明佳达供应英飞凌 CY7C1510、CY7C1525、CY7C1512 和 CY7C1514 QDR® II 同步 SRAM 存储器
深圳市明佳达电子有限公司 — 专注于英飞凌 QDR® II 同步 SRAM 存储器；我们备有全系列 CY7C1510、CY7C1525、CY7C1512 和 CY7C1514 静态随机存取存储器器件，支持样品采购和批量订单，适用于高速通信缓存应用。
[英飞凌] QDR® II 同步 SRAM
1. 详细信息：CY7C1510KV18、CY7C1525KV18、CY7C1512KV18 和 CY7C1514KV18 均为采用 QDR II 架构的 1.8 V 同步流水线 SRAM。QDR II 架构包含两个独立的端口：一个读取端口和一个写入端口，用于访问存储器阵列。读取端口具有专用的数据输出以支持读取操作，而写入端口具有专用的数据输入以支持写入操作。
2. 配置：
- CY7C1510KV18：18 Mbit，1 M × 18 位
- CY7C1525KV18：72 Mbit，2 M × 36 位
- CY7C1512KV18：36 Mbit，2 M × 18 位
- CY7C1514KV18：72 Mbit，4 M × 18 位
3. 主要特性：
独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
350 MHz 时钟，实现高带宽数据传输
所有访问均为 2 字突发
读取和写入端口均支持双数据速率 (DDR) 接口，在 350 MHz 下实现 700 MHz 的数据传输速率
两个输入时钟 (K 和 K) 以实现精确的 DDR 定时
提供 ×8、×9、×18 和 ×36 配置。
完整的数据一致性，确保提供最新数据
核心 VDD = 1.8 V (±0.1 V)；I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 电源
具有可调驱动能力的 HSTL 输出缓冲器
明佳达电子供应 [英飞凌] QDR® II 同步 SRAM 存储器，包括但不限于：
CY7C1512KV18-350BZC
CY7C1512KV18-333BZC
CY7C1514KV18-333BZC
CY7C1525KV18-333BZXC
CY7C1512KV18-333BZXC
CY7C1514KV18-333BZXC
CY7C1512KV18-333BZI
CY7C1514KV18-333BZI
CY7C1512KV18-333BZXI
CY7C1514KV18-333BZXI
CY7C1525KV18-300BZC
CY7C1512KV18-300BZC
CY7C1514KV18-300BZC
CY7C1525KV18-300BZXC
CY7C1512KV18-300BZXC
CY7C1514KV18-300BZXC
CY7C1512KV18-300BZI
CY7C1514KV18-300BZI
CY7C1512KV18-300BZXI
CY7C1514KV18-300BZXI
CY7C1525KV18-250BZC
CY7C1512KV18-250BZC
CY7C1514KV18-250BZC
CY7C1525KV18-250BZXC
CY7C1512KV18-250BZXC
CY7C1514KV18-250BZXC
CY7C1512KV18-250BZI
CY7C1514KV18-250BZI
CY7C1525KV18-250BZXI
CY7C1512KV18-250BZXI
CY7C1514KV18-250BZXI
有关 [英飞凌] CY7C1510、CY7C1525、CY7C1512、CY7C1514 | QDR® II 同步 SRAM 存储器的更多信息，或申请样品，请访问明佳达电子网站（https://www.integrated-ic.com/）了解更多供应详情。
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