合します.スピードダイオード工業用周波数変換,伺服システム,UPS,再生可能エネルギー機器用に設計され 低損失を伴う高重荷容量耐久性も高い

仕様

メーカー:インフィニオン

モデル:FP50R12W2T7(FP50R12W2T7_B11)

パッケージ:EasyPIMTM 2B (56.7×48mm)

電圧/電流:VCE=1200V,IC=50A (ピーク100A)

IGBT技術:TRENCHSTOPTM IGBT7 (7代目 トレンチゲート)

飽和電圧低下: VCE (sat) = 1.5V @ 25°C (低損失)

ダイオード:第7世代発射制御の高速ダイオード

動作温度: -40°C~+175°C (過負荷が高い)

断熱電圧: 2.5 kV AC / 1 分

組み込み:NTCサーミストール (温度センサー)

設置:PressFIT クリップピン,組み立てが簡単,信頼性が高い

FP50R12W2T7特徴

• 電気特性

- VCES = 1200V

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- トレンチゲート IGBT7

- 175°Cまでの過負荷操作

- 低VCEsat

• メカニカル 特性

- 低耐熱性Al2O3基板

- 溶接技術

- 高電力密度

- コンパクトなデザイン

- 2.5kV AC 1分隔離

FP50R12W2T7推奨される用途

• エアコン

• 補助インバーター

• モーター 駆動

パッケージ概要

についてFP50R12W2T7標準電源モジュールパッケージのInfineon EasyPIMTM 2Bに搭載され,以下の仕様があります.

パッケージの寸法 (L × W): 56.7 mm × 48 mm

高さ: 12mm

鉛型:プレスFIT (FP50R12W2T7_B11バージョン) または溶接電線 (FP50R12W2T7標準バージョン)

基板材料:Al2O3 アルミオキシドセラミック

設置方法: 表面マウント / 穴を通る対応

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連絡先:

連絡先:チェン氏

電話番号: +86 13410018555

メール: sales@hkmjd.com

ウェブサイト:https://www.integrated-ic.com/