会社ブログについて IPG20N04S4L-11 インフィニオン・ダブル・Nチャネル自動車級MOSFET,11.6mΩ超低オン抵抗

IPG20N04S4L-11自動車用2チャネルNチャネルMOSFET - 深?? 明治田エレクトロニクス株式会社

自動車電子機器と高効率の電源設計では,IPG20N04S4L-11エンジニアの好みの MOSFETです インフィニオンの2チャネルNチャネルですIPG20N04S4L-11は,高度なOptiMOS技術を使用して, 11 の極低オン抵抗 (RDS(オン)) を提供します..6mΩで,電力消費を大幅に削減し,システムの効率を向上させる.

製品説明IPG20N04S4L-11
IPG20N04S4L-11は,自動車エレクトロニクスおよび産業制御アプリケーション用に設計されたOptiMOSTM-T2ファミリーに属するインフィニオンのダブルNチャンネル増強電源MOSFETである.PG-TDSON-8-4パッケージ (5 x 6mm) で提供されています装置は非常に低いオン抵抗 (RDS(オン) = 11.6 mΩ) を有し,40Vの脱出源電圧 (VDS) と20Aの連続脱出電流 (ID) をサポートします.高効率の電源切換などの用途に適しているIPG20N04S4Lは,InfineonのOptiMOSTM-T2ファミリーの一部である,ダブルNチャンネル増強電源MOSFETです.自動車用電子機器および産業用制御用用に設計された.

IPG20N04S4L-11は AEC-Q101 認証に準拠しており, -55°Cから+175°Cの温度範囲で安定して動作します.自動車用電子機器の製造における高い信頼性の要求を満たすため,260°Cのピークリフロー溶接をサポートする.3 IPG20N04S4L-11は,自動車電子機器製造のニーズを満たすために設計されている.

主要な特徴IPG20N04S4L-11
ダブルNチャネルMOSFET:IPG20N04S4L-11はPCBスペースを節約するために2つの独立したMOSFETを統合しています.
超低オン抵抗: RDS (オン) = 11.6mΩ (典型) 電力損失を減らすため.
高電流容量:高電源スイッチ用の20A連続流出電流 (ID)
自動車用品の承認:IPG20N04S4L-11はAEC-Q101に対応し,MSL1 (260°Cのリフロー溶接) をサポートする.
低ゲート充電 (Qg):高周波PWM制御のためのスイッチ効率を最適化します.
100% アヴァランチテスト: 高電圧下でデバイスの信頼性を向上させる.
RoHS準拠:環境に優しい鉛のない設計

仕様
モデル:IPG20N04S4L-11
メーカー:インフィニオン
パッケージ:PG-TDSON-8-4 (5×6mm)
チャンネル数: 2 つ (Nチャンネル2つ)
排気源電圧 (VDS): 40V
連続流出電流 (ID): 20A
オン抵抗 (RDS(オン): 11.6mΩ (典型)
限界電圧 (VGS ((th)):1.7V
入力電容量 (Ciss): 1530pF (@25V VDS)
動作温度範囲: -55°C ~ +175°C
適合基準:AEC-Q101,RoHS

仕様 メインポイントIPG20N04S4L-11その中には:
Nチャネル設計:スペースを節約し,回路の配置を簡素化します.
40V 耐電圧: 12V/24V 自動車システムと産業用アプリケーションに適しています.
11.6mΩ超低RDS (オン) (VGS=10V):導電損失を軽減し,エネルギー効率を向上させる.
AEC-Q101 に準拠する: 自動車級の信頼性の厳しい要件を満たす.
最適化されたスイッチング性能:高速スイッチングと低電磁気干渉 (EMI) を組み合わせます.

IPG20N04S4L-11広く使用されているのは:
自動車用直流直流変換機
モーター駆動モジュール
バッテリー管理システム (BMS)
負荷スイッチと電源配送装置

現在,明治田は,よく知られた部品サプライヤーとして,継続的に安定して供給していますIPG20N04S4L-11顧客にオリジナルの本物製品と技術サポートを提供します

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