会社ブログについて インフィニオン IMDQ75R008M1H 750V クールシックTM パワー MOSFET トランジスタ

株式会社インフィニオンIMDQ75R008M1H750VのCoolSiCTM電源MOSFETトランジスタで,システムの性能と信頼性が最適である高耐性SiCMOSFETです.

開発の主要な特徴と利点IMDQ75R008M1HシリコンカルビッドMOSFETモノチューブ:

• 高安定性750V技術このMOSFETは,InfineonのCoolSiCTM技術を活用し,安定した750Vの稼働電圧を提供します.
• クラス最高のRDS (オン) × Qfr:IMDQ75R008M1Hは,オン抵抗とゲート充電の産物としてクラス最高の性能を提供します.
• 優秀なローン×コスとローン×QGオンレジスタンスと出力電荷とゲート電荷の産物における優れた性能
• 低Css/Cissと高いVgsth:逆伝送容量が低く 限界電圧が高く
• 100%の雪崩テスト装置の高い信頼性を保証します.
• XTインターコネクト技術:インフィニオンのクラス最高の熱性能だ
• 最先端の最高冷却パッケージ:効率的な熱消耗を可能にします
• 優れたハードスイッチ効率:ハードスイッチのアプリケーションでは高効率を達成します
• 高周波のスイッチを有効にする:高周波で動作し システムサイズを小さくし 電力密度を高めます
• より高い信頼性:より高い信頼性と長寿を保証します
• 500V以上のバス電圧に耐える:高いバス電圧に耐えられる
• 頑丈で寄生虫の回転:寄生虫の回転に対して 強力な性能を提供します
• 単極駆動:駆動回路の設計を簡素化します
• クラス最高の熱散:熱消耗の性能が優れている

応用分野IMDQ75R008M1H固体リレー (SSR),単相弦変圧器のソリューション,通信インフラストラクチャのAC-DC電源変換,エネルギー貯蔵システム,電気自動車の充電,サーバーの電源このシリコンカービッドMOSFET単管は,エネルギー効率の良い機能と最適な信頼性により,さまざまな要求の高いパワー電子機器アプリケーションで重要な役割を果たします.

IMDQ75R008M1Hパラメーター:

• ID (@25°C) マックス: 173 A
• 最低および最大動作温度: -55 °C 175 °C
• パッケージ:Q-DPAK
• 極性: N
• 承認:産業用
• RDS (オン) (@ Tj = 25°C): 7.8 mΩ
• 技術:CoolSiCTM G1
• 最大VDS: 750V

会社のURL:https://www.integrated-ic.com/

よくある質問
Q. あなたの製品はオリジナルですか?
A: はい,すべての製品はオリジナル,新しいオリジナルの輸入は私たちの目的です.
Q:どんな証明書を持っていますか?
A: 私たちはISO 9001:2015認定企業で ERAIのメンバーです.
Q:少量注文やサンプルをサポートできますか? サンプルは無料ですか?
A:はい,私たちはサンプルオーダーと小規模なオーダーをサポートします.サンプルコストは,あなたの注文またはプロジェクトによって異なります.
Q:私の注文をどのように送りますか?安全ですか?
A:我々は,DHL,Fedex,UPS,TNT,EMSなどの船にエクスプレスを使用します.我々はまた,あなたの提案されたスポンダーを使用することができます.商品は,良い梱包で安全を確保し,我々はあなたの注文に製品ダメージに対して責任を負います..
Q:リードタイムはどうですか?
A:我々は5日以内にストックパーツを輸送することができます. ストックがない場合は,私たちはあなたの注文量に基づいてあなたのためのリード時間を確認します.