会社ブログについて Mingjiada サプライズ IRLML6346：リチウムイオンバッテリー保護と携帯電話の急速充電を強化する 30V NチャンネルMOSFET

携帯電子機器が急速に進化している現代では限られたPCBスペース内で効率的で信頼性の高い電源切り替えとバッテリー保護を達成することは,エンジニアにとって継続的な課題です.IRLML6346低電圧駆動アプリケーションに特化したNチャンネル電源MOSFETです. 超低電圧抵抗とコンパクトなSOT-23パッケージにより,リチウムイオン電池の保護に適している携帯電話の高速充電と様々な携帯機器の電力管理

IRLML6346製品概要

IRLML6346は,InfineonのHEXFET®シリーズからNチャネル論理レベル電源MOSFETです.先進的な溝技術を使用して製造されています.このデバイスは,ゲートドライブ電圧が4以下でも優れたオン状態性能を提供します.5V,バッテリー保護および他のスイッチングアプリケーションに適している.デバイスは,表面マウントパッケージであるMicro3TM/SOT-23に搭載されている.既存の表面マウントプロセスと互換性があり,高密度PCBレイアウトを容易にする.

IRLML6346仕様

FETタイプ:Nチャンネル

排気源電圧 Vdss: 30 V

連続流出電流 Id: 3.4 A (Ta = 25 °C)

オン抵抗 Rds (オン): 63 mΩ @ 3.4 A, 4.5 V

ゲートスロージングル電圧 Vgs ((th): 1.1 V @ 10 μA (最大)

ゲート充電 Qg: 2.9 nC @ 4.5 V

入力容量 Ciss: 270 pF @ 24 V

最大電源消耗 Pd:1.3 W (Ta)

ゲート・ソースの電圧 Vgs: ±12 V

動作交差点温度: 55°Cから +150°C

パッケージ: Micro3TM/SOT-23

この装置は,ゲート駆動電圧が2.5V以下で活性化され,最大Rds (オン) は2.5V駆動条件下では約80mΩであることに注意する.低電圧制御システムに柔軟な駆動オプションを提供する.

開発の主要な特徴IRLML6346

低電圧システムに適したロジックレベルドライブ.IRLML6346は,ゲートドライブの電圧が2.5V以下に対応し,3.3V以下の電圧のMCU GPIOピンで直接駆動できます.レベルシフトの追加回路の必要性をなくし,システムの設計を簡素化する.

低電源抵抗は導電損失を軽減する. 4.5 V のゲート電圧では,Rds ((オン) は 63 mΩ しかなく,開いたときのスイッチの電源損失を効果的に削減し,全体的なエネルギー効率を改善する.これは特に電池駆動装置に適しており,電池寿命が厳しい.

低ゲート電荷により高周波スイッチが可能になります.ゲート電荷 (Qg) はわずか2.9nC (4.5Vで),切り替え損失を削減し,一定の切り替え周波数を必要とするDC/DC変換と負荷切り替えアプリケーションに適している.

コンパクトなパッケージはPCBのスペースを節約します.小さなSOT-23パッケージは,スマートフォン,TWSイヤホン,ポータブルパワーバンクなどのスペースを重視する製品に最適です.

IRLML6346応用シナリオ

リチウムイオン電池保護回路. 単細胞または多細胞のリチウムイオン電池保護板では,IRLML6346は,過充電を提供するための充電/放電制御スイッチとして使用できます.過剰放出や短回路防止低電源抵抗は,保護回路そのものの消費電力を削減し,バッテリーの寿命を延長します.

スマホの高速充電とパワーバンクこの装置は,DC/DCコンバーターで負荷切換と同期直線に使用できる.SOT-23パッケージは,コンパクトな高速充電モジュールに簡単に統合され,低ゲート充電特性と組み合わせて,充電効率を改善するのに役立ちます.

携帯電子機器のための電源管理. IRLML6346は,スマートフォンなどの製品の内部電源レール切換および負荷切換制御のための高側または低側スイッチとして使用できます.,タブレットやデジタルカメラやウェアラブルデバイス

LED照明ドライバ:この装置は,LED照明システムの小型装置では,LED照明調整とオン/オフ制御を実施するために使用できます.低電源抵抗は,ドライバー回路の熱損失を減らすのに役立ちます.

DC/DC変換器とシステムスイッチ.低電圧DC/DC変換器の電源段階に適しています.また,様々な電子システムにおける一般目的の負荷切換と電源経路管理.

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