I. 製品概要: インフィニオン F3L11MR12W2M1
株式会社シェンゼン・ミンジアダ・エレクトロニクス (Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.) は,インフィニオンF3L11MR12W2M1シリーズシリコンカービッド (SiC) MOSFET電源モジュールを競争力のある価格で一貫して購入しています.このモデルはEasyPACKTM 2Bパッケージングシリーズに属し,CoolSiCTMトレンチMOSFET技術を使用しています.1500Vの光伏インバーターとエネルギー貯蔵システム (ESS) 向けに特別に設計された3レベル (3-Level) 電力モジュールです.
F3L11MR12W2M1シリーズは複数のサブモデルを含む.共通仕様は以下のとおりである.
ブランド:インフィニオン
技術:CoolSiCTM トレンチ MOSFET
定数電圧 (V_DS): 1200V
最大電流 (I_D): 100A
オン抵抗 (R_DS(オン): 11.3 mΩ (典型)
パッケージタイプ:EasyPACKTM 2B (AG-EASY2B-2)
トポロジー: 3レベルアクティブクランプ (ANPC)
統合機能:NTC温度センサー,PressFITクリップ端末
動作温度: -40°Cから+175°C
注:このシリーズの一般的なサブモデルには,F3L11MR12W2M1_B74,F3L11MR12W2M1_B65,F3L11MR12W2M1HP-B19などがあります.異なる後尾は特定の構成の変化に対応します.ミンジアダが全シリーズを買った.
II. 基本的な応用シナリオ
低スイッチ損失,高電流密度,優れた熱性能により,F3L11MR12W2M1は主に以下の高成長セクターで使用されています.
11500V PVインバーター
このモジュールは1500VのDCバス電圧をサポートする.各段階に2つのモジュールを並列接続することで,最大出力150kWを達成することができ,システムの効率は99.2%にも達する.その最適化されたコンミュテーション回路設計は,見逃し誘導を大幅に減らす高功率のストリング型 PVインバーターに最適です
2貯蔵システム (ESS)
単一モジュールは,各段階で最大75kWの電力をサポートし,高周波スイッチと高電力密度のバッテリーエネルギー貯蔵システムの要件を満たします.
3電気自動車 (EV) の充電ステーション
800V高電圧プラットフォームの普及により,このモジュールの高電圧評価と低オン状態損失は,高電源直流充電ステーションのための理想的な電源装置となっています.
4断続電源 (UPS) と固体トランスフォーマー (SST)
3階層トポロジーは,SiC MOSFETの高速スイッチ能力と組み合わせて,UPSとSSTシステムの効率と電源密度を大幅に向上させる.
III. 製品の主な利点
シリコンカービッド (SiC) 技術の利点:伝統的なIGBTと比較して,SiC MOSFETはより低いスイッチ損失を提供し,より高いスイッチ周波数を実現し,全体的なシステム効率を改善します.
3階層トポロジー:アクティブ・クラップド3階層 (ANPC) サーキットをサポートし,ハーモニックを効果的に削減し,電力品質を改善する.
より高い統合性:内蔵されたNTC温度センサーとPressFITクリップリードにより,システムの設計が簡素化され,信頼性が向上します.
優れた熱性能:最適化されたチップレイアウトとパッケージデザインにより,効率的な熱散が保証され,厳しい条件下で動作をサポートします.
なぜ ミンジヤダ を 選ん だ の か
電子部品産業に長年深く関わっていますシリコンカービッド (SiC) の電源装置とIGBTモジュールの購入を専門とする業界で優れた評判を得ています
サービス の 利点
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V. 私たちに連絡してください
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