会社ブログについて NXH020P120MNF1PG シリコンカービッドMOSFET半ブリッジモジュール

オンNXH020P120MNF1PGシリコンカービッドMOSFET半橋モジュール

製品説明NXH020P120MNF1PG

NXH020P120MNF1PG20mohm 1200VのSiC MOSFET半ブリッジとNTC熱電阻をF1モジュールに搭載したSiC MOSFETモジュールです.

仕様NXH020P120MNF1PG

テクノロジー SiC

マウントスタイル: セットを押す

パッケージ/ケース モジュール

トランジスタの偏性: Nチャンネル

Vds - 排水源の断熱電圧: 1.2kV

Id - 連続流出電流: 51A

Rds ON - 排水源抵抗: 30mOhms

Vgs - ゲート・ソースの電圧: - 15V, + 25V

Vgs th - ゲート・ソースの限界電圧: 1.8V

最低動作温度: - 40°C

最大動作温度: +150C

Pd - エネルギー分散: 211W

秋の時間 8.4 ns

昇る時間: 8.8 ns

典型的な遅延時間: 8.4 ns

典型的な切断遅延時間: 105 ns

典型的オンアップ遅延時間: 44 ns

特徴NXH020P120MNF1PG

20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋

サーミストール

予備適用された熱インターフェース材料 (TIM) と予備適用されたTIMなしのオプション

プレスフィットピン

製品NXH020P120MNF1PG

電気自動車の充電器

エネルギー貯蔵システム

太陽光インバーター 3相

断絶しない電源

適用するNXH020P120MNF1PG

ソーラーインバーター

断絶しない電源

電気自動車の充電ステーション

産業力

スケマ図NXH020P120MNF1PG