会社ブログについて AIサーバーにおけるMOSFETの応用 | Infineon OptiMOS™、CoolMOS™、CoolSiC™、ROHM SiC MOSFET、Microchip mSiC™シリーズのサプライヤー

AI コンピューティング パワーの需要の爆発的な増加とともに,サーバー電源システムは800V HVDC アーキテクチャに向かって急速に進化しています.CoolMOSTM と CoolSiCTMROHMのSiC MOSFETsとMicrochipのmSiCTMシリーズは,AIサーバーの電源設計のための包括的な電力半導体ソリューションを提供します.

I. AI サーバー パワー アーキテクチャと パワー デバイス 要求の進化

生成的なAIモデル訓練と推論クラスタの電力消費量は メガワットレベルを超えました標準的な10kWから100kW,さらにはそれ以上に急激に増加するこの変化により,電源MOSFETには前例のない要求が課されています. オン状態の損失が低く,電圧耐圧能力が高く,熱安定性が高く,スイッチ機能が優れている.

現在のAIサーバーの電源アーキテクチャは,3つの異なる技術経路に沿って進化しています.電流削減のステップアップ (12V/48Vから400V/800V高電圧DCへの移行),変換段階の数を減らす (800V → 48V → 12V → コアに多段階変換から簡素化)これらの変化により,シリコンカーバイド (SiC) とシリコンベースの超接合モスフェットが重要な部品となった.

II. 明治田電子: 専門のパワーモスフェットサプライヤー

1996年に設立された深?? 明治田エレクトロニクス株式会社 (Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd) は,電子部品の世界的に有名な認可された独立したディストリビューターです.本部は深?? にあります.会社は香港に支店を設立している.日本,ロシアなどで,ISO 9001:2014国際品質管理システム認証とISO 14001:2014環境管理システム認証を取得しています.500名以上の有名なメーカーから製品を販売しています.

電力機器の分野では,明治田電子は,Infineon,ROHM,Microchipなどの主要な国際半導体メーカーと長期的な,安定したパートナーシップを確立しました.製品の品質と供給の信頼性を確保する.

III インフィニオン パワー MOSFET シリーズの詳細な概要

1OptiMOSTM 7シリーズ クラウドコンピューティング用に設計された

インフィニオン OptiMOSTM 7シリーズは,特定のアプリケーション要件に合わせた"アプリケーション指向"のデザイン哲学を採用しています.このシリーズのスイッチ最適化製品は,将来のデータセンターのために特別に設計されています.サーバーと通信機器性能の形態 (FOM) を最大25%向上させ,ソースダウンパッケージの利用により熱管理能力を大幅に強化する.

OptiMOSTM 7 25V MOSFETは,主に中間バスコンバーター (IBC) アプリケーションを対象とし,AIコア電源をサポートするために48V電圧変換に適しています.製品ポートフォリオは2つの主要技術カテゴリーに分かれています: 硬式スイッチと軟式スイッチ,名値温度が175°Cまで.

2. OptiMOSTM 6 シリーズ DC-DC 変換効率の新しい基準を設定

インフィニオンのOptiMOSTM 6 80V MOSFETは,コンパクトな5x6mm2の双面熱分散パッケージに収蔵されており,主要なプロセッサメーカーからのAIサーバープラットフォームのIBC層に統合されています.応用試験では,その効率は約0です前回のソリューションよりも0.4%高いため,約4.3W/kWの負荷を節約できます.

このソリューションを2000台のラックを持つ超規模のデータセンターに展開すると,1時間あたり1.2MWh以上のエネルギーが節約できます.この製品はハードスイッチトポロジーでも優れたスイッチ性能を提供します.,導電損失を減らすことでエネルギー効率を向上させ,二面熱分散パケットは熱管理を改善し,電力密度を高めるのに役立ちます.

3. CoolMOSTM 8シリーズ 超接線MOSFET技術の基準

インフィニオンのCoolMOSTM 8超接続MOSFETは,Mimi Electricの5.5kWのAIサーバー電源をTitanium Plus効率認証を達成できるようにしました. CFD7シリーズと比較して,CoolMOSTM 8はゲートチャージを18%削減しています■P7シリーズと比較して,この値は33%に上昇します.この製品は,市場で最も速いオフタイムを誇っています.熱性能が前世代と比較して 14% から 42% 向上した.

CoolMOSTM 8は,高速ボディダイオードを統合し,低功耗のスイッチ電源からサーバーなどの高功耗システム,電気通信機器と固体電路断片.

4. CoolSiCTM MOSFET G2シリーズ シリコンカービッド技術のリーダー

インフィニオンの第2世代650V CoolSiCTM MOSFETは,AIサーバーのための高電圧電源のコアコンポーネントである. 24kWのバッテリーバックアップユニット (BBU) の基準設計では,DC-DC変換段階は,コールシックMOSFET IMT65R033M2Hの周りに構築された変換効率が99%を超える.

650Vの断熱電圧,安定したボディダイオード, 175°Cのジャンクション温度,.XTパッケージング技術この製品は,電圧のピークなどの苛酷な運用条件下で,例外的な信頼性を示しています.高度なDV/DTトランジエントと持続的な熱循環

IV ROHM SiC MOSFETシリーズ

ROHMの750V SiC MOSFET,SCT4013DLLは,AIサーバー電源BBUで採用されており,±400V電源アーキテクチャで動作する電源ユニット内で構成されている.この製品は 175°Cの最大交差温度で優れた高温耐性を備えています熱発生が増加する電圧と電力密度の増加により,BBU内で安定した動作を可能にします.

次の世代の800V直流電源アーキテクチャでは,BBUの内部バッテリーパックへの電源電圧が約560Vである場合,ROHMの750V SiC MOSFETも利用できる.ROHMはホワイトペーパー"AIサーバーのためのROHMの800VDCアーキテクチャーソリューション"を公開しました.AIサーバーの電源設計に包括的なソリューションを提供します

V.マイクロチップ mSiCTMシリーズ

マイクロチップの3.3kV HV-D3 mSiC電源モジュールは,AIデータセンターにおける固体トランスフォーマー (SST) アプリケーションのために特別に設計されています.モジュールは3.3kVの電源モジュールを統合しています.3kVのシリコンカービッドMOSFETと,業界標準の62mmパッケージ内のシュトキーダイオード中圧電網からサーバー・ラックに直接高効率の電力を供給できるようにする.

マイクロチップのmSiC MOSFET技術は,幅広い温度範囲で非常に競争力のあるRDS (オン) 安定性を維持しています.低電圧SiCソリューションと比較して,需要されるシリーズのコンポーネントの数は,.8kVまたは34.5kVの電網.このモジュールは100から300Aまでのアプリケーションをサポートし,固体トランスフォーマー,中電圧モーター駆動装置および産業用電源システムに適しています.

VI.AIサーバー電源の典型的なアプリケーションシナリオ

IBC 中間バス変換: OptiMOSTM 7/6 高効率DC-DC変換,強化された電源密度

PFC/LLC 主要側:CoolMOSTM 8 タイタンレベルの効率,高速スイッチ

高電圧BBU:CoolSiCTM G2 99%+効率,高い信頼性

800V HVDC: ROHM SiC MOSFET 高温耐性,低損失

固体トランスフォーマー: マイクロチップ mSiCTM 中電圧直変換,変換段階の数を減らす

結論

AIコンピューティングインフラストラクチャの急速な拡大により サーバーの電源は 電力密度,変換効率,高温信頼性に関して 非常に厳しい要求に直面していますインフィニオン オプティモスTM,CoolMOSTMとCoolSiCTM,またMingjiada Electronicsが供給するROHM SiC MOSFETとMicrochip mSiCTMシリーズ,高エネルギー効率のAIサーバーの電源を製造するための重要な選択になりました優れた技術性能と安定した供給能力のおかげで

詳細な製品情報またはオートメントを依頼するには,Mingjiada Electronicsのウェブサイト (www.hkmjd.com) を訪問するか,当社の販売チームに連絡してください.

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