会社ブログについて Mingjiada、Infineon IMZC120R007 炭化ケイ素 MOSFET の大量供給: 1200V/7mΩ、TO-247-4 パッケージ、深センでの在庫供給

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.(Mingjiada Electronics) は,電子部品のプロディストリビューターとして,Infineon CoolSiCTMシリーズシリコンカービッド (SiC) MOSFETを長年供給してきました.IMZC120R007(完全なモデル番号:IMZC120R007M2H) は,インフィニオンの第2世代のCoolSiCTM技術プラットフォームの旗艦製品の一つです.小批量サンプルと大量生産の両方の迅速な配送を支援する効率的で信頼性の高い電力半導体ソリューションを顧客に提供します

I. 製品概要

についてIMZC120R007インフィニオン・テクノロジーズによって発売された1200Vのシリコンカーバイド (SiC) 電源MOSFETであり,CoolSiCTM G2 (第2世代) シリーズに属している.先進的な溝ゲート技術を利用し,InfineonのSiC分野での豊富な専門知識を利用この装置は,非常に低いオン抵抗 (RDS(オン)) と超高速の切り替え速度を達成し,同時に優れた高温安定性と信頼性を提供します.

このモデルはTO-247-4ピンパッケージ (四ピンケルビン源) を使用しており,従来の三ピンパッケージと比較して,ドライブ回路の共通源誘導力を大幅に削減します.切換性能を大幅に向上させる, 切り替え損失を削減し,高周波,高効率の電源変換アプリケーションに特に適しています.グローバル調達ネットワークと深?? 配送センターを活用電子機器の入手可能性を保証しますIMZC120R007様々な産業用および自動車用アプリケーションのニーズを満たすための 備蓄装置です

II. 主要な特徴と利点

超低電源抵抗: 典型的な値は7mΩ (RDS(オン) で,最大は9mΩ (25°Cで) で,導電損失を大幅に削減し,システムの効率を向上させる

高ブロック電圧:1200 V VDS,高電圧バスバーの要件を満たし,800 V 電動車と太陽光発電システムに適しています

低スイッチング損失: SiC素材の優れた高周波特性により,スイッチング損失は同等の仕様を持つシリコンベースの IGBT よりもはるかに低い.より高いスイッチ周波数 (数百kHzまで) を可能にし,受動部品のサイズを減らす

広範囲の動作温度: 交差点温度は 175°Cまで,厳しい環境での長期的信頼性の要求を満たす

TO-247-4 パッケージ:ケルビン源ピンにより,駆動回路の共通源誘導性がなくなり,より速い切り替え移行と低鳴きが可能になり,ゲート駆動の信頼性が向上する

組み込みボディダイオード:低逆回復電荷 (Qrr) を備えています.外部フリーホイリングダイオードを必要とせず,損失のない逆伝導を可能にする (同期直線トポロジーに適している)

高い雪崩耐性: 強力な雪崩耐性を提供し,システムの安定性を高めます

標準ゲートドライブの電圧と互換性: 0Vから18Vまでのゲートドライブのサポート (推奨オン電圧は15V),既存のドライバとの互換性を確保

AEC-Q101自動車規格 (自動車級モデル) に適合するか,工業級の信頼性要件を満たす

詳細な仕様

以下はIMZC120R007 (IMZC120R007M2H) の主要技術仕様である.

製品タイプ:シリコンカービッドMOSFET

パッケージ / ハウジング: PG-TO247-4-U07

チャンネル数: 1チャンネル

Vds 排水源断熱電圧: 1.2 kV

Id 連続流出電流:201A

Rdsオン 消耗源オン抵抗: 20mOhms

Vgs ゲート・ソース電圧: -10 V, +25 V

Vgs ゲート・ソース 限界電圧:5.1V

Qg ゲートチャージ: 176nC

最低動作温度: -55 °C

最大動作温度: +175 °C

Pd 電力消耗: 711 W

ブランド名:CoolSiC

構成: 強化

落ちる時間: 33.6 ns

前向トランスコンダクタンス 〜 最低: 60 S

上昇時間: 21.5 ns

シリーズ:CoolSiC G2

トランジスタの極性:Nチャンネル

トランジスタタイプ: 1 Nチャネル

タイプ: SiC MOSFET

典型的な切断遅延: 76.3 ns

典型的なオンアップ遅延:32.4 ns

IV 典型的な用途

1200V/7mΩの優れた性能により,IMZC120R007効率,電力の密度,信頼性の非常に高い要求を伴う電力変換システムに適しており,特に以下を含む:

電気自動車の充電ステーション: 高効率で高電力密度の設計を可能にする直流高速充電モジュールにおけるPFCとDC-DC段階

PVインバーター: MPPTとストリングインバーターのインバーター段階,システムの効率を向上させ,サイズを削減する

エネルギー貯蔵システム (ESS): 効率的なエネルギー変換を可能にする二方向DC-DC変換機

産業用電源: サーバー電源,電信電源,電圧電源などの高功率のスイッチ電源

ボート充電器 (OBC) とDC-DC変換器 (自動車級の信頼性要件を満たす)

トラクションインバーター (AEC-Q101 に準拠することを要求する補助または主駆動)

不断電源 (UPS) とアクティブ電源フィルター (APF)

V. 供給とサービス

ミンジアダ・エレクトロニクスは長年,インフィニオンIMZC120R007シリコンカービッドMOSFETを大量に供給してきました.100%本物保証する商品の原産品を販売し,以下のサービスを提供する.

柔軟な調達: 小批量サンプル購入と大量生産注文の両方をサポートする

迅速な配送: シェンゼンで在庫,注文から24時間以内に出荷

グローバル・ロジスティクス:香港と深?? の倉庫ネットワークを利用して,国内外輸送を支援します

最新の在庫,価格,またはオートメントを要求するには,Mingjiada Electronicsのウェブサイト (www.hkmjd.com) を訪問するか,当社の販売チームに連絡してください.

連絡先:

携帯電話: +86 13410018555

メール: sales@hkmjd.com

アドレス: 広東省深?? 市フティアン地区 ゲーリビル1239-1241号室

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