会社ブログについて 明佳达电子 供应 SIR626 – Vishay 60V/186A N沟道 TrenchFET® Gen IV 功率MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. は NチャネルパワーMOSFET | 純正在庫サプライヤー

 製品概要

電子部品の在庫供給を専門とするShenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. は、長年にわたり純正のSIR626 (SIR626LDP) Vishay 第4世代TrenchFET® NチャネルパワーMOSFETを供給しています。このデバイスは、60V、低抵抗、高性能スイッチングMOSFETで、PowerPAK® SO‑8表面実装パッケージに収められています。超低オン抵抗、低ゲート電荷、高電流容量を備え、産業用電源、モーター駆動、DC‑DC同期整流、新エネルギー機器に最適なパワーデバイスです。Mingjiada Electronics は十分な在庫を維持し、サンプルリクエストとバルク注文の両方をサポートしており、産業用制御、新エネルギー、電源機器分野のメーカーに安定した部品供給を提供しています。

仕様

- デバイスタイプ: NチャネルMOSFET (Nチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)

- ドレイン-ソース間電圧 Vds: 60V

- 連続ドレイン電流 Id (Tc=25°C): 100A

- 最大電力損失 Pd: 104W

- オン抵抗 Rds(on): 1.7 mΩ

- ゲートしきい値電圧 Vgs(th): 2 V (最小)

- 出力電荷 Qoss: 68 nC @ Vds = 30 V

- パッケージ: PowerPAK® SO‑8

- 動作温度範囲: –55 °C ～ +150 °C

- 環境基準: リードフリー、RoHS準拠

SIR626 の主な特徴

2. 最適化された内部相互接続構造により、パッケージ抵抗が66%削減され、チップ性能を最大限に引き出し、電力密度を向上させます。

3. 低ゲート電荷と低出力電荷により、スイッチング損失が最小限に抑えられ、高周波DC‑DC回路で優れた性能を発揮します。

4. 高い電流容量とコンパクトなPowerPAK SO‑8パッケージの組み合わせにより、PCBレイアウトスペースが節約され、小型化された機器設計が容易になります。

5. RgおよびUISアバランチ信頼性について100%テスト済みで、強力な耐衝撃性と高い長期動作安定性を提供します。

6. 広い動作温度範囲は、過酷な産業環境に適しており、24V産業用電源システムの設計要件を満たします。

SIR626 の主なアプリケーション分野

- DC‑DC降圧/昇圧コンバータ、同期整流回路

- 産業用モーター駆動、電動工具コントローラ

- ソーラーマイクロインバータ、新エネルギー貯蔵電源

- バッテリー保護スイッチ、ロードスイッチ管理回路

- 産業用制御機器、通信基地局電源、非安全関連の車載電源ソリューション

Shenzhen Mingjiada Electronics から SIR626 を調達する利点

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. は、数十年にわたり電子部品の販売を専門としており、安定したグローバル供給チャネルを維持しています。IC、パワーデバイス、センサー、メモリチップなどの純正品のスポット供給を専門としています。純正のSIR626製品を供給でき、小ロットの試作注文と大量・長期供給サービスの両方をサポートしています。パワーMOSFETデバイスの調達を検討しているメーカーおよびR&D企業は、Mingjiada Electronics に連絡して、SIR626 の在庫、価格、リードタイムについてお問い合わせください。

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