会社ブログについて 明佳达電子はInfineon IRF6894MTRPBFを提供：25V NチャネルHEXFET MOSFET、1.3mΩ超低オン抵抗

深セン明佳達電子有限公司は、IRF6894MTRPBF高性能NチャネルHEXFETパワーMOSFETの長期安定供給を提供しています。

IRF6894MTRPBF 製品概要
IRF6894MTRPBFは、Infineon Technologiesが提供する高性能NチャネルMOSFETです。このパワーデバイス、モデルIRF6894MTRPBFは、高度なHEXFETテクノロジーを利用して、優れた電気的性能を実現します。

明佳達電子のポートフォリオにおける主要製品として、IRF6894MTRPBFは、1.3mΩという超低オン抵抗で市場から広く認知されています。ドレイン-ソース間電圧定格は25Vで、中低電圧アプリケーションに最適です。IRF6894MTRPBFは、DirectFET MXパッケージを採用しています。このユニークなパッケージ設計は、熱性能を向上させるだけでなく、PCBフットプリントも削減します。

の主な技術的特性は、IRF6894MTRPBF以下を含みます:
• ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：25V
• 連続ドレイン電流（Id）：32A（Ta）、160A（Tc）
• オン抵抗（Rds(on)）：1.3mΩ @ 33A、10V
• ゲート駆動電圧：4.5V～10V
• 動作温度範囲：-40℃～150℃（TJ）
• パッケージタイプ：DirectFET™ MX表面実装

詳細な技術仕様
メーカー：Infineon Technologies
部品番号：IRF6894MTRPBF
デバイスタイプ：NチャネルパワーMOSFET
テクノロジープラットフォーム：HEXFET®、DirectFET™
耐圧（V_DSS）：25V（最小）
オン抵抗（R_DS(on)）：1.3mΩ @ V_GS=10V、I_D=20A（標準）
連続ドレイン電流（I_D）：200A @ T_C=100℃、320A @ T_C=25℃
パルスドレイン電流（I_DM）：750A @ T_pulse=10μs、V_GS=10V
ゲートスレッショルド電圧（V_GS(th)）：1.6V～2.5V（標準2.0V）
ゲート駆動電圧（V_GS）：推奨+10V、最大±20V
総ゲート電荷（Q_g）：26nC @ V_GS=0V～10V
ゲート-ソース間電荷（Q_gs）：12nC
ゲート-ドレイン間電荷（Q_gd）：6nC
入力容量（C_iss）：6800pF @ V_DS=12.5V
出力容量（C_oss）：1800pF @ V_DS=12.5V
逆伝達容量（C_rss）：360pF
逆回復電荷（Q_rr）：120nC（標準）
アバランシェエネルギー（E_AS）：600mJ（シングルパルス）
アバランシェ電流（I_AR）：200A
動作温度：-55℃～+175℃（接合温度）
パッケージタイプ：DirectFET™ Medium Can
パッケージ寸法：7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
ピン数：7+1（7つの機能ピン+1つのサーマルパッド）
熱抵抗（R_thJC）：0.5℃/W（ボトム）+ 1.2℃/W（トップ）
AEC-Q101：グレード0合格
ESD定格：HBMクラス1C（1000V～2000V）
RoHSステータス：RoHS3準拠、Pbフリー
ハロゲンフリー：はい

IRF6894MTRPBF 製品の特徴:
IRの次世代シリコン技術を利用
12V入力同期バックアプリケーションに最適な効率を提供

IRF6894MTRPBF アプリケーション:
次世代サーバー、デスクトップコンピューター、ノートPC

購入情報
部品番号： IRF6894MTRPBF
メーカー：Infineon Technologies
デバイスタイプ：NチャネルHEXFET MOSFET
テクノロジープラットフォーム：DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101：グレード0合格
RoHSステータス：RoHS3準拠、Pbフリー
最小注文数量：柔軟なサポート、サンプルあり
在庫状況：在庫あり、当日出荷
価格帯：購入量に応じた段階的な価格設定

に関するお問い合わせまたは購入ニーズについては、IRF6894MTRPBFいつでもお気軽にご連絡ください:
電話：+86 13410018555
メール：sales@hkmjd.com
ホームページ：https://www.integrated-ic.com/