ミンジアダサプライ SKハイニックス SAMSUNG DDR4 SDRAM ETTメモリチップ
シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.広範囲にわたるDDR4 SDRAM ETTメモリチップを供給し,三星とSKハイニックスという2つの主要ブランドをカバーしています.
現在Mingjiada Electronicsから入手可能な主なDDR4 ETTメモリチップモデルと仕様は以下のとおりである.
SKハイニックス DDR4 SDRAM
H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb DDR4 SDRAMメモリチップ, 78ボールの FBGA パッケージを使用し,512Mx8 組織を搭載し,2666Mbps のデータ転送速度と 1.2V の動作電圧をサポートする.
H5AN4G6NBJR-UHC 高密度で低消費量の DDR4 シンクロンダイナミックランダムアクセスメモリ (SDRAM)このチップはコンパクトな FBGA-96 パッケージで 4GB (512MB) のストレージ容量を提供しています.
H5AN4G6NBJR-VKC 4Gb (512MB) DDR4 SDRAMメモリチップ,高速同期CMOS技術で製造主に,記憶力の高密度と帯域幅を要求するメインメモリアプリケーション用に設計されている.
H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb DDR4-3200 メモリー・ダイ, 512M×16 組織を搭載し,最大データ転送速度 3200Mbps をサポートする, 1.2V の低電圧設計に基づいて, FBGA-96 パッケージ (13×7.5mm)
H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb (1GB) DDR4 SDRAMメモリチップ,高速シンクロ CMOS プロセスで製造1G × 8ビット (8ビット幅) の内部組織で,高帯域幅のデータ転送を達成するために8ビットプリフェッチアーキテクチャを使用する.
H5AN8G8NCJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAMメモリ, 78ボールの FBGA パッケージで,1.2Vで動作し,最大データレート 3200Mbps (DDR4-3200) をサポートし,1G × 8ビット組織.
H5ANAG6NCJR-XNC 16Gb DDR4 SDRAMメモリモジュール 16Gb の容量で,1G × 16 として配置され,RoHS に準拠する BGA-96 ボール パッケージを使用します.データ速度は 3200 MT/s と指定されています.最大クロック速度は1600MHz.
H5ANAG8NCJR-XNC 16Gb (2GB) DDR4 SDRAMメモリチップ,標準DDR4電圧 (通常1.2V) で動作し,SKハイニックス1znm (D1Z) プロセスを用いて製造され,78ボールのFBGAパッケージ.
SAMSUNG DDR4 SDRAM
K4A8G085WC-BCTD 8GB DDR4 SDRAMメモリチップ,1.2Vで動作し,78-FBGAパッケージで,動作温度範囲は0〜85°C
K4A4G165WF-BCTD 高性能 4 Gb DDR4 SDRAM メモリーチップ 最大クロック周波数 1.066 GHz
K4A4G165WE-BCRC 4 Gb (512 MB) DDR4 SDRAMメモリ,256M × 16 ビットアーキテクチャと96ボールの FBGAパッケージを搭載し,標準電圧1で動作する.2Vで,最大データ転送速度は DDR4-2400 (2400 Mbps).
K4A4G165WF-BCWE 4Gb (512MB) DDR4 SDRAMメモリチップ,256M × 16ビットアーキテクチャと96ボールの FBGAパッケージを搭載し,標準電圧1.2Vで最大データ転送速度は DDR4-3200 (3200 Mbps).
K4A8G165WB-BCRC 8Gb DDR4 メモリーチップ, 96ボールの FBGA パッケージを使用し,名指速度は2400 Mbps,動作電圧は1.2V.
K4A8G165WC-BCTD 8Gb (1GB) DDR4 SDRAMメモリチップ,512M × 16ビットアーキテクチャと96ボールの FBGAパッケージを搭載し,標準電圧1.2Vで動作する.このチップは,サムスンのC-Die製品シリーズに属しており,最大データ転送速度は DDR4-2666 (2666 Mbps) をサポートしています..
これらのメモリチップは,サーバー,データセンター,ネットワーク通信,産業制御,自動車電子機器に広く使用されています.ミンジアダ・エレクトロニクスは,小量サンプルと大量供給の両方を提供しています正確な価格表は,チップのブランド,容量,ビット幅,速度,パッケージの種類,購入量をお願いします.
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