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会社ブログについて 明佳达电子寻求以溢价收购英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET G2,以支持 AI 服务器

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明佳达电子寻求以溢价收购英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET G2,以支持 AI 服务器
最新の会社ニュース 明佳达电子寻求以溢价收购英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET G2,以支持 AI 服务器

Infineonの第2世代750V CoolSiC™ MOSFET G2がAIサーバーに電力を供給、明佳達電子はプレミアム価格での以下のモデルの購入を希望

 

はじめに:AIコンピューティングパワーの爆発的な増加に伴い、パワー半導体には新たな機会が生まれています

大規模人工知能モデルの急速なイテレーションとデータセンター内のコンピューティングパワー需要の指数関数的な成長に牽引され、AIサーバーの消費電力は急増しています。単一AIサーバーの出力電力は、従来の数百ワットから数キロワット、あるいはそれ以上に跳ね上がり、サーバー電源の電力密度、変換効率、熱管理能力に前例のない課題を突きつけています。

 

業界をリードする炭化ケイ素(SiC)トレンチ技術を採用したInfineonの第2世代750V CoolSiC™ MOSFET G2シリーズは、AIサーバー電源に高性能なパワー半導体ソリューションを提供します。電子部品の専門販売代理店である深圳明佳達電子有限公司は、長年にわたり、このシリーズのオリジナル工場在庫を世界中からプレミアム価格で積極的に調達し、AIサーバー産業チェーンに信頼性の高い部品サプライチェーンサポートを提供しています。

 

I. CoolSiC™ MOSFET G2:AIサーバー向けに最適化された第2世代SiC技術

Infineonの第2世代750V CoolSiC™ MOSFETは、20年以上にわたる炭化ケイ素技術の専門知識に基づいて構築されており、オン抵抗、スイッチング損失、熱性能、信頼性の点で、前世代のG1と比較して大幅な改善を実現しています。

 

主な利点

1. 超低オン抵抗(RDS(on))

CoolSiC™ MOSFET 750V G2は、最大4mΩの超低オン抵抗を提供し、導通損失を大幅に削減し、電力変換効率を向上させます。業界をリードするRDS(on) × Qfrおよび優れたRDS(on) × Qoss性能により、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーの両方でスイッチング損失を効果的に低減します。

2. 優れたスイッチング性能

前世代と比較して、第2世代CoolSiC™ MOSFETはスイッチング速度が25%~30%向上し、スイッチング損失が30%~40%削減されています。性能指標(FOM)は、前世代と比較して20%~35%向上しています。

3. 優れた寄生ターンオン耐性

このシリーズは、高い閾値電圧VGS(th)(通常25℃で4.5V)と超低QGD/QGS比を組み合わせることで、寄生ターンオン(PTO)に対する耐性を高め、複雑な動作条件下での信頼性の高い動作を保証します。

4. 拡張されたゲート駆動能力

最大-7Vの静的ゲート電圧と最大-11Vの一時的なゲート電圧をサポートし、エンジニアに設計マージンを拡大します。

5. 優れた熱性能

革新的なトップ冷却Q-DPAKパッケージを採用し、優れた熱性能と信頼性を提供し、最大約20Wの電力放散能力を備えています。強化された熱性能は、最大200℃の動作温度をサポートします。

6. 高い信頼性保証

100%アバランシェテスト

AEC Q101自動車規格およびJEDEC産業規格に完全準拠

Infineon独自の.XT拡散接合技術を採用

 

主な技術仕様

ドレイン-ソース間降伏電圧:750V

オン抵抗範囲:4mΩ~78mΩ

連続ドレイン電流:29A~357A

閾値電圧(代表値):25℃で4.5V

動作温度範囲:-55℃~175℃

 

II. AIサーバーの強化:高電力密度電源に最適

AIサーバー電源(SMPS)は、電力密度と効率に極めて高い要求を課します。第2世代750V CoolSiC™ MOSFET G2は、トーテムポール、アクティブニュートラルポイントクランプ(ANPC)、ウィーン整流器、フライアクロスコンデンサ(FCC)などのハードスイッチングトポロジーで優れた性能を発揮します。一方、出力容量(Coss)の大幅な低減により、CLLC、ダブルアクティブブリッジ(DAB)、LLCなどのソフトスイッチングトポロジーでの高周波スイッチング動作が可能になります。

 

このシリーズは以下に広く使用されています:

AIサーバー電源ユニット(PSU)

通信インフラのAC-DC電力変換

太陽光発電インバーター

電気自動車充電インフラ

無停電電源装置(UPS)システム

エネルギー貯蔵システム(ESS)

 

III. 明佳達電子はプレミアム価格での購入を希望:CoolSiC™ MOSFET G2 750Vモデル全般

深圳明佳達電子有限公司は、世界的に有名な認定独立系電子部品販売代理店として、Infineonの第2世代750V CoolSiC™ MOSFET G2シリーズのオリジナル在庫を、世界中から長期にわたりプレミアム価格で購入することを希望しています。

 

希望購入モデルリスト

明佳達電子は現在、以下の産業用グレードおよび自動車用グレードのCoolSiC™ MOSFET G2 750Vモデルを世界中で購入することを希望しています:

自動車用グレードQ-DPAKパッケージ:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

産業用グレードQ-DPAKパッケージ:

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H

 

さらに拡張されたモデル

さらに、Infineon CoolSiC™ MOSFET 750V G2シリーズは、D2PAK 7ピンパッケージの製品も提供しており、オン抵抗は7、25、33、40、50~60mΩの範囲で、Q-DPAKパッケージは4、7、20、33、40、50mΩをカバーしています。関連モデルには、以下が含まれますが、これらに限定されません:

IMBG75R025M2H(D2PAK-7、25mΩ、産業用グレード)

IMBG75R007M2H(D2PAK-7、7mΩ)

 

明佳達電子はまた、上記の製品全般に加え、パワーモジュールや炭化ケイ素ダイオードなどの他のInfineon CoolSiC™製品シリーズも長期にわたり購入を希望しています。

 

結論

Infineonの第2世代750V CoolSiC™ MOSFET G2は、その優れた性能により、AIサーバー電源、電気自動車充電、再生可能エネルギーなどの分野でコアパワーデバイスとなっています。明佳達電子は、世界中のサプライヤーから上記のモデル全般を競争力のある価格で購入することを常に希望しており、在庫をお持ちのお客様は、いつでもお気軽にお問い合わせください。

 

お問い合わせ

電話:+86 13410018555

メール:sales@hkmjd.com

住所:中国深圳市福田区振中路国利大厦1239~1241室

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