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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. ブログ

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中国 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 認証
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最新の会社ニュース トランシーバー モジュールBM23SPKA1NB9-0B02AA 2.4GHz BT 4.1のステレオ可聴周波モジュール

トランシーバー モジュールBM23SPKA1NB9-0B02AA 2.4GHz BT 4.1のステレオ可聴周波モジュール

[2023-03-29 11:52:45]
トランシーバー モジュールBM23SPKA1NB9-0B02AA 2.4GHz BT 4.1のステレオ可聴周波モジュール BM23SPKA1NB9-0B02AAの製品の説明BM23SPKA1NB9-0B02AAはステレオの可聴周波モジュールであるプロダクトに無線音声および声の塗布を加えるデザイナーのためのBT v4.1 (BDR/EDR)可聴周波モジュールである。 BM23SPKA1NB9-0B02AAの指定 部品番号: BM23SPKA1NB9-0B02AA プロダクト状態: 活動的 RFの家族/標準: BT 議定書: BT V4.1 調節: 8DPSK、DQPSK、GFSK 頻度: 2... 続きを読む
最新の会社ニュース 2.44GHz RN4871U-V/RM118 BTモジュール- 802.15.1 BT 4.2 BLEモジュール保護されていない6x8mm

2.44GHz RN4871U-V/RM118 BTモジュール- 802.15.1 BT 4.2 BLEモジュール保護されていない6x8mm

[2023-03-29 11:52:55]
2.44GHz RN4871U-V/RM118 BT モジュール - 802.15.1 BT 4.2 BLE モジュール シールドなし 6x8mm RN4871U-V/RM118の製品説明 RN4871U-V/RM118 BT® 4.2 Low Energy (BLE) モジュールは、使いやすい ASCII スタイルのコマンド インターフェイスを備えた次世代デバイスです。 RN4871U-V/RM118の仕様 部品番号: RN4871U-V/RM118 周波数: 2.44GHz 供給電圧 - 最小: 1.9V 供給電圧 - 最大: 3.6V 最低動作温度: - 20℃ 最高動作温度: + 70... 続きを読む
最新の会社ニュース 含まれなかったBT IC RN4870U-V/RM118 BT 5.0のトランシーバー モジュール2.4GHzのアンテナをリサイクルする

含まれなかったBT IC RN4870U-V/RM118 BT 5.0のトランシーバー モジュール2.4GHzのアンテナをリサイクルする

[2023-03-29 11:47:49]
含まれなかったBT IC RN4870U-V/RM118 BT 5.0のトランシーバー モジュール2.4GHzのアンテナをリサイクルする RN4870U-V/RM118の製品の説明 RN4870U-V/RM118モジュールはBT 4.0の標準に基づいて前の世代別プロダクト上のデータ・スループットの改善を2.5倍まで提供する。 RN4870U-V/RM118の指定 部品番号: RN4870U-V/RM118 議定書: BT 5.0 クラス: BLE 出力電力: 0 DBm データ転送速度: 10 Kb/s 受信機の感受性: - 90 DBm RN4870U-V/RM118の特徴 3.6V (典型... 続きを読む
最新の会社ニュース 獲得の自動車はFFSB0865B-F085 650Vの整流器の単一のダイオードTO-263-2の獲得のダイオードを欠く

獲得の自動車はFFSB0865B-F085 650Vの整流器の単一のダイオードTO-263-2の獲得のダイオードを欠く

[2023-03-29 11:48:12]
Acquisitions 自動車用チップ FFSB0865B-F085 650V 整流器 シングル ダイオード TO-263-2 Acquisitions ダイオード FFSB0865B-F085の製品説明FFSB0865B-F085 はシリコン カーバイド (SiC) ショットキー ダイオード – EliteSiC、アバランシェ定格は 33 MJ です。パッケージは D²PAK-2 (TO-263-2) 表面実装です。 FFSB0865B-F085の仕様 部品番号: FFSB0865B-F085 逆回復時間 (Trr): 0Ns 消費電力 (TC = 150°C): 12W 消費電力 (TC ... 続きを読む
最新の会社ニュース マイクロ制御回路MCU STM32WB55VEQ6多重プロトコルの無線32Bit MCU UFBGA129低い電力

マイクロ制御回路MCU STM32WB55VEQ6多重プロトコルの無線32Bit MCU UFBGA129低い電力

[2023-03-29 11:40:32]
マイクロ制御回路MCU STM32WB55VEQ6多重プロトコルの無線32Bit MCU UFBGA129低い電力 STM32WB55VEQ6の製品の説明 FPU、BT® 5.3および802.15.4のSTM32WB55VEQ6多重プロトコルの無線32ビットMCU Arm®ベースのCortex®-M4無線の解決。 パッケージは129-UFBGA (7x7)である。 STM32WB55VEQ6の指定 部品番号: STM32WB55VEQ6 GPIO: 72 シリアル・インタフェース: ADCのIの² C、SPI、UART、USART、USB 電圧-供給(最高): 3.6V 実用温度(最高): ... 続きを読む
最新の会社ニュース BT V5.3を支える獲得BTの破片無線MCU STM32WB10CCU5 2.4GHz RFのトランシーバーIC

BT V5.3を支える獲得BTの破片無線MCU STM32WB10CCU5 2.4GHz RFのトランシーバーIC

[2023-03-28 16:36:05]
BT V5.3を支える獲得BTの破片無線MCU STM32WB10CCU5 2.4GHz RFのトランシーバーIC STM32WB10CCU5の製品の説明 STM32WB10CCU5多重プロトコルの無線電信32ビットMCUsはBLUETOOTH®の低負荷のSIGの指定v5.0と迎合的な強力なおよび超低力のラジオを埋め込む。STM32WB10CCU5はすべての実時間低層操作を行うために熱心なArm® Cortex®-M0+を提供する。 STM32WB10CCU5の指定 部品番号: STM32WB10CCU5 中心: 腕の皮質M0+の腕の皮質M4 プログラム記憶容量: 320 kb データ・バス幅... 続きを読む
最新の会社ニュース 無線MCU STM32WBA52CGU6 2.4GHz RFのトランシーバーIC BT v5.3 48-UFQFNのパッケージ

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[2023-03-28 16:33:10]
無線MCU STM32WBA52CGU6 2.4GHz RFのトランシーバーIC BT v5.3 48-UFQFNのパッケージ STM32WBA52CGU6の製品の説明 STM32WBA52CGU6多重プロトコルの無線ラジオMCUsはBLUETOOTH®の低負荷のSIGの指定5.3またはIEEE 802.15.4-2011と迎合的な強力な、超低力のラジオを埋め込む。 STM32WBA52CGU6の指定 部品番号: STM32WBA52CGU6 製品カテゴリ: RFのマイクロ制御回路- MCU 技術: Si 実用温度: -40°C | 85°C (TA) STM32WBA52CGU6の特徴 ... 続きを読む
最新の会社ニュース 獲得の自動車はFFSB0665B-F085整流器の単一のダイオードTO-263-2の獲得のダイオードを欠く

獲得の自動車はFFSB0665B-F085整流器の単一のダイオードTO-263-2の獲得のダイオードを欠く

[2023-03-28 11:43:43]
Acquisitions 自動車用チップ FFSB0665B-F085 整流器 シングル ダイオード TO-263-2 Acquisitions ダイオード FFSB0665B-F085の製品説明 FFSB0665B-F085 は、シリコン カーバイド (SiC) ショットキー ダイオード、逆回復電流なし、温度に依存しないスイッチング特性です。 FFSB0665B-F085の仕様 部品番号: FFSB0665B-F085 アバランチ評価: 24.5MJ 最大ジャンクション温度: 175℃ 取り付けタイプ: 表面実装 電流 - 平均整流 (Io): 8A パッケージ/ケース: TO-263-3... 続きを読む
最新の会社ニュース 自動車はFFSB0865B-F085炭化ケイ素のショットキー ダイオードTO-263-2の整流器の単一のダイオードを欠く

自動車はFFSB0865B-F085炭化ケイ素のショットキー ダイオードTO-263-2の整流器の単一のダイオードを欠く

[2023-03-28 11:29:58]
自動車はFFSB0865B-F085炭化ケイ素のショットキー ダイオードTO-263-2の整流器の単一のダイオードを欠く FFSB0865B-F085の製品の説明 FFSB0865B-F085分離した半導体製品-整流器の単一のダイオード、高いサージ電流容量、最低の接合部温度-55°C。 FFSB0865B-F085の指定 部品番号 FFSB0865B-F085 技術 SiC (炭化ケイ素)ショットキー 前方電圧- ((最高) Vf) @ 1.7 V @ 8 A 速度 回復時間> 500mA無し(Io) 逆の回復時間(trr) 0 ns 現在-逆の漏出@ Vr 40 µA @ 650ボルト キャ... 続きを読む
最新の会社ニュース 獲得のIoTの破片64-VFQFN CC3200R1M2RGCR単一チップ無線MCU RFのトランシーバーIC

獲得のIoTの破片64-VFQFN CC3200R1M2RGCR単一チップ無線MCU RFのトランシーバーIC

[2023-03-28 11:31:55]
獲得のIoTの破片64-VFQFN CC3200R1M2RGCR単一チップ無線MCU RFのトランシーバーIC CC3200R1M2RGCRの製品の説明CC3200R1M2RGCRはソフトウェア、サンプル・アプリケーション、用具、ユーザーを含む完全なプラットホームの解決であり、プログラム ガイド、参照の設計およびチタニウムE2E™サポートcommunity.CC3200R1M2RGCR装置レイアウトに容易のQFNのパッケージで利用できる。 CC3200R1M2RGCRの特徴時計の源ROMのWi-Fiおよびインターネットの議定書内部発振器が付いている40.0 MHz水晶32.768 kHzの水晶... 続きを読む
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