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会社ブログについて 明佳达は、インフィニオンのGaN HEMT(窒化ガリウム)トランジスタ全般、CoolGaNモデルを在庫で供給しています

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明佳达は、インフィニオンのGaN HEMT(窒化ガリウム)トランジスタ全般、CoolGaNモデルを在庫で供給しています
最新の会社ニュース 明佳达は、インフィニオンのGaN HEMT(窒化ガリウム)トランジスタ全般、CoolGaNモデルを在庫で供給しています

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.は、Infineon GaN HEMTトランジスタのプロフェッショナルストックサプライヤーであり、新品・正規品のInfineon CoolGaN™シリーズGaN HEMTトランジスタを在庫で提供しています。当社の製品範囲は、40Vから850Vまでの全電圧範囲をカバーし、G3中電圧シリーズ、G5高電圧シリーズ、双方向スイッチ(BDS)、および車載グレードデバイスを含み、急速充電、データセンター、太陽光発電インバーター、新エネルギー車、産業用電源のお客様にワンストップのGaNパワーデバイス調達サポートを提供します。

 

I. Mingjiadaが供給するInfineon GaN HEMTコア製品シリーズ

Infineon’s CoolGaN™は、業界でも数少ない、中/低電圧および高電圧アプリケーションの両方をカバーし、車載グレードオプションも提供するGaN HEMT製品ポートフォリオの1つです。Mingjiadaは以下のシリーズの在庫を維持し、少量サンプルリクエストと大量生産納入の両方をサポートしています。

 

1. CoolGaN™ G5高電圧シリーズ(650V/700V)

ゲート注入トランジスタ(GIT)技術に基づいたG5シリーズは、産業および新エネルギー分野の高電圧アプリケーション向けに設計されています。従来のシリコンベースのソリューションと比較して3%~5%の効率向上を実現し、MHzレベルの高周波スイッチングをサポートします。Infineonの公式データによると、650V G5製品は、25 mΩから140 mΩのオン抵抗範囲と、最大70 Aの最大連続ドレイン電流を特徴としています。パッケージオプションには、TOLL、TOLT、DSO TSC、DFN 8×8、およびThinPAK 5×6が含まれます。

 

Mingjiadaは、以下の代表的なG5モデルを在庫しています:

モデル パッケージ 主要パラメータ

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ

 

2. CoolGaN™ 600V産業グレードシリーズ(eモードHEMT)

600V eモードGaN HEMTは、データセンター電源、サーバーSMPS、通信用整流器、ワイヤレス充電アプリケーション向けのMingjiadaの大量生産製品ラインです。このシリーズは、逆回復電荷のない強化型(ノーマリーオフ)構造、9 nsという低い立ち上がり時間、13 nsの立ち下がり時間、および-55°Cから+150°Cの動作接合温度範囲を特徴としています。

 

Mingjiadaの600Vシリーズの代表的なモデルには以下が含まれます:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ、DSO-20パッケージ、トテムポールPFCや高周波LLCなどのハードスイッチングおよびソフトスイッチングハーフブリッジトポロジーに適しています。

IGOT60R070D1: トップ冷却DSO-20パッケージ、高電力密度熱管理設計に適しています。

IGLD60R070D1: LSON-8パッケージ、コンパクトアダプターおよび急速充電向けに設計されています。

IGT60R190D1: HSOF-8パッケージ、190 mΩ定格、中電力産業用電源に適しています。

IGLR60R340D1: 340 mΩ定格、コスト重視の補助電源および低電力アプリケーションに適しています。

IGLR60R260D1: 600V eモードGaN HEMT、高周波・高効率変換向けに設計されています。

IGI60F1414A1L: 600V CoolGaN™スマートパワーステージ、ゲートドライバ内蔵、140 mΩ、QFN-28 8×8 mmパッケージ、システム設計と保護回路を簡素化します。

 

3. CoolGaN™ G3中電圧シリーズ(40V~120V)

G3シリーズは、48V車載システム、USB-C急速充電、モーター駆動、通信用電源などのミッド~低電圧アプリケーション向けに設計されています。オン抵抗が1.1 mΩから2.3 mΩと低い、RQFN 5×6 / 3.3×3.3パッケージで、シリコンベースのMOSFETレイアウトと互換性があります。40V双方向スイッチ(BDS)モデルは、従来のバックツーバックMOSFETを置き換え、PCB面積を50%~75%削減できます。

 

代表モデル:IGO60R070D1(低~中電圧双方向スイッチアプリケーションにもリストされています);特定の40V/100V G3モデルの完全な選択表については、Mingjiada営業チームにお問い合わせください。

 

4. CoolGaN™双方向スイッチ(BDS)—シングルチップ双方向伝導/遮断

Infineon’s CoolGaN™ BDSは、業界初のシングルチップ、統合型エンハンスメントモード双方向GaNデバイスです。従来の「4デバイス並列」双方向スイッチアーキテクチャを単一デバイスに置き換え、部品表とPCBフットプリントを大幅に削減します。

 

Mingjiadaが供給する代表モデル:

IGLT65R055B2: 650V高電圧産業グレードBDS、TOLT(Top-Out-Through)パッケージ、850Vサージ耐性、双方向充電ステーション、エネルギー貯蔵PCS、ソリッドステートサーキットブレーカー、双方向DC-DCコンバーターに適しています。

IGK080B041S: 40V低電圧汎用BDS、チップスケールパッケージ、車載および民生用電子機器の小型化された双方向スイッチングアプリケーション向けに設計されています。

 

5. CoolGaN™車載グレードシリーズ(100V/600V、AEC-Q101)

Infineonは、車載48Vシステムおよびオンボード充電用にAEC-Q101認定GaN HEMTを導入しました。Mingjiadaは、ゾーンコントローラー、メインDC-DCコンバーター、高性能補助システム、クラスDオーディオアンプに適した100V車載グレードシリーズを提供しています。また、車載規格(IGOT60R070D1AU、IGO60R070D1AUなど)を満たす600V eモードGaN HEMTも供給しています。

 

II. Infineon GaN HEMTの調達でMingjiadaを選ぶ理由

メーカーから直接、新品・正規品。MingjiadaのInfineon CoolGaN™製品はすべて、メーカーまたは正規チャネルから直接調達されており、再生品やバラ新品はありません。各チップは品質検査を受け、パワーデバイスの長期信頼性を保証します。

在庫豊富な製品ライン、迅速な納入。深センと香港のデュアル倉庫での連携運用により、人気のCoolGaN™モデルの戦略的な安全在庫を維持しています。国内出荷は48時間以内に発送され、研究開発サンプルと大量生産注文の柔軟な切り替えをサポートし、お客様の市場投入までの時間を大幅に短縮します。

ボリューム購入による価格競争力。Infineonとの深いパートナーシップとバルク購入の利点を活かし、Mingjiadaは段階的な価格設定と長期価格固定サービスを提供し、GaNソリューション実装段階でお客様のBOMコスト管理を支援します。

 

III. 代表的なアプリケーションシナリオ

Infineon’s CoolGaN™ GaN HEMTは、すでにMingjiadaのお客様ベースで以下の主要シナリオに採用されています:

急速充電およびアダプター:600V eモードおよびG3中電圧デバイスは、高周波QRフライバック、トテムポールPFC、USB-C PD電源で使用され、コンパクトで高電力密度の設計を可能にします。

データセンターおよびサーバー電源:650V G5シリーズは、Titanium定格サーバーSMPSおよび高電圧DC配電で使用され、シリコンベースのスーパー接合MOSFETよりも大幅に低いスイッチング損失を実現します。

PVインバーターおよびエネルギー貯蔵:G5 650Vデバイスは、ストリングインバーターおよびエネルギー貯蔵PCSのDC-ACステージで使用され、効率を98%以上に向上させます。

新エネルギー車:100V/600V車載グレードGaNは、OBC、DC-DCコンバーター、48Vゾーンコントローラーで使用され、AEC-Q101の信頼性要件を満たします。

産業用モーター駆動およびソリッドステートサーキットブレーカー:BDS双方向スイッチは、モーター正逆制御、ソリッドステートリレー、双方向電力変換に使用され、シングルチップアーキテクチャでトポロジーを簡素化します。

 

IV. GaN HEMTの選定と見積もりについてはMingjiadaにお問い合わせください

上記モデルの現在の在庫状況を確認したり、完全な選択表を入手したり、無料サンプルをリクエストしたりするには、Mingjiada Electronicsにお問い合わせください:

担当:陳氏

電話/WeChat:+86 0755-83294757 / 13410018555

Eメール:sales@hkmjd.com

住所:広東省深セン市福田区深中路新アジア国利ビル1239~1241室

 

Mingjiadaは、InfineonのGaN専用ゲートドライバ(GaN EiceDRIVER™シリーズなど)およびSiC MOSFETも供給しており、GaN+SiCハイブリッドソリューションのワンストップ注文をサポートしています。

パブの時間 : 2026-11-11 10:09:19 >> ニュースのリスト
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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