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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. ブログ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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最新の会社ニュース 供給の低いドロップアウトの調整装置、供給の記憶ICのセンサー、マイクロ制御回路ICの供給のトランシーバーIC

供給の低いドロップアウトの調整装置、供給の記憶ICのセンサー、マイクロ制御回路ICの供給のトランシーバーIC

[2023-07-18 12:09:56]
供給の低いドロップアウトの調整装置、供給の記憶ICのセンサー、マイクロ制御回路ICの供給のトランシーバーIC 低雑音LP591225MDRVREPの低いドロップアウトの調整装置6-WDFNの集積回路の破片 部品番号: LP591225MDRVREP 現在-供給(最高): 600 µA PSRR: 80dB | 40dB (100Hz | 100kHz) 実用温度: -55°C | 125°C (TJ) 1つのKHzのPSRR: 75 DB (タイプ) 制御特徴: 現在の限界は、よく、柔らかい開始を可能にしたり、動力を与える シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。 私達はさまざま... 続きを読む
最新の会社ニュース 獲得のモーションセンサー、獲得の新しいエネルギーICの事IC、BT ICの獲得ICの破片のインターネット

獲得のモーションセンサー、獲得の新しいエネルギーICの事IC、BT ICの獲得ICの破片のインターネット

[2023-07-18 12:04:25]
獲得のモーションセンサー、獲得の新しいエネルギーICの事IC、BT ICの獲得ICの破片のインターネット モーションセンサーFXLS8967AFR3の3-Axis低g加速度計10-DFNの集積回路の破片 特徴: 調節可能な帯域幅、休眠モード、温度検出器 部品番号: FXLS8967AFR3 実用温度: -40°C | 105°C 感受性(LSB/G): 1024 (±2g) | 128 (±16g) 加速範囲: ±2g、4g、8g、16g 帯域幅: 1.6kHz シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。 私達はさまざまな分野で、を含むがそれに限定されず使用される広い一連のモジュー... 続きを読む
最新の会社ニュース 供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3

供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3

[2023-07-18 12:00:15]
供給のN-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100Vの自動車等級のMOSFETsのトランジスターTO-252-3 指定 トランジスター極性:N-Channel チャネルの数:1つのチャネル Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:100ボルト ID -連続的な下水管の流れ:35 A Rdsのオン下水管源の抵抗:20のmOhms Vgs -ゲート源の電圧:- 20ボルト、+ 20ボルト VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:1.2 V Qg -ゲート充満:39 NC 最低の実用温度:- 55 C 最高使用可能温度:+ 175 C Pd -電力損失:71 W チャネル モード:強化 ... 続きを読む
最新の会社ニュース Quectelリサイクルされた5Gモジュール、Qorvo WIFI 6の破片、Navitasの速い充満破片

Quectelリサイクルされた5Gモジュール、Qorvo WIFI 6の破片、Navitasの速い充満破片

[2023-07-18 11:39:24]
Quectelリサイクルされた5Gモジュール、Qorvo WIFI 6の破片、Navitasの速い充満破片 シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社は現金との個人的な目録、工場目録および高い値段、積送品、販売代理店およびクリアランス セールで習慣の握りの購入のような詳細な縦サービスで長期約束が、あった世界的に有名な電子部品の再資源業者である。深遠な経済力および値されたビジネス評判に頼って、Mingjiadaは世界中ですぐに多くの工場顧客の信頼を得、長期協力的な関係を確立した。私達は私達の専門技術および豊富な経験にてこ入れし、完全性と人々を扱う。耐久性がある調査および開発によって... 続きを読む
最新の会社ニュース リサイクルされたFPGAの破片、リサイクルされたマイクロプロセッサ、リサイクルされた無線コミュニケーション、リサイクルされたイーサネット破片

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[2023-07-17 12:16:15]
リサイクルされたFPGAの破片、リサイクルされたマイクロプロセッサ、リサイクルされた無線コミュニケーション、リサイクルされたイーサネット破片 私達は5G、新しいエネルギーの事のインターネット、車、自動車標準的な装置、基地局、コミュニケーション、人工知能、無線周波数、家庭電化製品、サイリスタ、医療サービス、企業、Bluetooth 5.0のイーサネット、センサー、光学モジュール、DC/DC、Wi-Fi、LPWA、GNSSおよびIGBTのインターネットを含むがそれに限定されずさまざまな分野で、使用される広い一連のモジュールを購入する。 私達はまたさまざまな電子部品を購入し、ICは、を含むがそれに限... 続きを読む
最新の会社ニュース 破片64-LQFPの供給のマイクロ制御回路MCU CY8C4247AZI-L475 48MHzプログラマブル システム

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[2023-07-17 12:11:32]
破片64-LQFPの供給のマイクロ制御回路MCU CY8C4247AZI-L475 48MHzプログラマブル システム CY8C4247AZI-L475の製品の説明 CY8C4247AZI-L475はArm® Cortex®-M0 CPUを搭載するプログラム可能な埋め込まれたシステム制御装置の系列のための拡張可能で、再構成可能なプラットホームの建築である。 CY8C4247AZI-L475の指定 部品番号 CY8C4247AZI-L475 中心プロセッサ ARM® Cortex®-M0 コア サイズ 32ビット単心 速度 48MHz 入力/出力の数 53 プログラム記憶容量 128KB ... 続きを読む
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[2023-07-17 11:45:14]
供給のマイクロ制御回路MCUsの供給の自動車破片、供給の集積回路の破片、供給力モジュール 破片64-LQFPのマイクロ制御回路MCU CY8C4247AZI-L475 48MHzプログラマブル システム 部品番号: CY8C4247AZI-L475 データ変換装置: A/D 16x12b SAR;D/A 4x8b 中心: 腕の皮質M0 低い電力操作: 1.71 Vから5.5ボルト タイマー/カウンターの数: 8タイマー 実用温度: -40°C | 85°C (TA) 私達はさまざまな分野で、を含むがそれに限定されず使用される広い一連のモジュールを供給してもいい:5Gの新しいエネルギー、事のイン... 続きを読む
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[2023-07-17 11:42:39]
獲得BTの破片、獲得の自動車破片、獲得のマイクロ制御回路MCUの獲得のイーサネット破片 獲得のマイクロ制御回路MCUs マイクロ制御回路MCU EFM32ZG110F32-B-QFN24Rゼロ ヤモリMCUs 24-VQFN 24MHz 部品番号: EFM32ZG110F32-B-QFN24R 中心プロセッサ: ARM® Cortex®-M0+ インターフェイスの種類: I2C、UART、USART 速度: 24MHz データ変換装置: A/D 2x12b;D/A 1x12b データRAMのサイズ: 4 KB シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。 私達はさまざまな電子部品を購... 続きを読む
最新の会社ニュース 事の獲得のインターネットは、GaN ICの自動車IGBTモジュール、BT ICの破片欠ける

事の獲得のインターネットは、GaN ICの自動車IGBTモジュール、BT ICの破片欠ける

[2023-07-17 11:34:03]
事の獲得のインターネットは、GaN ICの自動車IGBTモジュール、Bluetooth ICの破片欠ける 私達は5G、新しいエネルギーの事のインターネット、車、自動車標準的な装置、基地局、コミュニケーション、人工知能、無線周波数、家庭電化製品、サイリスタ、医療サービス、企業、BT 5.0のイーサネット、センサー、光学モジュール、DC/DC、Wi-Fi、LPWA、GNSSおよびIGBTのインターネットを含むがそれに限定されずさまざまな分野で、使用される広い一連のモジュールを購入する。 高い安全性の獲得のIoTの破片RTL8721DMのAmeba Dシリーズ デュアル バンドWIFI BLE 5... 続きを読む
最新の会社ニュース 統合された運転者によって隔離されるゲートの運転者が付いている供給のGaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET

統合された運転者によって隔離されるゲートの運転者が付いている供給のGaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET

[2023-07-17 11:29:04]
統合された運転者によって隔離されるゲートの運転者が付いている供給のGaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET 記述統合された運転者および保護のLMG3422R030RQZR GaN FETはデザイナーがパワー エレクトロニクス システムの出力密度そして効率の新しいレベルを達成することを可能にする。 LMG3422R030RQZRは150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。分離したケイ素 ゲートの運転者と比較されるより高い切換えSOAの統合された精密ゲート バイアス結果。lowinductanceパッケージと結合されるこの統... 続きを読む
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