明佳达供应英飞凌F-RAM铁电RAM，供应串行F-RAM存储器，并行F-RAM存储器
深圳市明佳达电子有限公司 — 英飞凌全系列存储器产品的长期供应商，包括串行铁电RAM（F-RAM）和并行铁电RAM（F-RAM）。这些器件结合了RAM的高速读写能力和ROM的非易失性；其核心优势在于高速写入、超低功耗和几乎无限的读写寿命。明佳达电子备有主流型号库存，支持小批量样品和批量订单；凭借高效的物流系统，我们确保产品快速交付。
F-RAM（铁电随机存取存储器或FeRAM） 是一种独立的非易失性存储器，可在断电时即时捕获和保留关键数据。它非常适合任务关键型数据记录应用，例如需要高可靠性、控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器（PLC），或旨在提高生活质量的患者监护设备。
明佳达电子供应以下英飞凌串行F-RAM铁电存储器器件：
FM25V02A-G：256-Kbit（32K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），带SPI接口，工作频率高达40 MHz。
FM25V05-G：512-Kbit（64K × 8）串行F-RAM，具有高度耐用的非易失性存储，工作电压为2.0 V至3.6 V，温度范围为-40°C至+85°C，SPI总线速率高达40 MHz，支持模式0和3。
FM25V10-G：1-Mbit（128K × 8）串行F-RAM存储器，带SPI接口，工作电压为2.0 V至3.6 V，支持高达40 MHz的SPI时钟速率，具有NoDelay™写入功能，可即时存储数据。
FM25V20A-DG：2-Mbit（256K × 8）串行F-RAM存储器，采用先进的铁电技术，工作电压为2.0 V至3.6 V，温度范围为-40°C至+85°C。支持最大速度为40 MHz的SPI接口和NoDelay™总线速度写入。
FM25V20A-DGQ：2-Mbit（256K × 8）串行F-RAM存储器，具有扩展温度能力，工作电压为2.0 V至3.6 V，具有NoDelay™高速写入功能和高达33 MHz的SPI速率（模式0/3），适用于工业和医疗领域的频繁、高速非易失性存储应用。
FM25V20A-G：2-Mbit（256 K × 8）串行F-RAM存储器，工作电压为2.0 V至3.6 V，温度范围为-40 °C至+85 °C；具有最大40 MHz的SPI接口，可实现快速、无延迟写入，适用于需要频繁或快速写入的应用，如工业控制和数据采集。
FM1808B-SG：256 Kbit（32 K × 8）并行铁电RAM（F-RAM），采用28引脚SOIC封装，与SRAM和EEPROM兼容。工作电压：4.5 V至5.5 V；温度范围：-40°C至+85°C。
FM18W08-SG：256 Kbit（32 K × 8）字节宽铁电随机存取存储器（F-RAM），工作电压为2.7 V至5.5 V，温度范围为-40°C至+85°C，适用于高频写入和高可靠性应用，如工业、仪器仪表和数据记录。
英飞凌的F-RAM存储器解决方案提供一系列特性，包括：
NoDelay™写入功能可在总线速度下将数据写入存储单元，无需任何设置时间
铁电存储器产品极其耐用，具有超过100万亿次的写入周期，比浮栅存储器更耐用。
超低功耗，能耗比EEPROM低200倍，比NOR闪存低3000倍。
抗辐射，不受辐射引起的导致位翻转的软错误影响。
有关[英飞凌] F-RAM铁电存储器产品的更多信息或咨询样品价格，请访问明佳达电子网站（https://www.integrated-ic.com/），了解更多供应详情。
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