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会社ブログについて [明治田] インフィニオン自動車 MOSFET,IGBT ディスクリーートデバイスと MOSFET トランジスタを供給

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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[明治田] インフィニオン自動車 MOSFET,IGBT ディスクリーートデバイスと MOSFET トランジスタを供給
最新の会社ニュース [明治田] インフィニオン自動車 MOSFET,IGBT ディスクリーートデバイスと MOSFET トランジスタを供給

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd世界的に有名なブランドの電子部品の認可独立販売業者として,長年,高品質の電子部品の供給に注力してきました.Mingjiadaは,電子部品製品の幅広い提供するだけでなく自動車用MOSFET,IGBTディスクリートデバイスおよびMOSFETトランジスタをInfineonのブランド名で製造しています.これらの製品は,自動車電子機器の幅広い用途があります産業制御,通信などの分野で,市場では非常に人気があります.

 

インフィニオン 自動車用 MOSFET

インフィニオンの自動車用パワー MOSFET ポートフォリオは,優れた性能と優れた信頼性のために,堅固なパッケージで先進的なSiおよびSiCデバイスをカバーしています.このMOSFETは24Vから800Vまでの電圧で動作します, 高い電流容量と最適なRDS (オン) 性能を有し,システムの効率を向上させる. Infineonの自動車グレードMOSFETは,以下のモデルを含むが,これらに限定されない:

IPD70N12S311OptiMOSTM: Nチャネル 120V 70A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3パッケージ,自動車用AEC Q101認定,高電圧DC-DCコンバーターおよび電動車両のオンボード充電 (OBC)

IAUC60N04S6N050HOptiMOSTM: 60V Nチャネル MOSFET 低電圧抵抗と高電流能力の自動車用

 

インフィニオン IGBT ディスクレートデバイス

インフィニオンのIGBTディスクリートデバイスは,高効率と信頼性でよく知られており,産業用モーター駆動器や制御器などの幅広いアプリケーションで使用されています.供給されているInfineon IGBT ディスクリーートデバイスには,:

IKW50N65WR5: 650V 50A IGBT ディスクレートデバイス 高速アプリケーションのためのTO-247パッケージの反平行ダイオード.

IGD03N120S7: 1200V 3A TRENCHSTOPTM IGBT7 S7 低VCEsatの離散装置,対象アプリケーションで非常に低い伝導損失を目的としたTO-252パッケージ.

 

インフィニオン MOSFET トランジスタ

インフィニオンのMOSFETトランジスタは,高性能と低消費電力で市場において広く認識されています.

IRFH7084TRPBFストロングIRFETTM:PQFN 5x6パッケージの40V単チャンネルN電源MOSFET. DCモーター,バッテリー管理システム,インバーター,DC-DC変換機などのアプリケーション用.

AIMCQ120R160M1T: 120V Nチャネル電源 MOSFET 低電圧抵抗と高電流能力の高電源アプリケーション.

 

ミンジアダは経験豊富な販売,研究開発,管理チームを持ち,高品質で迅速なサービスの提供を確保するためにプロの物流と顧客サービスチームを提供しています.顧客へのサービスに常に従っている顧客や友だちの大部分のために, ワンストップ注文サービスを提供するために, 軍事グレード,産業グレード,通信,走る道から高技術部品を冷やします

 

会社のURL:https://www.integrated-ic.com/

パブの時間 : 2025-01-16 10:04:03 >> ニュースのリスト
連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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