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最新の会社ニュース 集積回路の破片MT53E128M32D2DS-053 IT:移動式LPDDR4記憶IC 200WFBGA

集積回路の破片MT53E128M32D2DS-053 IT:移動式LPDDR4記憶IC 200WFBGA

[2023-04-10 11:09:58]
集積回路の破片MT53E128M32D2DS-053 IT:移動式LPDDR4記憶IC 200WFBGA MT53E128M32D2DS-053 ITの製品の説明:MT53E128M32D2DS-053 IT:4Gbit SDRAMはである-移動式LPDDR4記憶ICのパッケージは200-WFBGA (10x14.5)である。 MT53E128M32D2DS-053 ITの指定: 部品番号: MT53E128M32D2DS-053 IT: クロック周波数: 1.866 GHz 記憶容量: 4Gbit 記憶構成: 128M x 32 技術: SDRAM -移動式LPDDR4 サイズ: 10mm ... 続きを読む
最新の会社ニュース 集積回路を、メモリー チップをリサイクルしリサイクルし、センサーの破片をリサイクルするマイクロ制御回路破片をリサイクルする

集積回路を、メモリー チップをリサイクルしリサイクルし、センサーの破片をリサイクルするマイクロ制御回路破片をリサイクルする

[2023-04-08 13:07:44]
集積回路を、メモリー チップをリサイクルしリサイクルし、センサーの破片をリサイクルするマイクロ制御回路破片をリサイクルする シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社は現金との個人的な目録、工場目録および高い値段、積送品、販売代理店およびクリアランス セールで習慣の握りの購入のような詳細な縦サービスで長期約束が、あった世界的に有名な電子部品の再資源業者である。深遠な経済力および値されたビジネス評判に頼って、Mingjiadaは世界中ですぐに多くの工場顧客の信頼を得、長期協力的な関係を確立した。私達は私達の専門技術および豊富な経験にてこ入れし、完全性と人々を扱う。耐久性がある調査および... 続きを読む
最新の会社ニュース 供給の記憶IC MT40A4G8NEA-062E:F SDRAM - DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

供給の記憶IC MT40A4G8NEA-062E:F SDRAM - DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

[2023-04-08 13:04:56]
供給の記憶IC MT40A4G8NEA-062E:F SDRAM - DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP MT40A4G8NEA-062Eの製品の説明:F MT40A4G8NEA-062E:Fの高密度装置はシステム設計者がシステムの帯域幅か支えられた特徴セットの増加を助けることができる配置の同じ数を用いるより多くの利用できる記憶を利用することを可能にする。 MT40A4G8NEA-062Eの指定:F 部品番号 MT40A4G8NEA-062E:F 技術 SDRAM - DDR4 記憶容量 32Gbit 記憶構成 4G X 8 記憶インターフェイス 平行 クロック周波数 1.6 GHz ... 続きを読む
最新の会社ニュース 破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC

[2023-04-08 11:50:02]
破片の集積回路MT53E512M32D1ZW-046 AUT:BのSDRAM移動式記憶IC MT53E512M32D1ZW-046 AUTの製品の説明:BMT53E512M32D1ZW-046 AUT:BはSDRAMである-移動式LPDDR4Xの記憶IC 16Gbitは2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)を平行にする。 MT53E512M32D1ZW-046 AUTの指定:B記憶インターフェイス:平行クロック周波数:2.133 GHz周期にタイムの単語、ページを書きなさい:18nsアクセス時間:3.5 ns電圧-供給:1.06V | 1.17V実用温度:- ... 続きを読む
最新の会社ニュース 供給のメモリー チップMT53E512M32D1ZW-046の重量:B 200TFBGA 16Gbitの記憶ICの供給の集積回路

供給のメモリー チップMT53E512M32D1ZW-046の重量:B 200TFBGA 16Gbitの記憶ICの供給の集積回路

[2023-04-08 11:45:58]
供給のメモリー チップMT53E512M32D1ZW-046の重量:B 200TFBGA 16Gbitの記憶ICの供給の集積回路 供給のタイプ私達はさまざまな電子部品を供給し、ICは、を含むがそれに限定されず在庫過剰になる:車ICの事ICの5G IC、新しいエネルギーIC、インターネット、BT IC、インターネット、自動車標準的なIC、基地局IC、コミュニケーションIC、人工知能IC、医学IC、家庭電化製品IC、声IC、記憶IC、センサーIC、マイクロ制御回路IC、トランシーバーIC、携帯電話IC、身につけられるIC、コネクター、照明IC、コンデンサーの抵抗器、TO-247、ダイオードおよび三... 続きを読む
最新の会社ニュース 獲得のメモリー チップ、獲得のイーサネット破片、獲得の電子部品

獲得のメモリー チップ、獲得のイーサネット破片、獲得の電子部品

[2023-04-08 11:41:42]
獲得のメモリー チップ、獲得のイーサネット破片、獲得の電子部品 次の電子部品/モジュールのパッケージはビジネスの私達の規模の内にまたある:LGA、LCC、CPGA、LBGA、EBGA、TSBGA、PBGA、SBGA、UBGA、WLPCSP、PLCC84、PLCC44、PLCC32、PLCC28、PLCC20、BGA、QFP、TQFP144、TQFP128、TQFP100 TQFP80、TQFP48、TQFP44、TQFP32、LQFP100、LQFP80、LQFP64、LQFP48、LQFP32、QFP128、QFP64、QFP32、QFP48、QFN、QFN40、QFN32、QFN24... 続きを読む
最新の会社ニュース イーサネット破片、電子部品をリサイクルしなさい、メモリー チップ、集積回路をリサイクルしなさい

イーサネット破片、電子部品をリサイクルしなさい、メモリー チップ、集積回路をリサイクルしなさい

[2023-04-08 11:34:15]
イーサネット破片、電子部品をリサイクルしなさい、メモリー チップ、集積回路をリサイクルしなさい シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。 私達は5G、新しいエネルギーの事のインターネット、車、自動車標準的な装置、基地局、コミュニケーション、人工知能、無線周波数、家庭電化製品、サイリスタ、医療サービス、企業、BT 5.0のイーサネット、センサー、光学モジュール、DC/DC、Wi-Fi、LPWA、GNSSおよびIGBTのインターネットを含むがそれに限定されずさまざまな分野で、使用される広い一連のモジュールを購入する。 細目はプロセスをリサイクルする 1. あなたのIC/moduleの... 続きを読む
最新の会社ニュース 5GがトランシーバーICの携帯電話IC新しいエネルギーIC IoT IC BT ICを欠く電子部品をリサイクルしなさい

5GがトランシーバーICの携帯電話IC新しいエネルギーIC IoT IC BT ICを欠く電子部品をリサイクルしなさい

[2023-04-07 13:05:28]
5GがトランシーバーICの携帯電話IC新しいエネルギーIC IoT IC BT ICを欠く電子部品をリサイクルしなさい シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社は現金との個人的な目録、工場目録および高い値段、積送品、販売代理店およびクリアランス セールで習慣の握りの購入のような詳細な縦サービスで長期約束が、あった世界的に有名な電子部品の再資源業者である。深遠な経済力および値されたビジネス評判に頼って、Mingjiadaは世界中ですぐに多くの工場顧客の信頼を得、長期協力的な関係を確立した。私達は私達の専門技術および豊富な経験にてこ入れし、完全性と人々を扱う。耐久性がある調査および開発... 続きを読む
最新の会社ニュース 16Gbit記憶容量MT40A1G16KD-062E:E SDRAM - DDR4記憶IC 96-FBGAパッケージ

16Gbit記憶容量MT40A1G16KD-062E:E SDRAM - DDR4記憶IC 96-FBGAパッケージ

[2023-04-07 13:01:59]
16Gbit記憶容量MT40A1G16KD-062E:E SDRAM - DDR4記憶IC 96-FBGAパッケージ MT40A1G16KD-062Eの製品の説明:E MT40A1G16KD-062E:E DDR4 (二重4) SDRAMをである内部的にx16構成のための8銀行ドラムとx4およびx8構成のための16銀行ドラムとして形成される高速ダイナミックRAMデータ転送速度。 MT40A1G16KD-062Eの指定:E 部品番号: MT40A1G16KD-062E:E 最高供給電圧-: 1.26 V 供給電圧-分: 1.14 V 最高供給の流れ-: 84 mA 最低の実用温度: 0 C 最高... 続きを読む
最新の会社ニュース メモリー チップS70KS1282GABHM020 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24FBGA IC破片

メモリー チップS70KS1282GABHM020 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24FBGA IC破片

[2023-04-07 11:31:09]
メモリー チップS70KS1282GABHM020 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24FBGA IC破片 S70KS1282GABHM020の製品の説明 S70KS1282GABHM020によっては高速CMOS、自己新たになるHyperBusインターフェイスとのドラムが、である。ドラムの配列は周期的新たになる要求する動的細胞を使用する。 S70KS1282GABHM020の指定 部品番号: S70KS1282GABHM020 記憶容量: 128Mbit 記憶構成: 16M x 8 クロック周波数: 200のMHz 技術: PSRAM (擬似SRAM) 記憶インターフェイス: ... 続きを読む
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