会社ブログについて 明嘉达供应英飞凌 CY7C25632 和 CY7C25652 72Mbit QDR II+ 同步SRAM存储器

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.[Infineon] SRAM (静的ランダムアクセスメモリ) のサプライヤーで,CY7C25632 と CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM 同期 SRAM デバイスは4バイトのバーストアーキテクチャを備えています.ミンジアダ・エレクトロニクスは主流モデルのストックを維持し,小批量サンプルと大量注文の両方をサポートしています効率的な物流システムに頼り,迅速な商品配送を保証します.

[インフィニオン] CY7C25632 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM (静的ランダムアクセスメモリ)

1詳細:CY7C25632KV18とCY7C25652KV18は,QDR II+アーキテクチャを使用した1.8V同期パイプライン SRAMである.QDR II+ アーキテクチャは2つの独立したポートで構成されています:メモリ配列にアクセスするための読み込みポートと書き込みポート.読み込みポートには読み込み操作をサポートするための専用データ出力ピンがあります.書き込みポートには書き込み操作をサポートする専用データ入力ピンがあります..

2構成:

2.5 サイクル の 読み込み サイクルの遅延

CY7C25632KV18 4M × 18

CY7C25652KV18 2M × 36

3主要な特徴:

高帯域幅のための550 MHzクロック周波数

読み込みサイクルの遅延 2.5 時計サイクルのバージョン

×18 と ×36 の構成で利用可能

最新のデータを提供する完全なデータ一貫性

コア VDD = 1.8 V ± 0.1 V; I/O VDDQ = 1.4 VからVDD

1.5 V と 1.8 V の I/O 供給電圧の両方をサポートする

HSTL入力と変速HSTL出力バッファ

165ボールのFBGAパッケージ (13 × 15 × 1.4mm) で入手可能

ミンジアダ・エレクトロニクスが供給した選択モデル:

CY7C25632KV18-550BZC

CY7C25652KV18-550BZXC

CY7C25632KV18-550BZXI

CY7C25652KV18-550BZXI

CY7C25632KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZI

CY7C25632KV18-500BZXC

CY7C25652KV18-500BZXC

CY7C25632KV18-500BZXI

CY7C25632KV18-450BZC

CY7C25652KV18-450BZI

CY7C25652KV18-450BZXC

CY7C25632KV18-450BZXI

CY7C25632KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZI

CY7C25652KV18-400BZXC

CY7C25632KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

[Infineon] CY7C25632 についての詳細情報 ◎ CY7C25652 72Mbit QDR® II+ 同期 SRAM,またはサンプル価格について尋ねるには,Mingjiada Electronicsのウェブサイトを訪問してください (https://www.integrated-ic.com/) の詳細については,