ミンジアダ・エレクトロニクスは使用済みインフィニオンを供給し購入していますIQE046N08LM5このデバイスは,通信およびデータセンターサーバーにおける高電力密度のDC-DCコンバーターアプリケーションのために特に最適化されています.詳細については,私達に連絡してください..
IQE046N08LM5製品概要
についてIQE046N08LM5インフィニオンのOptiMOSTM 5シリーズから80VのNチャネル論理レベル電源MOSFETで,革新的なPQFN 3.3×3.3ソースダウンパッケージを備えています.業界をリードする,25°Cで超低熱抵抗 (RDS(オン)) と異常な熱性能このデバイスは,特に電信およびデータセンターサーバーにおけるDC-DCコンバーターアプリケーションのために,高電力密度のスイッチング電源 (SMPS) 製品にとって理想的な選択です.
IQE046N08LM5主要な 技術 的 利点
革命 的 な ソース ダウン 技術
OptiMOSTM Source-Downは内部シリコン・フリップ・チップ技術を使用し,従来のパッケージに比べて重要な利点があります. より良い熱性能,より高い電力密度,デザインの柔軟性も向上しますこの設計により,チップの熱散路が短くなり,熱抵抗が低下し,システムの信頼性が向上します.
超低電阻
IQE046N08LM5は,VGS=10Vで最大オン抵抗 (RDS(オン)) がわずか4.6mΩで,同様の技術を使用する製品と比較して約30%削減を意味します.低電圧抵抗は 導電損失を減らし 熱発生を減少させます電力変換効率を直接向上させる.
ロジックレベルドライブ
このデバイスは論理レベルドライブをサポートし,ゲートドライバの電圧を下げる (4.5Vドライブと互換性) を可能にし,ゲートドライバの選択と設計を簡素化しながらゲートチャージQrrとQOSSを削減します..
オプティマイズされた並列配置
このデバイスは,センターゲートパッケージデザインを備えており,複数のMOSFETの並行操作に特化したもので,並行構成を簡素化し,現在の共有を改善するのに役立ちます.
IQE046N08LM5キーパラメータ
排気源電圧 (VDS): 80 V
連続流出電流 (ID @25°C): 99 A
最大排出電流 (IDpuls): 396 A
オン抵抗 RDS (オン) (@10V,最大): 4.6 mΩ
オン抵抗 RDS (オン) (@4.5V,最大): 5.9 mΩ
ゲート充電 Qg (典型的には10V): 38 nC
ゲートチャージ Qg (@4.5V): 19 nC
電力消耗 (Ptot): 100 W
動作温度範囲: -55°Cから+175°C
パッケージタイプ:PQFN 3.3×3.3 ソースダウン
IQE046N08LM5主要な用途
電信およびサーバーDC-DC変換機
IQE046N08LM5は,高性能SMPS製品向けに特別に設計され,通信機器およびデータセンターサーバーのDC-DC変換モジュールにおけるコアパワーデバイスとして機能する.AI サーバーとデータセンターの電力需要の継続的な増加 (AI サーバーの電力供給の複合年成長率は18%に達).8%) のように,高効率で高電力密度のMOSFETの必要性が急増しています.
同期修正
この装置は,高性能SMPSにおける同期直線アプリケーションに最適化されている.低電源抵抗と低ゲート充電は,効果的に直線損失を削減し,全体の電源効率を改善することができます.
なぜ ミンジヤダ を 選ん だ の か
深?? ミンジヤダ電子株式会社 は,長年,電力半導体装置の供給とリサイクルに特化した. IQE046N08LM5のために,我々は提供します:
新品,本物:製品の品質と追跡性を確保する
長期にわたる安定した供給: 卸売と緊急の補給需要を満たす
専門的なリサイクルサービス IQE046N08LM5の長期リサイクルと 工場,研究機関,および最終顧客のための類似の電源装置を提供しています柔軟な在庫管理ソリューションを提供
結論
OptiMOSTM 5技術と革新的なソースダウンパッケージングにより,インフィニオン IQE046N08LM5は80V電源MOSFET部門で新しいパフォーマンス基準を設定しました.通信用DC-DC変換器やサーバー電源モジュールで使用されるものより高い電力密度,より低いシステム損失,そして最適化された熱設計を達成するのに役立ちます
ミンジアダ・エレクトロニクスは高品質のサプライチェーンサービスを通じて この高性能の電源装置を迅速に入手するために 顧客を支援しています供給とリサイクルに関する質問については,電話または電子メールで私たちと連絡してください..
コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager
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