会社ブログについて MACOM RF トランジスタの在庫: Mingjiada Electronics は 5G および航空宇宙の高出力アプリケーションをサポート

今日の急速に進化する無線通信,航空宇宙,防衛分野では,RF電源トランジスタの選択がシステムの性能と信頼性を直接決定します.高性能のアナログ半導体ソリューションの世界有数のプロバイダーとして高周波,高電力の課題に取り組むエンジニアのブランドになりました. 幅広いRFトランジスタ製品ライン (GaN HEMT,LDMOS,シリコンベースの双極トランジスタ).

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.電子部品のプロディストリビューターとして,現在MACOMの全範囲の正規RF電源トランジスタとMMIC製品の長期供給を提供しています.強力なサプライチェーンネットワークを活用通信基地局,レーダーシステム,産業機器,医療機器の オーダー・フィールメントサービスです

MACOM RF トランジスタのコアアプリケーションシナリオ

MACOM RFトランジスタは,特定の周波数,電力,効率要件に応じて,主に以下の厳しいシナリオで使用される.

1航空宇宙・防衛 (A&D) レーダーシステム

MACOMは,この分野における主要なサプライヤーである.その高度に信頼性の高いGaN-on-SiCHEMTおよびシリコンベースのLDMOSデバイスは,パルスレーダーおよび電子戦争システムに広く使用されています.

典型的なモデルと性能:CGHV14500は,500WのGaNHEMTで,特に0.5〜1.8GHzのレーダーシステムに設計されている. MAPR-001214-380M00は,最大出力380Wの1.2〜1.4GHzのパルスパワーバイポールトランジスタである.航空電子機器用MRF157 (580MHz,600W) は非常に高い増幅と耐久性を提供します.

2放送とISM (産業,科学,医療)

MACOMのブロードバンドMOSFETは,FM放送送信機と産業用RF加熱アプリケーションで優れた性能を提供します.

クラシック・ソリューション:MRF151Dは150W,50VのNチャンネルブロードバンドMOSFETで,175MHzまでの周波数で設計されており,典型的な加速度は18dB (30MHzで) です.FMラジオとテレビチャンネルのための固体トランスミッター設計に最適化同シリーズのMRF175GVは,出力200Wを提供し,プッシュ・プル回路設計をサポートし,225MHzまでの周波数で動作します.

3ワイヤレスインフラと5G通信

5Gネットワークの普及により,MACOMは大規模なMIMOと小型セルに最適化されたエネルギー効率の高いトランジスタを導入しました.

最先端技術MACOMは,高性能とコスト効率を組み合わせるソリューションを提供するために,GaN-on-Si (ガリウムナイトリドのシリコン) 技術を活用しています.NPT25100Pは 2 つの電源をカバーする HEMT トランジスタです.1〜2.7GHz帯域で,電源は約90Wで,ワイヤレス通信およびベースステーション用途に適しています.GTVA262701FA-V2のようなデバイスは 2496~2690 MHz 周波数帯に最適化されています高密度のセルラーパワーアンプのために 270Wのパルス出力を提供します.

MACOMの技術上の利点の分析

Mingjiada Electronicsが販売する MACOM RFトランジスタは,厳しい環境でも安定した動作を保証する以下の顕著な技術特性があります.

幅広い帯域幅と高利益:多くのデバイス (MRF151Dなど) は,2MHzから175MHzまでの広い帯域幅で13dB以上の利益を維持します.増幅器の段階数を減らして設計を簡素化.

高耐久性および信頼性:すべての製品は100%の耐久性試験を受け,熱性キャリアに対する耐性を向上させ,デバイスの寿命を延長するために,ナイトリド-パシビテーション型型加工を使用します.

複数の半導体技術オプション: 従来のシリコン双極型 (MRF429シリーズ),LDMOS (PTVAシリーズ) または高性能GaN HEMTが必要かどうかMACOM は,さまざまなコストとパフォーマンス要件に適合するオプションを提供しています..

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