明佳达電子は、InfineonのCoolMOS™ CFDAシリーズの一部である、650V車載グレードNチャネルパワーMOSFETであるIPB65R110CFDAを提供しています。以下に詳細な仕様を示します:
製品説明 IPB65R110CFDA
IPB65R110CFDAは、Infineonが開発した650V/31.2A NチャネルパワーMOSFETで、PG-TO263-3 (D2PAK-3)パッケージに収められており、CoolMOS™ CFDAシリーズの一部です。自動車エレクトロニクス、産業用電源、高周波スイッチングアプリケーション向けに特別に設計されています。IPB65R110CFDAは、Super Junction (SJ)技術を採用しており、低オン抵抗、高速スイッチング、高温安定性を提供し、電気自動車（EV）車載充電器（OBC）、DC-DCコンバーター、太陽光発電インバーターなどの高信頼性アプリケーションに適しています。
主な特徴 IPB65R110CFDA
高電圧、大電流容量：650Vドレイン-ソース間耐圧（Vds）と31.2A連続ドレイン電流（Id）により、IPB65R110CFDAは高出力スイッチング電源設計に適しています。
超低オン抵抗（Rds(on)）：110mΩ（標準）@ 10V Vgs、IPB65R110CFDAは伝導損失を削減し、システム効率を向上させます。
高速スイッチング性能：11ns立ち上がり時間、6ns立ち下がり時間により、スイッチング損失を削減し、IPB65R110CFDAは高周波スイッチングアプリケーションをサポートします。
内蔵高速ボディダイオード：低逆回復電荷（Qrr）により、スイッチングノイズを低減し、EMI性能を向上させます。
広い温度範囲での動作：-40℃～+150℃の動作温度範囲で、AEC-Q101車載認証に準拠しています。
最適化されたゲート駆動：低ゲート電荷（Qg = 118nC）、IPB65R110CFDAは駆動損失を削減し、スイッチング周波数を向上させます。
詳細仕様 IPB65R110CFDA
モデル：IPB65R110CFDA
ブランド：Infineon
パッケージ：PG-TO263-3 (D2PAK-3)
技術：CoolMOS™ CFDA (Super-Junction MOSFET)
ドレイン-ソース間電圧（Vds）：650 V
連続ドレイン電流（Id）：31.2 A
オン抵抗（Rds(on)）：110（標準）mΩ
ゲート電荷（Qg）：118 nC
ゲート-ソース間電圧（Vgs）：±20 V
スレッショルド電圧（Vgs(th)）：3.5 V
スイッチング時間（tr/tf）：11/6 ns
動作温度範囲：-40～+150 °C
消費電力（Pd）：277.8 W
主な用途 IPB65R110CFDA
電気自動車（EV）駆動システム
IPB65R110CFDAは、800V高電圧プラットフォームインバーターに使用して、エネルギー効率を高め、熱管理要件を削減できます。
産業用電源および太陽光発電インバーター
高周波スイッチング電源および太陽光インバーターに適しており、エネルギー損失を削減します。
サーバーおよびデータセンター電源
IPB65R110CFDAの高効率は、48V DC-DCコンバーターを最適化し、電力密度を向上させます。
HID照明およびバッテリー充電器
高速スイッチング特性を利用して、LEDドライバーおよび急速充電デバイスの効率を向上させます。
モータードライブおよび産業オートメーション
IPB65R110CFDAは、サーボドライブおよび可変周波数ドライブに適しており、システム信頼性を向上させます。
概要
InfineonのCoolMOS™ CFDAシリーズの650V/31.2AパワーMOSFETとして、低伝導損失、高速スイッチング、高温安定性を提供し、電気自動車、太陽光発電インバーター、産業用電源などのアプリケーションに最適です。IPB65R110CFDAのPG-TO263-3パッケージはPCB設計を容易にし、AEC-Q101認証は車載エレクトロニクスにおける信頼性を保証します。
明佳达電子はIPB65R110CFDA を在庫しており、純正の工場直送製品と迅速な配送サポートを提供しています。
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