会社ブログについて Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ NチャネルパワーMOSFETトランジスタ

Infineon IPD70R600P7S 700V CoolMOS™ NチャネルパワーMOSFETトランジスタ

深セン明佳達電子有限公司は、専門の電子部品サプライヤーとして、純正のIPD70R600P7SパワーMOSFETを提供しています。

このIPD70R600P7S 700V CoolMOS™ P7パワーMOSFETは、スーパー・ジャンクション技術を利用したNチャネルトランジスタであり、優れたスイッチング性能と最適化されたシステムコストを提供し、家電製品や産業用途における効率的な電力変換に理想的な選択肢です。

IPD70R600P7Sは、CoolMOSシリーズの低損失特性を継承するだけでなく、使いやすさとシステム統合においても大きな進歩を遂げ、充電器、アダプター、照明システムなどのアプリケーションに優れたソリューションを提供します。

【IPD70R600P7S 製品概要】

Infineon CoolMOS™ P7シリーズは、高電圧パワーMOSFET技術における大きな進歩を表しています。Infineonが先駆けて開発したスーパー・ジャンクション技術を利用し、このシリーズは、家電市場内のコスト重視のアプリケーション向けに特別に最適化されています。

このシリーズの700VデバイスであるIPD70R600P7Sは、コスト効率と使いやすさの優れたバランスを実現しています。

このIPD70R600P7S 700V CoolMOS P7プラットフォームは、携帯電話の充電器、電源アダプター、LED照明、テレビの電源などのコスト重視のアプリケーションをターゲットとしています。

これらのアプリケーションは、高いスイッチング周波数で動作しながら、低い温度上昇と高い信頼性を維持できる電力変換デバイスを必要とします。

CoolMOS P7技術は最高の効率基準を達成し、高電力密度設計をサポートして、エンジニアがより薄く、よりコンパクトな電力ソリューションを実現するのに役立ちます。

【IPD70R600P7S 主要パラメータと電気的特性】

IPD70R600P7Sは、その競合製品とは一線を画すいくつかの印象的な電気的特性を誇っています。

TO-252パッケージに収められたIPD70R600P7Sは、PCBスペースを最小限に抑え、高密度回路基板設計に適しています。

電圧と電流定格：ドレイン-ソース間電圧（Vdss）は最大700V、連続ドレイン電流（Id）は8.5Aで、多様な高電圧アプリケーション環境に対応します。

オン抵抗：10Vゲート-ソース間電圧、1.8Aの試験条件下で、オン抵抗（RDS(on)）はわずか600mΩであり、導通損失を効果的に削減します。

ゲート電荷特性：3.7 nCのゲート電荷（Qg）は、低いオン抵抗と組み合わされ、スイッチング性能と導通損失の最適なバランスを実現します。

動作温度範囲：-40℃～+150℃の広い動作温度範囲により、多様な過酷な環境下での安定したデバイス動作が保証されます。

このIPD70R600P7S MOSFETは、ゲート-ソース間電圧（Vgs）範囲が±16Vであり、十分なドライブマージンを提供します。また、内蔵ESD保護ダイオードも組み込まれており、システムの信頼性と製造歩留まりを向上させています。

【IPD70R600P7S 構造的特徴と技術革新】

IPD70R600P7Sは、Infineonの第7世代CoolMOS™技術を採用し、従来のMOSFETの性能制限を克服するためにスーパー・ジャンクション構造を利用しています。

スーパー・ジャンクション技術は、ドリフト領域内にインターリーブされたp型およびn型ピラーを導入することにより、高いドーピング濃度と低いオン抵抗を実現し、高い耐圧を維持します。

前世代と比較して、P7シリーズは、入念に最適化されたデバイスパラメータを備えています。EossとQgは50％以上削減され、CissとCossも低減されています。

この最適化により、スイッチング損失が大幅に削減され、高周波スイッチングアプリケーションでの優れた性能が可能になります。

IPD70R600P7Sはさらに、静電放電（ESD）保護用のツェナーダイオードを統合しており、ESD耐性は2kVを超えています。これにより、製造中のESD関連の故障が大幅に減少し、製造歩留まりが向上します。

【IPD70R600P7S 性能上の利点】

超高エネルギー効率

非常に低いオン抵抗とゲート電荷の恩恵を受け、IPD70R600P7Sは超低損失を実現し、Energy StarやEU Ecodesign Directiveなどの世界で最も厳しいエネルギー効率基準を満たしています。

優れた熱性能

43.1Wの消費電力と優れた熱特性により、IPD70R600P7Sは高温環境での連続動作を可能にし、熱要件を削減し、熱管理設計を簡素化します。

高電力密度

高速スイッチング能力と低損失特性により、電源設計はより高いスイッチング周波数で動作し、トランスやフィルタなどの受動部品のサイズを大幅に削減できます。

システムコストの最適化

その優れた性能にもかかわらず、CoolMOS P7シリーズは競争力のあるコスト構造を維持しています。周辺部品と熱管理コストを削減することにより、全体的なシステムBOM支出を削減します。

【IPD70R600P7S 典型的なアプリケーションシナリオ】

IPD70R600P7Sは、多様な電力変換シナリオに適しており、特にフライバックトポロジーで優れた性能を発揮します。

充電器とアダプター

IPD70R600P7Sは、スマートフォン充電器やラップトップ電源アダプターなどの消費者向け電力製品に最適です。その高いスイッチング周波数により、よりコンパクトで合理化された設計が可能になります。

LED照明ドライバ

LED TVバックライトドライバおよび汎用LED照明電源では、IPD70R600P7Sの高い効率と優れた熱性能により、長期的なシステムの信頼性が保証されます。

オーディオSMPS

IPD70R600P7Sは、プロ用オーディオ機器やホームオーディオシステムのスイッチング電源に適しており、その低ノイズ特性により、オーディオ信号の完全性が保証されます。

補助電源

このIPD70R600P7Sは、産業用電源内の補助電源回路に採用でき、制御回路と監視システムに安定した信頼性の高い電力を供給します。