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会社ブログについて ミンジアダ 供給 ROHM トレンチ構造 SiC MOSFET,シリコンカルビッド MOSFET

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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ミンジアダ 供給 ROHM トレンチ構造 SiC MOSFET,シリコンカルビッド MOSFET
最新の会社ニュース ミンジアダ 供給 ROHM トレンチ構造 SiC MOSFET,シリコンカルビッド MOSFET

Mingjiada はロームのトレンチ構造 SiC MOSFET、炭化ケイ素 MOSFET を供給

 

深セン明佳達電子有限公司— [ROHM] SiC (炭化ケイ素) MOSFET の長期サプライヤーであり、TO-247-4L、TO-247N、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-263CA-7LSHYAD、TO-3PFM、TOLL、TSC3PAK およびその他多くのパッケージ シリーズをカバーしています。 Mingjiada Electronics は、少量のサンプルと大量の注文の両方をサポートし、効率的な物流システムを利用して迅速な製品配送を保証します。

 

SiC(炭化ケイ素)MOSFET
原理的に、SiC MOSFET はスイッチング プロセス中にテール電流を生成しないため、低スイッチング損失での高速動作が可能になります。オン抵抗が低く、チップ寸法がコンパクトなため、静電容量とゲート電荷が低くなります。さらに、SiC はオン抵抗の増加が最小限に抑えられるなど、優れた材料特性を備えており、温度上昇に伴ってオン抵抗が 2 倍以上増加する可能性があるシリコン (Si) デバイスと比較して、パッケージの小型化とエネルギー効率の点で優れた利点をもたらします。

 

ロームの第4世代SiC MOSFET
新たに発売された第 4 世代 SiC MOSFET は、短絡耐量を向上させながら、業界トップクラスの低いオン抵抗を実現します。さらに、スイッチング損失が低く、ゲート・ソース間電圧15Vに対応しているため、機器のさらなる省エネに貢献します。

 

Mingjiada は、以下を含むがこれらに限定されない、[ROHM] SiC (炭化ケイ素) MOSFET を TO-247-4L パッケージで供給してきました。
SCT3030AR
SCT3030ARHR
SCT3060AR
SCT3060ARHR
SCT3080AR
SCT3080ARHR
SCT4013DR
SCT4013DRHR
SCT4026DR
SCT4026DRHR
SCT4036DR
SCT4036DRHR
SCT4045DR
SCT4045DRHR
SCT4065DR
SCT4065DRHR
SCT4018KR
SCT4036KR
SCT4036KRHR
SCT3040KR
SCT304OKRHR
SCT4050KR
SCT405OKRHR
SCT4062KR
SCT4062KRHR
SCT3080KR
SCT308OKRHR
SCT4090KR
SCT409OKRHR
SCT3105KR
SCT3105KRHR

 

ロームの SiC (炭化ケイ素) MOSFET の詳細またはサンプル価格については、Mingjiada Electronics の Web サイト (https://www.integrated-ic.com/) 供給品の詳細については、を参照してください。

パブの時間 : 2026-07-10 09:39:03 >> ニュースのリスト
連絡先の詳細
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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