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会社ブログについて 半PE42722B-Z 反射型単極双投射RFスイッチ,HaRPTM技術により強化

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半PE42722B-Z 反射型単極双投射RFスイッチ,HaRPTM技術により強化
最新の会社ニュース 半PE42722B-Z 反射型単極双投射RFスイッチ,HaRPTM技術により強化

深セン明佳達電子有限公司は、純正でオリジナルのpSemi PE42722B-Z 反射型単極双投(SPDT)RFスイッチを長期にわたって在庫しています。

 

PE42722B-Z 製品説明
PE42722B-Zは、HaRP™を強化した反射型単極双投(SPDT)RFスイッチです。DOCSIS 3.0/3.1を含むケーブルアプリケーション向けに特別に設計されています。pSemiのUltraCMOS®プロセス技術を使用して開発されており、このデバイスは高い直線性、優れたRF性能を提供します。

 

仕様
製品モデル:
PE42722B-Z
メーカー: pSemi
製品説明: UltraCMOS®およびHaRP™技術で強化された反射型SPDT RFスイッチ
スイッチ構成: SPDT(単極双投)
周波数範囲: 5 MHz~1.794 GHz
挿入損失: 0.85 dB(標準)
オフ状態のアイソレーション: 29 dB(標準)
技術的特徴: UltraCMOS®、HaRP™技術強化
パッケージタイプ: 32ピン5x5 mm QFN
動作温度: -40℃~+85℃

 

PE42722B-Z 機能的特徴
高性能RF特性: PE42722B-Zは、5 MHzから1.794 GHzまでの幅広い周波数範囲で優れた性能を発揮し、わずか0.85 dBの標準挿入損失と29 dBの標準シャットダウンアイソレーションを実現しています。これにより、信号がPE42722B-Zを通過する際の信号損失を最小限に抑え、効果的なアイソレーションを確保します。
高度なHaRP™技術: PE42722B-Zに統合されたHaRP™技術は、直線性の大幅な向上と高調波反射の低減を実現し、優れた信号完全性を提供します。
UltraCMOS®プロセス: 特殊なシリコン・オン・インシュレータ(SOI)技術を使用して製造されたPE42722B-Zは、ガリウムヒ素(GaAs)の性能とCMOSプロセスのコスト効率を兼ね備えています。
環境に優しい: PE42722B-Zは、グリーン基準に準拠しており、湿度に敏感です。

 

代表的な用途
幅広い周波数範囲と高い直線性により、
PE42722B-Z は、以下を含む多様なRFアプリケーションに最適です:
ケーブルテレビネットワーク機器: テレビチューナー、セットトップボックス(STB)、DOCSIS準拠のケーブル加入者構内機器(CPE)に適しています。
ブロードバンド通信システム: デジタルテレビ(DTV)、デジタルビデオレコーダー(DVR)、および高周波信号スイッチングを必要とするその他のアプリケーションで使用できます。
試験および測定機器: 多様なRF試験プラットフォーム向けのユニバーサルブロードバンドRFスイッチとして機能します。

 

明佳達電子から入手可能なPE42722B-Z は、その優れた性能と幅広い用途範囲により、RF通信およびブロードバンド機器にとって理想的な選択肢となります。

 

図1 • PE42722B-Z 機能図

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pSemi PE42722B-Z の調達にご興味がある場合、または必要とされる場合は、以下のチャネルを通じて明佳達電子にご連絡ください:
担当者: Mr. Chen
電話番号: +86 13410018555
メール: sales@hkmjd.com
住所: 深圳市福田区振中路新亜グオリビル1239-1241号室、広東省
ウェブサイト:
www.integrated-ic.com

パブの時間 : 2025-10-10 11:08:19 >> ニュースのリスト
連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: Mr. Sales Manager

電話番号: 86-13410018555

ファックス: 86-0755-83957753

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