CY7C1021DV33-10VXIの製品説明
CY7C1021DV33-10VXIは,高度なCMOS技術で製造された高性能,低電力2Mb高速静的ランダムメモリ (SRAM) チップで,10ns高速アクセス時間と3.3Vの稼働電圧CY7C1021DV33-10VXIは標準的な32ピンSOICパッケージで入手可能で,通信機器,産業制御,医療機器および埋め込みシステムに広く使用されています.
CY7C1021DV33-10VXIは,優れた安定性と信頼性により,高速データキャッシングと一時保存に最適です.その 低 消費 電力 の 設計 は,特に バッテリー 駆動 の ポータブル デバイス に 適し10ns の迅速な応答時間が高性能システムのニーズを満たしている.
製品の特徴についてCY7C1021DV33-10VXI
高速性能: CY7C1021DV33-10VXIは高速読み書きを保証するために,10nsの高速アクセス時間を提供します.
低出力設計: 3.3V の電圧は,システム用電力を効果的に削減します.
高い信頼性: CY7C1021DV33-10VXI工業級温度範囲 (-40°C~+85°C),厳しい環境に適応できる.
大容量: 2Mb (256K x 8-bit) のストレージスペースで様々なニーズを満たす.
高互換性:CY7C1021DV33-10VXI完全静的動作,リフレッシュする必要がない,TTLレベルのインターフェースと互換性がある.
標準パッケージ: 32ピンのSOICパッケージで簡単に統合・溶接できます
これらの機能により,CY7C1021DV33-10VXIは高速データ処理の好ましいソリューションです.
仕様
モデル番号:CY7C1021DV33-10VXI
メモリ容量: 2Mb (256K x 8ビット)
アクセス時間: 10ns
動作電圧: 3.3V ±10%
動作温度範囲: -40°C ~ +85°C
パッケージタイプ:32ピンSOIC
インターフェイスタイプ: パラレル
データ保持電圧:2.0V (最小)
CY7C1021DV33-10VXIの仕様は高速,低消費電力,高い信頼性の強みを完全に示しています
応用分野についてCY7C1021DV33-10VXI
CY7C1021DV33-10VXIは,以下の分野で広く使用されています.
通信機器: ルーター,スイッチ,ベースステーションのデータキャッシュ
工業制御:PLCとモーション制御システムで高速データストレージを提供する.
医療機器:医療画像機器でリアルタイムデータ処理をサポートする.
組み込みシステム:マイクロコントローラーとFPGAの外部ストレージをサポートする.
消費電子機器:高性能デバイス,例えばHDビデオ処理機やゲーム機用
CY7C1021DV33-10VXIは,優れた性能と幅広い応用性により,多くの産業で選択されたSRAMチップになりました.
概要
ミンジアダが供給するCY7C1021DV33-10VXIは,通信に適した高性能で低電力2Mb高速SRAMチップで 10nsのアクセス時間と 3.3Vの稼働電圧で,産業用CY7C1021DV33-10VXIは,高い信頼性と速い応答時間により,さまざまな高速データストレージニーズを満たしています.
新しいシステムを設計するか,既存の機器をアップグレードするか,CY7C1021DV33-10VXIは安定し効率的なソリューションを提供します.優れた性能と信頼性を選択します!
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