Infineon は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 600Vハイサイドおよびローサイドゲートドライバ
深セン明佳達電子有限公司、 は、世界的に有名な電子部品の販売代理店として、 は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 を供給しています。これは、ハイサイドとローサイドの両方の電力スイッチングデバイスを同時に駆動できる高性能ハーフブリッジゲートドライバです。
IRS2181STRPBF は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 製品概要】
IRS2181STRPBFは、パワーMOSFETとIGBTを駆動するために特別に設計された8-SOICパッケージのハーフブリッジゲートドライバICです。このデバイスは、ハイサイドとローサイドの両方のドライブチャネルを統合し、最大600Vの電圧に耐えることができ、高電圧アプリケーションに非常に適しています。
10Vから20Vの電源電圧範囲内で動作する は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 は、それぞれ1.9Aと2.3Aのピークシンク/ソース電流能力を提供し、電力デバイスの高速スイッチングを可能にし、スイッチング損失を最小限に抑えます。
その非反転入力は制御インターフェース設計を簡素化し、180nsの標準遅延時間は効率的で正確な制御応答を保証します。
IRS2181STRPBFのもう1つの重要な属性は、-40℃から125℃(一部の仕様は150℃まで拡張)の広い温度範囲での安定した動作であり、要求の厳しい産業環境への適応を可能にします。
表面実装パッケージを採用しているため、IRS2181STRPBFは自動PCBアセンブリを容易にし、製造効率を向上させます。
IRS2181STRPBF は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 主な機能と性能パラメータ】
IRS2181STRPBFは、その製品カテゴリ内でそれを区別する複数の高度なテクノロジーを組み込んでいます。
3.3Vおよび5V CMOS/LSTTLレベルと互換性のある非反転入力ロジックをサポートする、独立したハイサイドおよびローサイドドライブチャネルを統合しています。
これにより、エンジニアは、追加のレベルシフト回路を必要とせずに、マイクロコントローラまたはデジタル信号プロセッサに直接接続できます。
ドライブ能力に関して、 は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 は、2.3Aの標準シンク電流と1.9Aのソース電流を提供します。これは、ドキュメントで強調されている仕様であり、高電力スイッチングデバイスの高速駆動を可能にし、スイッチング損失を最小限に抑えます。
その高いシンク電流能力は、意図しない導通を防ぎ、電力デバイスの迅速なターンオフも容易にします。
電圧サポートに関して、IRS2181STRPBFは最大600Vのハイサイド電圧で動作し、400V DCバスシステムに適しています。10Vから20Vの動作電圧範囲は、標準の12V/15Vドライバ電源との互換性を保証します。
高速な動的応答も は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 の重要な機能です。伝搬遅延は180nsで、立ち上がり時間と立ち下がり時間はそれぞれ40nsと20nsであり、デッドタイムを効果的に削減し、システム効率を向上させます。
このデバイスはまた、-40℃から125℃の範囲で動作する幅広い温度適応性を示し(一部のドキュメントでは最大接合温度が150℃と示されています)、過酷な環境での安定した性能を保証します。
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【 は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。 の内部構造と動作原理】
IRS2181STRPBFは、独立したハイサイドおよびローサイドドライブチャネルを組み込んだハーフブリッジドライバ構成を採用しています。ハイサイドは、ブートストラップ動作をサポートするフローティングチャネル設計を採用しています。
ブートストラップ回路は、ブートストラップコンデンサとダイオードを介してハイサイドドライブチャネルにフローティング電源を提供する、IRS2181STRPBFの重要な機能です。
ローサイドMOSFETが導通している場合、ブートストラップコンデンサが充電されます。ハイサイド導通中、コンデンサはハイサイドドライブ回路に電力を供給します。
IRS2181STRPBF は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。さらに、IRS2181STRPBFは、独自のHVICおよびラッチ耐性CMOSテクノロジーを採用し、モノリシック構造の堅牢性を高めています。その設計は、負の過渡電圧に対する耐性と優れたdV/dt耐性を示します。
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IRS2181STRPBF は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。電源管理システム:IRS2181STRPBFは、スイッチング電源、無停電電源装置(UPS)、および力率改善回路に適しており、電力変換効率と信頼性を向上させます。
モータドライブ回路:IRS2181STRPBFは、産業用モータ制御、家電モータドライブ、および電動工具で正確なモータ制御機能を提供します。
自動車エレクトロニクスシステム:
IRS2181STRPBF は、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)および電気自動車(EV)の充電システムに特に適しており、自動車エレクトロニクスの高い信頼性の要求を満たしています。産業用制御アプリケーション:IRS2181STRPBFは、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)、サーボドライブ、および産業用自動化機器の電力デバイスを駆動します。
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