会社ブログについて Mingjiada Electronics Supply ST STP240N10F7 高性能 STripFET F7 シリーズ N チャネル パワー MOSFET

明佳達電子供給STSTP240N10F7高性能 STripFET F7 シリーズ N チャネル パワー MOSFET

深セン明佳達電子有限公司– [ST]の長期サプライヤーSTP240N10F7: 100V/110A STripFET™ F7 シリーズ N チャンネル パワー MOSFET、STripFET™ F7 シリーズの主力製品である STP240N10F7 は、非常に低いオン抵抗、優れたスイッチング特性、堅牢な信頼性を提供し、スイッチング電源、モーター ドライブ、産業オートメーションなどのアプリケーションにとって理想的なパワー スイッチング ソリューションです。

I. 製品概要: STripFET™ F7 テクノロジーの画期的なパフォーマンス
のSTP240N10F7は、STMicroelectronics が発売した N チャネル パワー MOSFET で、高度な STripFET™ F7 テクノロジーを利用しています。この技術は強化されたトレンチ ゲート構造に基づいており、内部容量とゲート電荷 (Qg) を効果的に低下させながら、デバイスのオン抵抗 (RDS(on)) を大幅に低減します。これにより、高速スイッチング性能を維持しながら極めて低い導通損失を実現し、導通効率とスイッチング効率の優れたバランスを実現します。
STP240N10F7 は、古典的な TO-220-3 スルーホール パッケージを利用しており、優れた熱性能と機械的信頼性を提供し、電力変換、モーター ドライブ、産業用制御アプリケーションにおける電力スイッチングに最適です。

II.STP240N10F7仕様:
シリーズ: STripFET™ F7
チャンネルタイプ: Nチャンネル
ドレイン・ソース間耐圧 (VDSS): 100 V
連続ドレイン電流 (ID): 110 A @ TC=25°C
オン抵抗 (RDS(on)): 2.85 mΩ @ VGS=10V
オン抵抗 (RDS(on)max): 3.2 mΩ @ 60A、10V
ゲート閾値電圧(VGS(th))：2.5～4.5V
総ゲート電荷 (Qg): 160 nC @ VDS=50 V
最大消費電力 (PD): 300 W
パッケージ: TO-220-3
動作ジャンクション温度 (TJ): -55°C ~ +175°C

Ⅲ．コア技術パラメータの詳細な説明 (STP240N10F7)
STP240N10F7 の性能仕様は、100V 定格のパワー MOSFET の中で最高レベルです。以下は、コア仕様の詳細な分析です。
3.1 電圧と電流の仕様
ドレイン・ソース電圧 (VDS): 100V、バッテリ駆動システム、低電圧 DC バス、産業用制御などの中電圧アプリケーションに適しています。
連続ドレイン電流 (ID): 110 A (Tc = 25°C)。最大 440 A のピーク パルス電流に対応し、堅牢な過電流耐性を提供します。
消費電力 (PD): 300 W (Tc = 25°C);優れた熱管理機能により、高電力密度アプリケーションの熱的課題に対処できます。

3.2 オン抵抗(RDS(on))
標準オン抵抗: 2.85 mΩ @ VGS=10V
最大オン抵抗: 3.2 mΩ @ VGS=10V、ID=60A
非常に低いオン抵抗は STP240N10F7 の主な利点の 1 つであり、同じ電流レベルでの導通損失が低くなり、システム全体の効率が向上することを意味します。

3.3 ゲート関連パラメータ
ゲートしきい値電圧 (VGS(th)): Max. 4.5 V @ ID = 250 μA
ゲート電荷 (Qg): 通常 160 nC / 最大176 nC @ VGS = 10 V
入力容量 (Ciss): 12,600 pF @ VDS = 25 V
最大ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
ゲート電荷が低いということは、スイッチング中に必要な駆動エネルギーが少なくて済み、駆動損失が効果的に低減され、より高い周波数のスイッチング動作がサポートされることを意味します。

3.4 熱および環境パラメータ
動作ジャンクション温度 (TJ): -55°C ～ +175°C
パッケージ熱抵抗 (RθJC): 同じ仕様のほとんどのデバイスよりも優れています
STP240N10F7 は幅広い温度動作を特徴としており、-55°C ～ 175°C のジャンクション温度範囲内で安定した性能を発揮できるため、要求の厳しい産業および車載環境に適しています。 100% のデバイスがアバランシェ テストを受けている優れたアバランシェ耐性により、誘導負荷スイッチングなどの過酷な動作条件下でも信頼性がさらに保証されます。

IV.の主な機能と利点STP240N10F7
極めて低いオン状態損失: STripFET F7 の強化された溝ゲート構造のおかげで、RDS(on) は 2.85 mΩ と低く、伝導損失が大幅に低減され、システム効率が向上します。
高いスイッチング効率: 最適化された内部容量 (Ciss、Crss) とゲート電荷 (Qg) 設計により、高周波スイッチング動作がサポートされ、スイッチング損失が低減されます。
高い堅牢性: このデバイスは 100% のアバランシェ テストを受けており、誘導負荷アプリケーション (モーターなど) で優れたサージ耐性を保証します。
ユーザーフレンドリーなパッケージング: 標準の TO-220 (TO-220-3) スルーホール パッケージを使用しているため、ヒートシンクの取り付けが容易になり、高電力密度のアプリケーションに適しています。

V. ミンジアダ電子:STP240N10F7在庫状況サービス
純正在庫: STP240N10F7 デバイスはすべて純正チップです。 Mingjiada は年間を通じて豊富な在庫を維持しており、緊急の注文にも迅速に対応できます。
柔軟な調達ソリューション：研究開発向けの小ロットサンプル調達から量産向けの大量納品までサポートし、検証から量産までのあらゆる供給要件に対応します。
迅速な配送能力: 標準的な注文は 48 時間以内に発送され、緊急の注文は 24 時間以内に発送されるため、プロジェクトのリードタイムが最小限に抑えられます。

技術文書を入手するには、サンプルをリクエストするか、製品の一括購入の見積もりを受け取ります。STP240N10F7、最新の供給情報と技術サポートについては、Mingjiada Electronics 営業チームにお問い合わせください。
会社URL:https://www.integrated-ic.com/