会社ブログについて Infineon IPP60R180P7 高効率CoolMOS™ P7パワーMOSFETトランジスタ

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.は,インフィニオンを供給し,リサイクルしていますIPP60R180P7高効率のCoolMOSTM P7電源MOSFET

私は...IPP60R180P7製品概要

IPP60R180P7は,第7世代スーパージャンクションCoolMOSTM P7技術に基づいてインフィニオンによって開発された600V高電圧Nチャンネル電源MOSFETである.前世代のP6シリーズの改良後継機としてこの装置は,超高変換効率,優れた運用安定性,設計の統合の容易さとの間に完璧なバランスをとっています工業用高圧電源変換用コアパワー装置となるこのデバイスは,InfineonのCoolMOSTM技術の利点に基づいて,実証されたSuper Junction (SJ) プロセスアーキテクチャを使用しており,この技術は1998年以来繰り返し最適化されています.プロセス革新を通じて装置の強度と干渉に対する抵抗性を向上させながら,導電と切り替え損失を大幅に削減します.主流の電源トポロジーと完全に互換性があるハードスイッチと共鳴スイッチを含む.

についてIPP60R180P7TO-252の表面装着パッケージに設置され,コンパクトな足跡の利点が提供され,同時に熱管理性能と統合設計要件をバランスできます.JEDECの工業級認証基準を厳格に遵守複雑な産業条件下で長期にわたる安定した動作を保証し,消費電子機器を含む複数の部門における高電圧電源変換シナリオに広く適用されます,新しいエネルギーシステムのための工業機器と電源.

基礎技術構造についてIPP60R180P7

IPP60R180P7は,高電圧電源MOSFETの分野における画期的なプロセスソリューションであるCoolMOSTM P7第7世代の超接合技術を組み込み,伝統的なMOSFETと以前のP6シリーズに対する包括的なアップグレード装置の面積単位あたりのオン抵抗を大幅に削減する最適化された超接線垂直構造にあります.優秀なRDS (RDS) を達成する. 1 Ω·mm2未満の功績数これは,同じパッケージサイズ内で,より低い抵抗損失とより高い電源密度の両方を可能にします.

同時に,P7技術ではゲート充電特性も徹底的に最適化されています.P6シリーズと比較して,ゲート充電総量 (Qg) は30%削減されました.ミラー・プレートーに対応するゲート・ドレイン・チャージ (QGD) の重要な削減, 切換の移行時間を効果的に短縮し,切換駆動損失と交叉結合損失を源で削減します.この装置には組み込まれたゲートレジスタがあります.追加の外部ダムパーツの必要性を排除するこれは,スイッチ振動を効果的に抑制し,電磁気干渉を軽減し,周辺回路設計を簡素化し,ソリューション実装の効率を向上させます.さらにテクノロジーを最適化したボディダイオードは,特殊なコンミュテーション強度を提供し,トポロジーの切り替わりや急激な負荷変化時の装置の運用安定性を大幅に向上させます.

III. 電気装置の主要パラメータIPP60R180P7

IPP60R180P7は,正確なパラメータ調整のおかげで,中高電圧,小中電力の電源変換アプリケーションに適しています.そのコアノーマルパラメータと電気特性は次のとおりです.; すべてのパラメータは工業用標準化試験で検証された:

- 定位電圧 (VDS): 600 V; 消費者や一般産業用高電圧バスバー用に使用できます.電源の変動やピークパルスなどの障害に耐えるのに十分な電圧幅を持つ

- オン抵抗 (RDS(オン): 典型的な値は180mΩです.非常に低いオン抵抗は,静止状態の伝導損失を大幅に減少させます.装置の加熱を効率的に最小限に抑え,電源の変換効率を満載で向上させる

- 定数流出電流 (ID): 18A; 充実した電流容量で,全負荷と短期的な過負荷状態で動作する小中功率電源の要件を満たす

- ゲート充電特性: ゲート総充電量 (Qg) とゲート排出量 (QGD) が低く,COSSの貯蔵エネルギーは著しく減少する.軽量負荷や高周波操作条件下で切換効率を大幅に最適化する

- ESD保護等級: 電気静止放電は,Human Body Model (HBM) 試験で,電圧 > 2 kV に耐える優れた静電抵抗性を有し,生産中に静電損傷のリスクを効果的に軽減する組み立て,運用,保守

- 動作温度範囲: 標準的な工業用温度範囲で, -55°Cから150°Cの広い温度範囲で安定した動作が可能.厳しい産業環境や屋外環境に適しています

IV. 主要なパフォーマンスメリットIPP60R180P7

1非常低損失,高効率,あらゆる運用条件で省エネ

についてIPP60R180P7同時にオン抵抗と切り替え損失を最適化して,全負荷範囲で高効率の動作を達成します.低RDS (オン) 特性により,デバイスがオン状態にあるときの電源損失を大幅に削減します.過剰な熱発生と全負荷条件下での低効率の問題に対処するゲート充電と出力容量特性が最適化され,高周波スイッチ時の動的損失を大幅に削減する特に軽負荷条件下での変換効率を向上させ,電源のエネルギー効率の向上と低電力スタンバイモードの現在の業界の要求を完璧に満たす.同じ仕様の競合製品と比較して優れたRDS (RDS) が有効です. 品質因子は,同じ電源でデバイスのサイズを小さくし,小型化と高電源密度の設計を容易にする.

2. 強いトポロジー適応性,ハードとソフトスイッチの両方に適しています

この装置は,優れたコンミュテーション強度とボディダイオード耐える能力のおかげで,ハードスイッチトポロジーと共鳴ソフトスイッチトポロジーの両方に適しています.硬式スイッチ回路,PFCブーストおよびフライバック変換器など電気磁気干渉を減少させる. LLC共鳴変換機などのソフトスイッチトポロジーでは,カーソリーダイオードの優れたコンミュテーション性能は,逆復元失敗によるデバイス損傷を効果的に防止します単一のデバイスは複数の電源アーキテクチャに対応し,部品選択と在庫コストを削減します.

3高い耐久性があり,厳しい産業環境に適しています.

装置はJEDECの産業用グレードの完全認証を通過し 厳格な高低温サイクル,湿気熱,電圧急増テストを受けています運用条件に適した特殊な適応性を証明する. 2kVを超えるESD保護能力により,生産,組み立て,使用中に電気静止放電に効果的に耐えるため,製品の欠陥率を低下させる.組み込みゲートレジスタ設計は,追加のダッピングレジスタの必要性を排除周辺回路を簡素化するだけでなく,高周波スイッチ振動を効果的に抑制し,電磁気干渉とデバイスの電圧ストレスを減らす.システム全体のEMC性能と運用安定性を向上させる.

4迅速な大量生産のためのユーザーフレンドリーデザイン

CoolMOSTM P7シリーズは,高いパラメータ一貫性と障害耐性を提供し,使いやすさを最適化されています.ドライバーのパラメータの複雑な調整を必要とせずに最適な運用条件を実現するコンパクトなTO-252表面マウントパッケージはSMT自動化量産プロセスと互換性があり,熱性能とレイアウト柔軟性をバランスします.これは,電力供給ソリューションのR&Dサイクルを効果的に短縮し,大規模な大量生産の需要を満たします.

V. 典型的な応用シナリオIPP60R180P7

高効率性,安定性,そして多用途性という主要な利点を利用し,IPP60R180P7600Vの電圧レベルでの各種の中小電力高電圧電源変換アプリケーションに広く使用されています.主なアプリケーション分野は以下のとおりです.

- 消費電子機器の電源:高電力電源アダプター,ノートPCの充電器,スマート家電のスイッチモード電源,低消費電源に対応するテレビ電源モジュール消費品の小型化と高安定性要件

- 産業用電源設備:産業用SMPSスイッチモード電源,サーバー補助電源,電信インフラストラクチャのためのAC-DC変換電源48V 中電圧 IBC 電源システム連続で全負荷で産業用運転条件に適している

- 新しいエネルギーと軽量機器:軽型電気自動車の電源,太陽光マイクロインバーター,エネルギー貯蔵モジュールの補助電源,新型エネルギー機器の幅広い運用条件と高い信頼性の要件を満たす

- 照明および家電: 高功率LED産業用照明の電源と,掃除機などの高功率家電の電源エネルギー効率とコスト効率のバランス

VI. 報告書の概要IPP60R180P7製品

600V CoolMOSTM P7シリーズのフラッグシップデバイスとして,InfineonIPP60R180P7低損失,高い安定性,強力な互換性,設計の容易さにおいて包括的な突破を達成するために,第7世代の超接合プロセスの技術的優位性を活用します.前世代の製品と比較すると, 切り替えと駆動損失を大幅に削減し,トポロジーの適応性と運用強度を著しく改善します.インフィニオン CoolMOSTM シリーズの信頼性と品質が証明されたままこの装置は,電源設備の効率化,小型化,工業化への現在の傾向に完全に合致しています.中低電力の高電圧スイッチング電源アプリケーションの好ましい電源MOSFETです高圧MOSFETの伝統的なソリューションを大幅に置き換えることができ,端末のエネルギー効率を改善するのに役立ちます.コストを削減し,信頼性を向上させる.