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会社ブログについて ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A シングルNチャネルMOSFETパワートランジスタ

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ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A シングルNチャネルMOSFETパワートランジスタ
最新の会社ニュース ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A シングルNチャネルMOSFETパワートランジスタ

オンNVMFS5C430NWFAFT1G40V 35A シングルNチャンネルMOSFET電源トランジスタ

 

シェンzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,ONのNVMFS5C430NWFAFT1G単チャンネルMOSFET電源トランジスタを供給しています.NVMFS5C430NWFAFT1G優れた性能と信頼性を有する自動車級の電源装置で, 自動車用電子機器や工業用アプリケーションに最適です

 

ほらNVMFS5C430NWFAFT1G製品概要ほら

NVMFS5C430NWFAFT1Gは,高性能のシングルNチャンネル電源MOSFETトランジスタである.先進的なDFN-5 (5.9x4.9) パッケージを使用し,この製品は,高電圧に耐える能力を含む優れた特性を持っています.高流量,低電阻.特に高電源密度と効率的な熱管理を必要とするコンパクトな設計に適しています.

 

ほらNVMFS5C430NWFAFT1G製品の特徴と利点

NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFETは,いくつかの顕著な機能と利点を提供しています:

 

高電流処理能力:NVMFS5C430NWFAFT1Gは,環境温度の25°Cで連続流出電流35Aに耐えるが,室温条件では185Aまで上昇する.高功率アプリケーションの要求に応えるようにする.

 

非常低電阻: 非常低電阻でわずか1.7mΩ (10Vの電圧と50Aの電流で),このMOSFETは導電損失を効果的に最小限に抑える.システム全体の効率を向上させる熱量も減少します

 

コンパクトなパッケージと熱性能:NVMFS5C430NWFAFT1GDFN-5 (5.9x4.9) のフラット・リード・パッケージを使用します.このコンパクトなフットプリントは,特にスペースが限られた設計に適しています.同時に,パッケージデザインは優れた熱性能を提供します.熱管理を助ける.

 

濡れる側面オプション:このパッケージには,自動光学検査 (AOI) 機能を強化する濡れる側面オプションが含まれています.これは製造中に溶接器の質の確認を容易にする生産の生産性と信頼性を向上させ,特に自動車電子機器製造の需要を満たす.

 

自動車級の信頼性認証:NVMFS5C430NWFAFT1GAEC-Q101 認証を受け,生産部品承認プロセス (PPAP) 機能が組み込まれ,自動車電子機器の厳しい信頼性と品質要求を完全に満たしています.

 

高周波スイッチングに適している.高電流能力にもかかわらず,ゲート電荷 (Qg) は47nC,入力容量 (Ciss) は3.3nF.クラス内で競争力のある切り替え性能を提供これは,幅広いスイッチング電源アプリケーションに適しています.

 

最新の会社ニュース ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A シングルNチャネルMOSFETパワートランジスタ  0

 

ほらNVMFS5C430NWFAFT1G製品 ハイライト

NVMFS5C430NWFAFT1Gの主要特徴は以下のとおりである.

 

特殊な電気性能:NVMFS5C430NWFAFT1G40Vの排気源電圧 (Vdss) と35A (Ta)/185A (Tc) の連続流出電流を搭載する.最大電源抵抗はわずか1.7mΩ@50A,10V,伝導損失を大幅に削減し,システムの効率を向上させる.

 

オプティマイズされたスイッチング特性:NVMFS5C430NWFAFT1Gは,低ゲート充電 (Qg) 47nC@10V,入力容量 (Ciss) 3300pF@25Vを誇っています.これらの特性により,シネージスト的に,より低い切り替え損失が得られます.高周波スイッチングアプリケーションで優れた性能を可能にします.

 

堅牢で信頼性の高い設計: ±20Vのゲート・ソース・電圧 (Vgs) 容量は,より大きな設計幅と干渉に対する免疫性を提供し,システムの安定性を向上させる.

 

優れた熱性能:NVMFS5C430NWFAFT1G最大106W (Tc) の電力の消耗に耐えることができ,高電力のアプリケーションで信頼性の高い動作を保証する.

 

ほらNVMFS5C430NWFAFT1G梱包と装着

NVMFS5C430NWFAFT1Gは,わずか4.9x5.9mmの 8-PowerTDFN パッケージ (5-DFNW5またはDFN-5としても知られています) を利用しています.このコンパクトなパッケージデザインは,スペースが制限されたアプリケーションに理想的です.

 

NVMFS5C430NWFAFT1Gは,表面マウント技術 (SMT) を採用し,濡れる側面を搭載している.自動車用電子機器の製造において,生産品質と信頼性を向上させるために必要不可欠な自動光学検査 (AOI) の促進.

 

適切な熱管理設計により,このパケットは,チップによって生成される熱をPCBに効率的に伝導します.MOSFETの性能の可能性が完全に実現できる.

 

適用分野NVMFS5C430NWFAFT1Gほら

NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFETは,優れた性能により,複数の領域で幅広いアプリケーションの可能性を提供しています.

 

自動車用電子システム:アプリケーションには,モーター制御 (駆動,ブレーキ,シールドステアリング),バッテリー管理システム (BMS),DC-DC変換機,LED照明ドライバー,バッテリー保護AEC-Q101 認証と PPAP 機能により,自動車用アプリケーションに理想的な選択となります.

 

産業自動化と制御NVMFS5C430NWFAFT1GPLCシステム,産業用モーター駆動,ロボットコントローラ,そして高功率のスイッチ電源を含む要求の高い産業用シナリオに対応します.

 

電力管理システム:NVMFS5C430NWFAFT1Gは,サーバー,通信機器,工業機械の電力管理に適しています.優れたスイッチ特性により,高周波のスイッチング電源の設計が可能減小した受動部品サイズと強化された電力密度を促進します.

 

高効率のDC-DC変換機:NVMFS5C430NWFAFT1Gは,特に負荷点 (POL) 変換機および二次側同期直線アプリケーションに適しています.低電阻と低ゲート充電特性により,変換効率が向上し,エネルギー損失が減少する..

 

モータードライブと制御:NVMFS5C430NWFAFT1G効率的に様々な直流モーターを駆動し 産業自動化,ロボット工学,電動工具に適しています高い電流処理能力と優れた熱性能は,モーター起動インシュラッシュ電流の間に堅牢な動作を保証.

パブの時間 : 2025-09-20 15:12:53 >> ニュースのリスト
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