深セン明佳達電子有限公司電子部品業界のリーディングサプライヤーとして、Infineon SiCパワーデバイスを在庫ベースで幅広く提供し、世界中のお客様に効率的で信頼性の高いパワー半導体ソリューションを提供しています。 SiC技術のリーダーとして、InfineonのCoolSiC™製品ポートフォリオは、効率性、電力密度、およびシステム信頼性の点で業界をリードしています。
以下は、明佳達電子が供給するInfineon SiCデバイスの種類です。
1. CoolSiC™ MOSFETディスクリートデバイス
InfineonのCoolSiC™ MOSFETディスクリートデバイスは、高い効率性と省エネ性を特徴とし、最適な信頼性も備えています。ディスクリートパッケージで提供されており、650V、1200V、1700Vの電圧定格の製品があります。これらのデバイスは、LLCやZVSなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに最適で、システム効率を大幅に向上させます。
400V CoolSiC™ MOSFET：人工知能サーバー電源ユニット（PSU）のAC/DC変換段や、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システムなどのアプリケーション向けに特別に設計されています。
650V CoolSiC™ MOSFET：高電流および低容量条件下での最適なスイッチング動作を実現し、サーバー、電気通信、モータードライブなど、さまざまな産業用アプリケーションに適しています。
750Vおよび1200V CoolSiC™ MOSFET：オンボードチャージャー/PFC、補助インバーター、無停電電源装置（UPS）など、産業用および自動車用アプリケーションに適しています。
1700V CoolSiC™ MOSFET：エネルギー貯蔵システム、電気自動車の急速充電、電源管理（SMPS）、太陽光発電システムソリューションなどのフライバックトポロジーに適しています。
2000V CoolSiC™ MOSFET：より高い電力密度と電圧マージンを提供し、電気自動車の急速充電や太陽光発電システムソリューションなどの高電圧アプリケーションに適しています。
2. CoolSiC™ MOSFETパワーモジュール
InfineonのCoolSiC™ MOSFETパワーモジュールは、3レベル、4パック、ハーフブリッジ、6パック、電流拡張など、さまざまな構成で利用でき、さまざまな高性能アプリケーションに適しています。
3. CoolSiC™ショットキーダイオード
InfineonのCoolSiC™ショットキーダイオードは、600Vおよび650Vから1200Vまでの電圧範囲をカバーし、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備え、さまざまな高周波アプリケーションに適しています。
600Vおよび650V CoolSiC™ショットキーダイオード：低電圧、高周波アプリケーションに適しています。
1200V CoolSiC™ショットキーダイオード：産業用電源や電気自動車充電ステーションなどの高電圧アプリケーションに適しています。
供給の利点
明佳達電子は、以下の供給保証を提供しています。
100％純正品：すべてのInfineon炭化ケイ素デバイスは、公式チャネルまたは工場在庫から調達されています。
豊富な在庫：深セン/香港の倉庫には、さまざまなシリーズの炭化ケイ素デバイスが在庫されています。
柔軟な調達ソリューション：少量サンプル購入および大量注文に対応しています。
グローバルロジスティクスネットワーク：深セン本社および国際ロジスティクスパートナーを活用し、迅速な配送を保証します。
連絡先情報
Infineon炭化ケイ素デバイスの詳細または注文については、明佳達電子にお問い合わせください。
電話番号：+86 13410018555
メール：sales@hkmjd.com
ウェブサイト：http://www.integrated-ic.com
住所：Room 1239-1241, Xinyazhou Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province
コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager
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ファックス: 86-0755-83957753
